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靜電對(duì)基站電子設(shè)備危害分析:
半導(dǎo)體分立器件、集成電路、厚薄膜電路及電阻器、電容器、壓電晶體等,是電子設(shè)備的“心臟”。IC制造工藝從500nm左右演變到90nm和更小尺寸,集成器件的擊穿電壓大大降低而更加脆弱。
監(jiān)控主機(jī)殼體、空調(diào)殼體、開關(guān)電源模塊殼體部件等采用絕緣材料制作,濕度在10-30%時(shí)靜電值達(dá)到幾萬至幾十萬伏,不僅對(duì)內(nèi)部元件構(gòu)成威脅,同時(shí)對(duì)其它設(shè)備造成影響。而主設(shè)備廠家對(duì)設(shè)備防止靜電根據(jù)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)提供了簡(jiǎn)單維護(hù)注意事項(xiàng)。主設(shè)備防止靜電采用 “引入接地”和“斷點(diǎn)隔離”兩種方式,“引入接地”方式對(duì)設(shè)備金屬結(jié)構(gòu)部分起到一定效果,但不能消除絕緣體(如電路板和電子元件)上的靜電;“段點(diǎn)隔離”方式使元件間距加大,元件間靜電放電得到改善。但元件上靜電引起灰塵吸附,使元件散熱能力下降,導(dǎo)致熱擊穿,同時(shí)灰塵吸附使元件間防止靜電放電的有效距離變短,形成放電擊穿;“引入接地”和“斷點(diǎn)隔離”兩種方式均無法消除靜電危害。
提問者: 朦朧  提問時(shí)間: 2010-07-05    
 
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問題答案 ( 7 )

樓主是想要問什么?)#$@&%#K:JFD()本文來自移動(dòng)通信網(wǎng)m.gg1fic3.cn,版權(quán)所有

回答者: tscinter     回答時(shí)間:2010-07-05 16:52    

8        14        


斑竹你是老教學(xué)的吧.暈?zāi)懔?span style='display:none'>cvmmvcK:JFD(本文來自移動(dòng)通信網(wǎng)m.gg1fic3.cn,版權(quán)所有


回答者: scdyz     回答時(shí)間:2010-07-05 18:26    

10        10        


斑竹你是老教學(xué)的吧.暈?zāi)懔?span style='display:none'>45%#(么$*@K:JFD()$#_本文來自移動(dòng)通信網(wǎng)m.gg1fic3.cn,版權(quán)所有


回答者: scdyz     回答時(shí)間:2010-07-05 18:27    

9        8        


確實(shí)像教學(xué)而不是問題。

回答者: tscinter     回答時(shí)間:2010-07-05 18:40    

9        6        


你到底想要問?f12dsfds1fadK:JFD()$#_*(本文來自移動(dòng)通信網(wǎng)m.gg1fic3.cn,版權(quán)所有

回答者: robert2006     回答時(shí)間:2010-07-06 01:21    

11        7        


謝謝樓主 已學(xué)習(xí)靜電對(duì)基站電子設(shè)備危害。*@#(_@s4fK:JFD()$#本文來自移動(dòng)通信網(wǎng)m.gg1fic3.cn,版權(quán)所有
sfds1fadK:JFD()$本文來自移動(dòng)通信網(wǎng)m.gg1fic3.cn,版權(quán)所有

回答者: wfwuxian     回答時(shí)間:2010-07-06 08:19    

12        12        


哪有不用加濕除靜電的設(shè)備K:JFD()$#_*(本文來自移動(dòng)通信網(wǎng)m.gg1fic3.cn,版權(quán)所有


回答者: 朦朧     回答時(shí)間:2010-07-07 21:18    

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