我個人的理解是同頻，異頻（GSM/DCS）的層間排位。。

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 對于同層級小區(qū) 正常的情況此處不做敘述，而在某一特殊的電平范圍內，源小區(qū)至鄰小區(qū)的切換可能由層間切換門限主導。即當【鄰小區(qū)層間切換門限】+【鄰小區(qū)層間切換磁滯】大于【源小區(qū)層間切換門限】—【源小區(qū)層間切換磁滯】時，若鄰小區(qū)與源小區(qū)均落在該區(qū)間范圍內，則兩者之間的切換受層間切換門限和磁滯的影響。 例如：源小區(qū)A，層間切換門限/磁滯 20 / 3，小區(qū)所在層2 鄰小區(qū)B，層間切換門限/磁滯 30 / 3，小區(qū)所在層2 鄰小區(qū)C，層間切換門限/磁滯 20 / 3，小區(qū)所在層2 A小區(qū)至B、C小區(qū)的PBGT切換門限均為68，小區(qū)間切換磁滯均為4 討論在4種電平區(qū)間下的切換情況： 14位置0的條件 在各電平區(qū)間下14位的排序結果 (-47，-77] （-77，-87] (-87,-93] (-93,-110] 小區(qū)A Rxlev>=-93 0 0 0 1 小區(qū)B Rxlev>=-77 0 1 1 1 小區(qū)C Rxlev>=-87 0 0 1 1 從上表可見，在（-77，-93]區(qū)間內，A小區(qū)不會切換至B小區(qū)，在(-87,-93]內A小區(qū)不會切換至C小區(qū)。 結論：同層同級小區(qū)的層間切換門限設置值相差越大，則在相對應的電平區(qū)間內（差值越大，電平區(qū)間越大），會影響低門限低小區(qū)向高門限小區(qū)切換的準確性。  對于高層級小區(qū)切至低層級小區(qū) 該類切換均為邊緣切換，當且僅當高層級小區(qū)在該位的排序優(yōu)先級低于低層級小區(qū)時（即高層級小區(qū)為1，低層級小區(qū)為0），低層級小區(qū)的最終排序才會優(yōu)先于高層級小區(qū)。 如果【高層級小區(qū)的層間切換門限】—【高層級小區(qū)的層間切換磁滯】太低，或者【低層級小區(qū)層間切換門限】+【低層級小區(qū)層間切換磁滯】太高，將會影響兩者之間的切換。 例如：源小區(qū)A，下行鏈路邊緣切換門限35，層間切換門限20，層間切換磁滯3，層1。 目標小區(qū)B，下行鏈路邊緣切換門限10，層間切換門限30，層間切換磁滯3，層2。 小區(qū)A電平在低于-93dbm時才能使小區(qū)A在第14位置1，而小區(qū)B只需要滿足【小區(qū)B濾波后接收電平】-【小區(qū)A濾波后接收電平】>【小區(qū)A至B的小區(qū)間切換磁滯】。 結論：若高層級小區(qū)的【層間切換門限】—【層間切換磁滯】<【下行鏈路邊緣切換門限】，則實際起到下行鏈路邊緣切換門限作用的值為【層間切換門限】—【層間切換磁滯】  對于低層級小區(qū)切至高層級小區(qū) 因高層級小區(qū)的信號強度滿足層間切換判決時（濾波并懲罰后的鄰區(qū)BCCH接收電平>=【層間切換門限】+【層間切換遲滯】）該小區(qū)在第14位已經滿足條件，置0，因此層間切換門限并不會影響低層小區(qū)向高層小區(qū)切換。 fd3s1fd知1fkK:JFD()$#_*(本文來自移動通信網m.gg1fic3.cn,版權所有

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