目前已經(jīng)基本確認聯(lián)發(fā)科將在明年推出旗下高端處理器Helio X30，將采用臺積電的10nm工藝制程打造，據(jù)臺灣媒體報道，為了提高10nm工藝產(chǎn)能，聯(lián)發(fā)科也希望同樣采用10nm制程工藝來研制Helio X35。不過和今年的Helio X20與Helio X25的關(guān)系不同，本次曝光的Helio X35為Helio X30的“降規(guī)格”版本，這也是為了滿足更多中高端智能手機需求。

　　聯(lián)發(fā)科Helio X30在之前原計劃采用16nm工藝生產(chǎn)，出于市場競爭因素最終改為10nm工藝，卡位高通等競爭對手。此前，聯(lián)發(fā)科COO朱尚祖曾透露Helio X30將采用臺積電10nm工藝，基帶支持3載波聚合，Modem支持Cat.10-Cat.12的全網(wǎng)通，GPU方案拋棄了ARM Mali，而是來自imagination的PowerVR。

　　至于其他方面的信息，根據(jù)之前曝光的信息，Helio X30將采用采用2x2.8GHz Artemis+4x2.2GHz A53+4x2GHz A35的三叢集架構(gòu)，由于Artemis（月亮女神）新架構(gòu)目前ARM依然沒有發(fā)布，因此X30采用A72作為高性能核心可能性也加大。同時，Helio X30將支持最高8GB的LPDDR4閃存，支持UFS 2.1標準。

　　目前還沒有具體的Helio X35架構(gòu)信息，不過按照之前Helio X20與Helio X25的關(guān)系來看，新版Helio X35與Helio X30在架構(gòu)上應(yīng)該沒有區(qū)別，但是在主頻方面可能會有所改變，以便在性能上拉開差距。