【環(huán)球網科技綜合報道】據外媒7月9日報道，三星公司宣布與ARM建立長期合作關系，雙方將進一步優(yōu)化7納米及5納米制程芯片使得ARM Cortex-A76處理器可以實現(xiàn)3GHz+的高頻率。

　　三星表示，ARM的Cortex-A76將使用三星7納米LPP制程及5納米LPE制程，以達成超越當前ARM最快2.8GHz頻率的3GHz+高頻率效能。三星下一代5nm LPE工藝則基于7nm EUV工藝改良而成，具體信息尚未公布。三星7nm LPP將在今年下半年初步量產，第一款使用EUV光刻工藝技術的IP正在開發(fā)中，預計2019年上半年正式問世。

　　這表明三星的首款7nm將采用多圖案成形的設計，其制造成本將顯著提高。EUV技術的引入有望降低成本，但其不能直接提高芯片的性能。盡管EUV技術由于生產問題和存在的風險拖延了十多年都沒有被正式引入，但目前該項目已取得了初步進展。

　　ARM物理設計事業(yè)部營銷副總裁Kelvin Low表示，ARM和三星代工已基于Artisan物理IP開發(fā)了大量芯片，三星代工的7LPP和5LPE節(jié)點技藝可以滿足其共同客戶的需求，為他們提供從移動數(shù)據中心到高性能數(shù)據中心的第二代最新芯片系統(tǒng)。

　　英特爾和AMD都必須意識到ARM正在慢慢地成為服務器和高性能計算機市場上一股不可忽視的力量。(實習編譯：楊璐潔 審稿：李宗澤)