百科解釋
內(nèi)存條是連接CPU 和其他設(shè)備的通道!起到緩沖和數(shù)據(jù)交換作用。。! 一、內(nèi)存的作用與分類 內(nèi)存是電腦中的主要部件,它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序,如Windows98系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等,一般都是安裝在硬盤等外存上的,但僅此是不能使用其功能的,必須把它們調(diào)入內(nèi)存中運(yùn)行,才能真正使用其功能,我們平時(shí)輸入一段文字,或玩一個(gè)游戲,其實(shí)都是在內(nèi)存中進(jìn)行的。通常我們把要永久保存的、大量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在外存上,而把一些臨時(shí)的或少量的數(shù)據(jù)和程序放在內(nèi)存上。 內(nèi)存分為DRAM和ROM兩種,前者又叫動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,它的一個(gè)主要特征是斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失,我們平時(shí)說的內(nèi)存就是指這一種;后者又叫只讀存儲(chǔ)器,我們平時(shí)開機(jī)首先啟動(dòng)的是存于主板上ROM中的BIOS程序,然后再由它去調(diào)用硬盤中的Windows98或Windows95系統(tǒng),ROM的一個(gè)主要特征是斷電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。 二、內(nèi)存發(fā)展簡史 起初,電腦所使用的內(nèi)存是一塊塊的IC,我們必須把它們焊接到主機(jī)板上才能正常使用,一旦某一塊內(nèi)存IC壞了,必須焊下來才能更換,這實(shí)在是太費(fèi)勁了。后來,電腦設(shè)計(jì)人員發(fā)明了模塊化的條裝內(nèi)存,每一條上集成了多塊內(nèi)存IC,相應(yīng)地,在主板上設(shè)計(jì)了內(nèi)存插槽,這樣,內(nèi)存條就可隨意拆卸了,從此,內(nèi)存的維修和擴(kuò)充都變得非常方便。 根據(jù)內(nèi)存條上的引腳多少,我們可以把內(nèi)存條分為30線、72線、168線等幾種。30線與72線的內(nèi)存條又稱為單列存儲(chǔ)器模塊SIMM,168線的內(nèi)存條又稱為雙列存儲(chǔ)器模塊DIMM。目前30線內(nèi)存條已經(jīng)沒有了;前兩年的流行品種是72線的內(nèi)存條,其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等幾種;目前市場的主流品種是168線內(nèi)存條,168線內(nèi)存條的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等幾種,一般的電腦插一條就OK了,不過,只有基于VX、TX、BX芯片組的主板才支持168線的內(nèi)存條。 三、內(nèi)存的性能指標(biāo) 評價(jià)內(nèi)存條的性能指標(biāo)一共有四個(gè): (1) 存儲(chǔ)容量:即一根內(nèi)存條可以容納的二進(jìn)制信息量,如目前常用的168線內(nèi)存條的存儲(chǔ)容量一般多為32兆、64兆和128兆。 (2) 存取速度(存儲(chǔ)周期):即兩次獨(dú)立的存取操作之間所需的最短時(shí)間,又稱為存儲(chǔ)周期,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的存取周期一般為60納秒至100納秒。 (3) 存儲(chǔ)器的可靠性:存儲(chǔ)器的可靠性用平均故障間隔時(shí)間來衡量,可以理解為兩次故障之間的平均時(shí)間間隔。 (4) 性能價(jià)格比:性能主要包括存儲(chǔ)器容量、存儲(chǔ)周期和可靠性三項(xiàng)內(nèi)容,性能價(jià)格比是一個(gè)綜合性指標(biāo),對于不同的存儲(chǔ)器有不同的要求。 四、什么是EDO和SDRAM 前面我們已經(jīng)按引腳數(shù)的多少把內(nèi)存條分為30、72和168線等幾種,其實(shí),它們在結(jié)構(gòu)和性能上還有著本質(zhì)的區(qū)別。 譬如,72線內(nèi)存條是一種EDO內(nèi)存,而現(xiàn)今主流的168線內(nèi)存條幾乎清一色又都是SDRAM內(nèi)存;目前,EDO內(nèi)存的存取速度基本保持在60納秒左右,能夠適應(yīng)75兆赫茲的外頻,但跑83兆赫茲則有點(diǎn)勉為其難了;而SDRAM內(nèi)存的存取速度一般能達(dá)到10納秒左右,能夠適應(yīng)100兆赫茲以上的外頻。