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 功放開發(fā)與設(shè)計
heyg789
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發(fā)表于 2011-08-22 13:55:42  只看樓主 
【資料名稱】：功放開發(fā)與設(shè)計

【資料作者】：虹信

【資料日期】：2008年

【資料語言】：中文

【資料格式】：DOC

【資料目錄和簡介】：

功放模塊是射頻功率放大部件,在保證線形的情況下提
供一定的功率輸出, 其最重要的部分為末級功放管，可以
說功放模塊性能的好壞直接由末級功放管的性能決定。
一般末級功放管為微波晶體管功率放大器，通常為
LDMOS功放管，其工作狀態(tài)與低頻晶體管功率放大器一
樣，有A類、AB類、C類及D類四種工作狀態(tài)，分類的方
法也相同。不同的工作狀態(tài)適用不同的需要。對于微波
晶體管而言，要實現(xiàn)其單管或多管合路的放大功能，就
需要相應(yīng)的匹配電路。匹配電路元件可以是集中參數(shù)、
半集中參數(shù)及分布參數(shù)元件。通常情況下，設(shè)計好微帶
線后，就要通過調(diào)整匹配電路中的元件，來改變LDMOS
單管的阻抗特性及傳輸特性，使其達到最佳的性能。

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2011-8-22 13:55:42  下載次數(shù): 13
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