語(yǔ)音編碼的方式、信號(hào)質(zhì)量、傳輸環(huán)節(jié)誤碼情況、切換頻繁度、不連續(xù)發(fā)送（DTX）、功率控制等，都會(huì)直接影響到MOS值。提升MOS值就從這些方面逐一優(yōu)化入手。
MOS指標(biāo)提升主要從以下幾方面進(jìn)行優(yōu)化:
語(yǔ)音編碼方式調(diào)整（半速率優(yōu)化）
功率控制參數(shù)調(diào)整優(yōu)化
不連續(xù)發(fā)送（DTX）參數(shù)優(yōu)化
切換頻繁度控制優(yōu)化
信號(hào)越區(qū)與過(guò)覆蓋優(yōu)化
上下行鏈路不平衡
語(yǔ)音編碼方式--如果無(wú)線(xiàn)環(huán)境相同，各語(yǔ)音編碼方案MOS的平均分值關(guān)系為：增強(qiáng)型全速率（EFR）>全速率(FR)> 半速率（HR），半速率的使用是影響MOS值的重要因素，半速率的合理控制及使用，對(duì)于MOS指標(biāo)的提升存在積極的影響。本次優(yōu)化主要針對(duì)冗余的SDCCH及TCHD信道，通過(guò)對(duì)這些冗余信道修改為T(mén)CHF來(lái)減少半速率的使用。
信號(hào)越區(qū)與過(guò)覆蓋優(yōu)化--天線(xiàn)過(guò)覆蓋對(duì)于小區(qū)的上下行質(zhì)量、MOS值等指標(biāo)影響較大。為了改善道路覆蓋，提升上下行質(zhì)量及MOS值≥3的比例，需對(duì)網(wǎng)格內(nèi)的過(guò)覆蓋小區(qū)進(jìn)行天線(xiàn)調(diào)整；
切換頻繁度控制優(yōu)化--通過(guò)對(duì)網(wǎng)絡(luò)中的切換成功率低小區(qū)進(jìn)行集中優(yōu)化，提升了網(wǎng)絡(luò)的切換成功率指標(biāo)，減少了切換請(qǐng)求次數(shù)，一定程度上提升了網(wǎng)絡(luò)的MOS值指標(biāo)。關(guān)閉了小區(qū)內(nèi)切換功能，DT測(cè)試中的切換次數(shù)明顯減少，提高M(jìn)OS值指標(biāo)
不連續(xù)發(fā)送（DTX）參數(shù)優(yōu)化--啟DTX功能的好處是可以減少干擾和節(jié)省基站及手機(jī)MS的電量。但是用靜默來(lái)取代語(yǔ)音，也是一種失真，對(duì)于客戶(hù)感知有一定負(fù)面影響。所以現(xiàn)網(wǎng)中DTX一般設(shè)為1，為移動(dòng)臺(tái)必須使用DTX。
功率控制參數(shù)調(diào)整優(yōu)化--功率控制參數(shù)的合理設(shè)置能夠有效降低因頻率復(fù)用過(guò)高帶來(lái)的網(wǎng)內(nèi)干擾，從而減少了一些因頻率干擾與電平原因造成的不必要切換。
上下行鏈路不平衡--核查全網(wǎng)小區(qū)的鏈路平衡情況，避免由于硬件或參數(shù)問(wèn)題造成鏈路不平衡，其中以直放站設(shè)備為重點(diǎn) 。
質(zhì)差路段整治。
總結(jié)下:
制約MOS值提升主要有以下幾個(gè)方面：
半速率的過(guò)多使用將影響MOS值，但并非決定性因素；
差的無(wú)線(xiàn)環(huán)境將制約著MOS指標(biāo)的提升；
切換過(guò)多將嚴(yán)重影響網(wǎng)絡(luò)MOS值，切換頻繁度的優(yōu)化可提升MOS值；
不連續(xù)發(fā)射DTX功能可以降低網(wǎng)絡(luò)干擾，但同時(shí)對(duì)MOS值造成一定的影響。DTX功能可提高M(jìn)OS值。但會(huì)造成掉話(huà)數(shù)目的大幅攀升，使用時(shí)必須慎重選擇合適小區(qū)，均衡考慮，如設(shè)為0，移動(dòng)臺(tái)可以使用DTX，不必要關(guān)閉該功能；
過(guò)區(qū)覆蓋與越區(qū)覆蓋，一定程度上也制約MOS的提升；
上下行鏈路不平衡對(duì)MOS指標(biāo)影響很大，尤其是直放站的干擾、泄露情況。