所以從97年底起EDO內(nèi)存已逐步被SDRAM所取代,至今,幾乎已無人再用EDO來裝機(jī)了,只有升級擴(kuò)充舊電腦內(nèi)存時(shí)還用得著它。 其實(shí),EDO內(nèi)存被SDRAM所取代有其必然性,因?yàn),目前市場上主流CPU的主頻已高達(dá)450兆赫茲,未來CPU的主頻還會(huì)越來越高。但由于傳統(tǒng)內(nèi)存條的讀寫速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)跟不上CPU的速度,迫使CPU插入等待指令周期,從而大大降低了電腦的整體性能。為了緩解這個(gè)內(nèi)存瓶頸的問題,我們就必須采用新的內(nèi)存結(jié)構(gòu),即SDRAM。因?yàn)椋瑥睦碚撋险f,SDRAM與CPU頻率同步,共享一個(gè)時(shí)鐘周期。SDRAM內(nèi)含兩個(gè)交錯(cuò)的存儲(chǔ)陣列,當(dāng)CPU從一個(gè)存儲(chǔ)陣列訪問數(shù)據(jù)的同時(shí),另一個(gè)已準(zhǔn)備好讀寫數(shù)據(jù),通過兩個(gè)存儲(chǔ)陣列的緊密切換,讀取效率得到成倍提高。目前,最新的SDRAM的存儲(chǔ)速度已高達(dá)5納秒,所以,SDRAM已成為近期內(nèi)存發(fā)展的主流。 當(dāng)然,EDO內(nèi)存也并沒有完全舉手投降,相反,憑借其出色的視頻特性和低廉的價(jià)格,在顯示內(nèi)存等領(lǐng)域仍是連連得手,眾多低檔顯卡更是無一例外地采用EDO內(nèi)存。另外,許多硬盤、光驅(qū)和打印機(jī)也是采用EDO緩存,可見,EDO內(nèi)存還真是寶刀不老啊! 內(nèi)存選購 選購內(nèi)存條時(shí)除了要考慮前面介紹的引腳數(shù)、容量和存取速度之外,還要考慮以下幾個(gè)因素: (1) 奇偶性 為了保證內(nèi)存存取數(shù)據(jù)的的準(zhǔn)確性,有些內(nèi)存條上有奇偶校驗(yàn)位,如3片或9片裝的內(nèi)存條。如果您對電腦運(yùn)行的準(zhǔn)確性要求很高,最好選擇有奇偶校驗(yàn)功能的內(nèi)存條。 (2) 價(jià)格 雖然現(xiàn)在的內(nèi)存條和以前相比,價(jià)格已經(jīng)大幅下降,但不同的品牌和性能,價(jià)格還是有一些差別,您可根據(jù)自己的需要和預(yù)算情況選擇適合自己的價(jià)位。另外,購買內(nèi)存時(shí)您還須注意品牌和質(zhì)量,目前,生產(chǎn)內(nèi)存的廠家較多,質(zhì)量較為可靠的品牌有:南韓LG、日本的東芝、日本精工、日本電氣公司、日本松下。 內(nèi)存在電腦中起著舉足輕重的作用。內(nèi)存一般采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元,包括隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM),只讀存儲(chǔ)器(ROM),以及高速緩存(CACHE)。只不過因?yàn)镽AM是其中最重要的存儲(chǔ)器。 通常所說的內(nèi)存即指電腦系統(tǒng)中的RAM。 RAM有些像教室里的黑板,上課時(shí)老師不斷地往黑板上面寫東西,下課以后全部擦除。RAM要求每時(shí)每刻都不斷地供電,否則數(shù)據(jù)會(huì)丟失。如果在關(guān)閉電源以后RAM中的數(shù)據(jù)也不丟失就好了,這樣就可以在每一次開機(jī)時(shí)都保證電腦處于上一次關(guān)機(jī)的狀態(tài),而不必每次都重新啟動(dòng)電腦,重新打開應(yīng)用程序了。但是RAM要求不斷的電源供應(yīng),那有沒有辦法解決這個(gè)問題呢?隨著技術(shù)的進(jìn)步,人們想到了一個(gè)辦法,即給RAM供應(yīng)少量的電源保持RAM的數(shù)據(jù)不丟失,這就是電腦的待機(jī)功能,特別在Win2000里這個(gè)功能得到了很好的應(yīng)用,休眠時(shí)電源處于連接狀態(tài),但是耗費(fèi)少量的電能。 按內(nèi)存條的接口形式,常見內(nèi)存條有兩種:單列直插內(nèi)存條(SIMM),和雙列直插內(nèi)存條(DIMM)。SIMM內(nèi)存條分為30線,72線兩種。DIMM內(nèi)存條與SIMM內(nèi)存條相比引腳增加到168線。DIMM可單條使用,不同容量可混合使用,SIMM必須成對使用。 按內(nèi)存的工作方式,內(nèi)存又有FPA EDO DRAM和SDRAM(同步動(dòng)態(tài)RAM)等形式。 