【資料名稱】：關(guān)于MOS值提升的參數(shù)小結(jié)

【資料作者】：user

【資料日期】：20130507

【資料語言】：中文

【資料格式】：DOC

【資料目錄和簡介】：

MOS值的影響因素主要有良好的無線環(huán)境、合理的覆蓋（強主導(dǎo)小區(qū)）、合理的相鄰關(guān)系、掉話率、以及參數(shù)的設(shè)置。
本文主要總結(jié)了功控參數(shù)對MOS值的影響及測試結(jié)果。

2、 涉及的參數(shù)

一共涉及4個Class3參數(shù)的修改（這4個參數(shù)可以在任意時段進(jìn)行修改而不會對小區(qū)內(nèi)的業(yè)務(wù)產(chǎn)生任何影響）：

UL AMR BLER Target：上行AMR業(yè)務(wù)的目標(biāo)誤塊率，建議值：-3.0，整體提升MOS值；
DL AMR BLER Target：下行AMR業(yè)務(wù)的目標(biāo)誤塊率，建議值：-3.0，整體提升MOS值；
CS_AMR_NB minSirTarget：上行AMR業(yè)務(wù)最小SIR目標(biāo)門限，建議值：4，提升信號較好區(qū)域的MOS值。（在改動這個參數(shù)時，請同時把CS_AMR_NB minSirTarget HSDPA改成相同數(shù)值）；
CS_AMR_NB maxDlTxPowerPerOls：下行AMR業(yè)務(wù)最大業(yè)務(wù)信道發(fā)射功率，建議值：4.0，提升信號較差區(qū)域的MOS值。