新浪手機(jī)訊 11月18日上午消息，昨日高通在美國正式發(fā)布驍龍835處理器，目前該處理器已經(jīng)進(jìn)去量產(chǎn)階段，或最早將于2017年下半年和大家見面。

驍龍835處理器發(fā)布會(huì)

　　昨日，高通公司（Qualcomm Technologies，Inc）和三星電子有限公司延續(xù)雙方十年的戰(zhàn)略性晶圓代工合作，并推出首款采用三星10納米FinFET制作工藝的高通旗艦處理器——驍龍835。

　　采用10納米FinFET制作工藝的驍龍835處理器比上代14納米FinFET工藝相比，芯片尺寸減少30%尺寸，但性能卻提升27%，功耗降低40%。

　　既然芯片減小了近30%的體積，那么也就意味著在今后推出使用該處理器的旗艦手機(jī)中，可以支持更大容量電池或更輕薄的設(shè)計(jì)。

快充4.0充電時(shí)間

　　并且，配合高通最新推出的QC4.0技術(shù)（Quick Charge 4），可實(shí)現(xiàn)更快速充電。據(jù)高通稱，QC4.0技術(shù)能在大約15分鐘或更短時(shí)間內(nèi)，充入高達(dá) 50%的電池電量，相比前代QC 3.0（Quick Charge 3），用戶可享受到高達(dá)20%的充電速度提升。

　　這次高通可謂是“兵馬未動(dòng)，糧草先行”，目前驍龍835處理器已經(jīng)投入生產(chǎn)，將于2017年上半年出貨，也就是說明年下半年旗艦手機(jī)中很可能率先搭載這枚芯片。（瑞豪）