FPA(FAST PAGE MODE)RAM 快速頁面模式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器:這是較早的電腦系統(tǒng)普通使用的內(nèi)存,它每個(gè)三個(gè)時(shí)鐘脈沖周期傳送一次數(shù)據(jù)。 EDO(EXTENDED DATA OUT)RAM 擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出隨機(jī)存取存儲(chǔ)器:EDO內(nèi)存取消了主板與內(nèi)存兩個(gè)存儲(chǔ)周期之間的時(shí)間間隔,他每個(gè)兩個(gè)時(shí)鐘脈沖周期輸出一次數(shù)據(jù),大大地縮短了存取時(shí)間,使存儲(chǔ)速度提高30%。EDO一般是72腳,EDO內(nèi)存已經(jīng)被SDRAM所取代。 S(SYSNECRONOUS)DRAM 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器:SDRAM為168腳,這是目前PENTIUM及以上機(jī)型使用的內(nèi)存。SDRAM將CPU與RAM通過一個(gè)相同的時(shí)鐘鎖在一起,使CPU和RAM能夠共享一個(gè)時(shí)鐘周期,以相同的速度同步工作,每一個(gè)時(shí)鐘脈沖的上升沿便開始傳遞數(shù)據(jù),速度比EDO內(nèi)存提高50%。 DDR(DOUBLE DATA RAGE)RAM SDRAM的更新?lián)Q代產(chǎn)品,他允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù),這樣不需要提高時(shí)鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。 RDRAM(RAMBUS DRAM)存儲(chǔ)器總線式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器;RDRAM是RAMBUS公司開發(fā)的具有系統(tǒng)帶寬,芯片到芯片接口設(shè)計(jì)的新型DRAM,他能在很高的頻率范圍內(nèi)通過一個(gè)簡單的總線傳輸數(shù)據(jù)。他同時(shí)使用低電壓信號(hào),在高速同步時(shí)鐘脈沖的兩邊沿傳輸數(shù)據(jù)。INTEL將在其820芯片組產(chǎn)品中加入對RDRAM的支持。 內(nèi)存的參數(shù)主要有兩個(gè):存儲(chǔ)容量和存取時(shí)間。存儲(chǔ)容量越大,電腦能記憶的信息越多。存取時(shí)間則以納秒(NS)為單位來計(jì)算。一納秒等于10^9秒。數(shù)字越小,表明內(nèi)存的存取速度越快。 五、內(nèi)存條的誕生 內(nèi)存芯片的狀態(tài)一直沿用到286初期,鑒于它存在著無法拆卸更換的弊病,這對于計(jì)算機(jī)的發(fā)展造成了現(xiàn)實(shí)的阻礙。有鑒于此,內(nèi)存條便應(yīng)運(yùn)而生了。將內(nèi)存芯片焊接到事先設(shè)計(jì)好的印刷線路板上,而電腦主板上也改用內(nèi)存插槽。這樣就把內(nèi)存難以安裝更換的問題徹底解決了。 在80286主板發(fā)布之前,內(nèi)存并沒有被世人所重視,這個(gè)時(shí)候的內(nèi)存是直接固化在主板上,而且容量只有64 ~256KB,對于當(dāng)時(shí)PC所運(yùn)行的工作程序來說,這種內(nèi)存的性能以及容量足以滿足當(dāng)時(shí)軟件程序的處理需要。不過隨著軟件程序和新一代80286硬件平臺(tái)的出現(xiàn),程序和硬件對內(nèi)存性能提出了更高要求,為了提高速度并擴(kuò)大容量,內(nèi)存必須以獨(dú)立的封裝形式出現(xiàn),因而誕生了“內(nèi)存條”概念。 在80286主板剛推出的時(shí)候,內(nèi)存條采用了SIMM(Single In-lineMemory Modules,單邊接觸內(nèi)存模組)接口,容量為30pin、256kb,必須是由8 片數(shù)據(jù)位和1 片校驗(yàn)位組成1 個(gè)bank,正因如此,我們見到的30pin SIMM一般是四條一起使用。自1982年P(guān)C進(jìn)入民用市場一直到現(xiàn)在,搭配80286處理器的30pin SIMM 內(nèi)存是內(nèi)存領(lǐng)域的開山鼻祖。 