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VOLTE路損耗怎計算?

VOLTE中路損是怎么計算來的?

浙江這邊省公司給的說是

上行損耗 VOLTE上行MOS-VOLTE上行RTP IPMOS 
下行損耗 VOLTE下行RTP IPMOS-VOLTE下行MOS 

我納悶了,MOS和路損有關系嗎?

提問者: jady.zh  提問時間: 2016-06-02    
 
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問題答案 ( 1 )

可通過所得到的最大允許路徑損耗,準確地得出TD-LTE網絡的覆蓋范圍。我們以Cost·231-·Hata路損模型對LTE系統(tǒng)進行分析,其計算公式為:
  Pathloss(dB)= 46.3 + 33.9*log( f )-13.82*log(Hb)-a (Hm) + (44.9-6.55*log(Hb))*log(d) + Cm
  其中,f為載頻(單位MHz),Hb為基站高度(單位m),Hm為UE高度,d為UE與eNB之間的距離(單位km),Cm為城市修正因子(大城市中心:3、城市:0、郊區(qū):-1228、農村:-22.52)。



回答者: wj39016     回答時間:2016-06-02 14:43    

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