早在去年年底，三星就曾對(duì)外公開了其10nm晶圓的模型，現(xiàn)在三星電子宣布已經(jīng)量產(chǎn)10nm FinFET工藝芯片，這也讓三星成為首家生產(chǎn)10納米制程工藝芯片的廠家，進(jìn)度領(lǐng)先于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電和英特爾等。同時(shí)三星表示，用10nm量產(chǎn)的芯片將用在明年上市的IT產(chǎn)品中，顯然這是在指將會(huì)在明年年初發(fā)布的旗艦機(jī)型三星Galaxy S8手機(jī)。

　　使用更先進(jìn)的制造工藝，就意味著芯片的面積和功耗會(huì)越小。三星表示，相比14nm工藝，10nm工藝制造的芯片性能提升27%，同時(shí)功耗降低達(dá)40%，并且10nm工藝允許每個(gè)晶圓多制造30%的芯片。目前三星正在使用第一代10nm工藝量產(chǎn)芯片，該公司表示明年的商業(yè)產(chǎn)品能夠用上第二代。

　　根據(jù)之前的報(bào)道，星將是高通驍龍830芯片的獨(dú)家代工商，這款芯片將會(huì)采用10納米工藝制造。當(dāng)然三星自家的旗艦級(jí)芯片Exynos 8895也將會(huì)采用10納米工藝制造。而將在明年推出的三星Galaxy S8，預(yù)計(jì)仍將會(huì)采用Exynos 8895和驍龍830兩種芯片方案。