隨后,在1988 ~1990 年當(dāng)中,PC 技術(shù)迎來另一個(gè)發(fā)展高峰,也就是386和486時(shí)代,此時(shí)CPU 已經(jīng)向16bit 發(fā)展,所以30pin SIMM 內(nèi)存再也無法滿足需求,其較低的內(nèi)存帶寬已經(jīng)成為急待解決的瓶頸,所以此時(shí)72pin SIMM 內(nèi)存出現(xiàn)了,72pin SIMM支持32bit快速頁模式內(nèi)存,內(nèi)存帶寬得以大幅度提升。72pin SIMM內(nèi)存單條容量一般為512KB ~2MB,而且僅要求兩條同時(shí)使用,由于其與30pin SIMM 內(nèi)存無法兼容,因此這個(gè)時(shí)候PC業(yè)界毅然將30pin SIMM 內(nèi)存淘汰出局了。 EDO DRAM(Extended Date Out RAM,外擴(kuò)充數(shù)據(jù)模式存儲(chǔ)器)內(nèi)存,這是1991 年到1995 年之間盛行的內(nèi)存條,EDO-RAM同F(xiàn)P DRAM極其相似,它取消了擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存與傳輸內(nèi)存兩個(gè)存儲(chǔ)周期之間的時(shí)間間隔,在把數(shù)據(jù)發(fā)送給CPU的同時(shí)去訪問下一個(gè)頁面,故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作電壓為一般為5V,帶寬32bit,速度在40ns以上,其主要應(yīng)用在當(dāng)時(shí)的486及早期的Pentium電腦上。 在1991 年到1995 年中,讓我們看到一個(gè)尷尬的情況,那就是這幾年內(nèi)存技術(shù)發(fā)展比較緩慢,幾乎停滯不前,所以我們看到此時(shí)EDO RAM有72 pin和168 pin并存的情況,事實(shí)上EDO 內(nèi)存也屬于72pin SIMM 內(nèi)存的范疇,不過它采用了全新的尋址方式。EDO 在成本和容量上有所突破,憑借著制作工藝的飛速發(fā)展,此時(shí)單條EDO 內(nèi)存的容量已經(jīng)達(dá)到4 ~16MB 。由于Pentium及更高級別的CPU數(shù)據(jù)總線寬度都是64bit甚至更高,所以EDO RAM與FPM RAM都必須成對使用。 SDRAM時(shí)代 自Intel Celeron系列以及AMD K6處理器以及相關(guān)的主板芯片組推出后,EDO DRAM內(nèi)存性能再也無法滿足需要了,內(nèi)存技術(shù)必須徹底得到個(gè)革新才能滿足新一代CPU架構(gòu)的需求,此時(shí)內(nèi)存開始進(jìn)入比較經(jīng)典的SDRAM時(shí)代。 第一代SDRAM 內(nèi)存為PC66 規(guī)范,但很快由于Intel 和AMD的頻率之爭將CPU外頻提升到了100MHz,所以PC66內(nèi)存很快就被PC100內(nèi)存取代,接著133MHz 外頻的PIII以及K7時(shí)代的來臨,PC133規(guī)范也以相同的方式進(jìn)一步提升SDRAM 的整體性能,帶寬提高到1GB/sec以上。由于SDRAM 的帶寬為64bit,正好對應(yīng)CPU 的64bit 數(shù)據(jù)總線寬度,因此它只需要一條內(nèi)存便可工作,便捷性進(jìn)一步提高。在性能方面,由于其輸入輸出信號(hào)保持與系統(tǒng)外頻同步,因此速度明顯超越EDO 內(nèi)存。 不可否認(rèn)的是,SDRAM 內(nèi)存由早期的66MHz,發(fā)展后來的100MHz、133MHz,盡管沒能徹底解決內(nèi)存帶寬的瓶頸問題,但此時(shí)CPU超頻已經(jīng)成為DIY用戶永恒的話題,所以不少用戶將品牌好的PC100品牌內(nèi)存超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功,值得一提的是,為了方便一些超頻用戶需求,市場上出現(xiàn)了一些PC150、PC166規(guī)范的內(nèi)存。 盡管SDRAM PC133內(nèi)存的帶寬可提高帶寬到1064MB/S,加上Intel已經(jīng)開始著手最新的Pentium 4計(jì)劃,所以SDRAM PC133內(nèi)存不能滿足日后的發(fā)展需求,此時(shí),Intel為了達(dá)到獨(dú)占市場的目的,與Rambus聯(lián)合在PC市場推廣Rambus DRAM內(nèi)存(稱為RDRAM內(nèi)存)。與SDRAM不同的是,其采用了新一代高速簡單內(nèi)存架構(gòu),基于一種類RISC(Reduced Instruction Set Computing,精簡指令集計(jì)算機(jī))理論,這個(gè)理論可以減少數(shù)據(jù)的復(fù)雜性,使得整個(gè)系統(tǒng)性能得到提高。 