此前，三星和高通宣布驍龍835將采用10nm FinFET工藝打造，并且已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)，預(yù)計(jì)在2017年上半年到來(lái)，但是有關(guān)于該芯片的其他消息沒(méi)有更多披露。今天，高通官方Twitter發(fā)文稱，CES 2017上將聚焦驍龍835處理器。
高通官方稱CES 2017將聚焦驍龍835（圖片引自Twitter）
根據(jù)之前的消息，高通驍龍835處理器基于三星10nm FinFET制程工藝打造，支持Quick Charge 4.0快速充電技術(shù)，與上一代驍龍?zhí)幚砥飨啾�，其空間效率可提升30% 、性能提升27% 、且能耗降低40%。它將取代驍龍821處理器成為高通最頂級(jí)的移動(dòng)處理器。
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