在AMD與Intel的競爭中,這個(gè)時(shí)候是屬于頻率競備時(shí)代,所以這個(gè)時(shí)候CPU的主頻在不斷提升,Intel為了蓋過AMD,推出高頻PentiumⅢ以及Pentium 4 處理器,因此Rambus DRAM內(nèi)存是被Intel看著是未來自己的競爭殺手锏,Rambus DRAM內(nèi)存以高時(shí)鐘頻率來簡化每個(gè)時(shí)鐘周期的數(shù)據(jù)量,因此內(nèi)存帶寬相當(dāng)出色,如PC 1066 1066 MHz 32 bits帶寬可達(dá)到4.2G Byte/sec,Rambus DRAM曾一度被認(rèn)為是Pentium 4 的絕配。 盡管如此,Rambus RDRAM 內(nèi)存生不逢時(shí),后來依然要被更高速度的DDR“掠奪”其寶座地位,在當(dāng)時(shí),PC600、PC700的Rambus RDRAM 內(nèi)存因出現(xiàn)Intel820 芯片組“失誤事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本過高而讓Pentium 4平臺(tái)高高在上,無法獲得大眾用戶擁戴,種種問題讓Rambus RDRAM胎死腹中,Rambus曾希望具有更高頻率的PC1066 規(guī)范RDRAM來力挽狂瀾,但最終也是拜倒在DDR 內(nèi)存面前。 DDR時(shí)代 DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)簡稱DDR,也就是“雙倍速率SDRAM“的意思。DDR可以說是SDRAM的升級版本, DDR在時(shí)鐘信號(hào)上升沿與下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù),這使得DDR的數(shù)據(jù)傳輸速度為傳統(tǒng)SDRAM的兩倍。由于僅多采用了下降緣信號(hào),因此并不會(huì)造成能耗增加。至于定址與控制信號(hào)則與傳統(tǒng)SDRAM相同,僅在時(shí)鐘上升緣傳輸。 DDR 內(nèi)存是作為一種在性能與成本之間折中的解決方案,其目的是迅速建立起牢固的市場空間,繼而一步步在頻率上高歌猛進(jìn),最終彌補(bǔ)內(nèi)存帶寬上的不足。第一代DDR200 規(guī)范并沒有得到普及,第二代PC266 DDR SRAM(133MHz時(shí)鐘×2倍數(shù)據(jù)傳輸=266MHz帶寬)是由PC133 SDRAM內(nèi)存所衍生出的,它將DDR 內(nèi)存帶向第一個(gè)高潮,目前還有不少賽揚(yáng)和AMD K7處理器都在采用DDR266規(guī)格的內(nèi)存,其后來的DDR333內(nèi)存也屬于一種過度,而DDR400內(nèi)存成為目前的主流平臺(tái)選配,雙通道DDR400內(nèi)存已經(jīng)成為800FSB處理器搭配的基本標(biāo)準(zhǔn),隨后的DDR533 規(guī)范則成為超頻用戶的選擇對象。 DDR2時(shí)代 隨著CPU 性能不斷提高,我們對內(nèi)存性能的要求也逐步升級。不可否認(rèn),緊緊依高頻率提升帶寬的DDR遲早會(huì)力不從心,因此JEDEC 組織很早就開始醞釀DDR2 標(biāo)準(zhǔn),加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平臺(tái)開始對DDR2內(nèi)存的支持,所以DDR2內(nèi)存將開始演義內(nèi)存領(lǐng)域的今天。 DDR2 能夠在100MHz 的發(fā)信頻率基礎(chǔ)上提供每插腳最少400MB/s 的帶寬,而且其接口將運(yùn)行于1.8V 電壓上,從而進(jìn)一步降低發(fā)熱量,以便提高頻率。此外,DDR2 將融入CAS、OCD、ODT 等新性能指標(biāo)和中斷指令,提升內(nèi)存帶寬的利用率。從JEDEC組織者闡述的DDR2標(biāo)準(zhǔn)來看,針對PC等市場的DDR2內(nèi)存將擁有400、533、667MHz等不同的時(shí)鐘頻率。高端的DDR2內(nèi)存將擁有800、1000MHz兩種頻率。DDR-II內(nèi)存將采用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR2內(nèi)存將采用0.13微米的生產(chǎn)工藝,內(nèi)存顆粒的電壓為1.8V,容量密度為512MB。 內(nèi)存技術(shù)在2005年將會(huì)毫無懸念,SDRAM為代表的靜態(tài)內(nèi)存在五年內(nèi)不會(huì)普及。QBM與RDRAM內(nèi)存也難以挽回頹勢,因此DDR與DDR2共存時(shí)代將是鐵定的事實(shí)。 PC-100的“接班人”除了PC一133以外,VCM(VirXual Channel Memory)也是很重 要的一員。VCM即“虛擬通道存儲(chǔ)器”,這也是目前大多數(shù)較新的芯片組支持的一種內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),VCM內(nèi)存主要根據(jù)由NEC公司開發(fā)的一種“緩存式DRAM”技術(shù)制造而成,它集成了“通道緩存”,由高速寄存器進(jìn)行配置和控制。在實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐瑫r(shí),VCM還維持著對傳統(tǒng)SDRAM的高度兼容性,所以通常也把VCM內(nèi)存稱為VCM SDRAM。VCM與SDRAM的差別在于不論是否經(jīng)過CPU處理的數(shù)據(jù),都可先交于VCM進(jìn)行處理,而普通的SDRAM就只能處理經(jīng)CPU處理以后的數(shù)據(jù),所以VCM要比SDRAM處理數(shù)據(jù)的速度快20%以上。目前可以支持VCM SDRAM的芯片組很多,包括:Intel的815E、VIA的694X等。 3.RDRAM Intel在推出:PC-100后,由于技術(shù)的發(fā)展,PC-100內(nèi)存的800MB/s帶寬已經(jīng)不能滿足需求,而PC-133的帶寬提高并不大(1064MB/s),同樣不能滿足日后的發(fā)展需求。Intel為了達(dá)到獨(dú)占市場的目的,與Rambus公司聯(lián)合在PC市場推廣Rambus DRAM(DirectRambus DRAM),如圖4-3所示。 Rambus DRAM是:Rambus公司最早提出的一種內(nèi)存規(guī)格,采用了新一代高速簡單內(nèi)存架構(gòu),基于一種RISC(Reduced Instruction Set Computing,精簡指令集計(jì)算機(jī))理論,從而可以減少數(shù)據(jù)的復(fù)雜性,使得整個(gè)系統(tǒng)性能得到提高。Rambus使用400MHz的16bit總線,在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi),可以在上升沿和下降沿的同時(shí)傳輸數(shù)據(jù),這樣它的實(shí)際速度就為400MHz×2=800MHz,理論帶寬為(16bit×2×400MHz/8)1.6GB/s,相當(dāng)于PC-100的兩倍。另外,Rambus也可以儲(chǔ)存9bit字節(jié),額外的一比特是屬于保留比特,可能以后會(huì)作為:ECC(ErroI·Checking and Correction,錯(cuò)誤檢查修正)校驗(yàn)位。Rambus的時(shí)鐘可以高達(dá)400MHz,而且僅使用了30條銅線連接內(nèi)存控制器和RIMM(Rambus In-line MemoryModules,Rambus內(nèi)嵌式內(nèi)存模塊),減少銅線的長度和數(shù)量就可以降低數(shù)據(jù)傳輸中的電磁干擾,從而快速地提高內(nèi)存的工作頻率。不過在高頻率下,其發(fā)出的熱量肯定會(huì)增加,因此第一款Rambus內(nèi)存甚至需要自帶散熱風(fēng)扇。 DDR3時(shí)代 DDR3相比起DDR2有更高的工作電壓, 從DDR2的1.8V降落到1.5V,性能更好更為省電;DDR2的4bit預(yù)讀升級為8bit預(yù)讀。DDR3目前最高能夠1600Mhz的速度,由于目前最為快速的DDR2內(nèi)存速度已經(jīng)提升到800Mhz/1066Mhz的速度,因而首批DDR3內(nèi)存模組將會(huì)從1333Mhz的起跳。在Computex大展我們看到多個(gè)內(nèi)存廠商展出1333Mhz的DDR3模組。 DDR3在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計(jì): 1.8bit預(yù)取設(shè)計(jì),而DDR2為4bit預(yù)取,這樣DRAM內(nèi)核的頻率只有接口頻率的1/8,DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。 2.采用點(diǎn)對點(diǎn)的拓樸架構(gòu),以減輕地址/命令與控制總線的負(fù)擔(dān)。 3.采用100nm以下的生產(chǎn)工藝,將工作電壓從1.8V降至1.5V,增加異步重置(Reset)與ZQ校準(zhǔn)功能。 六、內(nèi)存條種類之間的區(qū)別 DDR2與DDR的區(qū)別 與DDR相比,DDR2最主要的改進(jìn)是在內(nèi)存模塊速度相同的情況下,可以提供相當(dāng)于DDR內(nèi)存兩倍的帶寬。這主要是通過在每個(gè)設(shè)備上高效率使用兩個(gè)DRAM核心來實(shí)現(xiàn)的。作為對比,在每個(gè)設(shè)備上DDR內(nèi)存只能夠使用一個(gè)DRAM核心。技術(shù)上講,DDR2內(nèi)存上仍然只有一個(gè)DRAM核心,但是它可以并行存取,在每次存取中處理4個(gè)數(shù)據(jù)而不是兩個(gè)數(shù)據(jù)。 與雙倍速運(yùn)行的數(shù)據(jù)緩沖相結(jié)合,DDR2內(nèi)存實(shí)現(xiàn)了在每個(gè)時(shí)鐘周期處理多達(dá)4bit的數(shù)據(jù),比傳統(tǒng)DDR內(nèi)存可以處理的2bit數(shù)據(jù)高了一倍。DDR2內(nèi)存另一個(gè)改進(jìn)之處在于,它采用FBGA封裝方式替代了傳統(tǒng)的TSOP方式。 然而,盡管DDR2內(nèi)存采用的DRAM核心速度和DDR的一樣,但是我們?nèi)匀灰褂眯轮靼宀拍艽钆銬DR2內(nèi)存,因?yàn)镈DR2的物理規(guī)格和DDR是不兼容的。首先是接口不一樣,DDR2的針腳數(shù)量為240針,而DDR內(nèi)存為184針;其次,DDR2內(nèi)存的VDIMM電壓為1.8V,也和DDR內(nèi)存的2.5V不同。 DDR2的定義: DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì))進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是,雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑獶DR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力(即:4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)。。換句話說,DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù),并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。 此外,由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式,而不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝形式,F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性,為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ);叵肫餌DR的發(fā)展歷程,從第一代應(yīng)用到個(gè)人電腦的DDR200經(jīng)過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術(shù),第一代DDR的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限,已經(jīng)很難通過常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工作速度;隨著Intel最新處理器技術(shù)的發(fā)展,前端總線對內(nèi)存帶寬的要求是越來越高,擁有更高更穩(wěn)定運(yùn)行頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢所趨。 DDR2與DDR的區(qū)別: 在了解DDR2內(nèi)存諸多新技術(shù)前,先讓我們看一組DDR和DDR2技術(shù)對比的數(shù)據(jù)。 1、延遲問題: 從上表可以看出,在同等核心頻率下,DDR2的實(shí)際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2內(nèi)存擁有兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的4BIT預(yù)讀取能力。換句話說,雖然DDR2和DDR一樣,都采用了在時(shí)鐘的上升延和下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑獶DR2擁有兩倍于DDR的預(yù)讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力。也就是說,在同樣100MHz的工作頻率下,DDR的實(shí)際頻率為200MHz,而DDR2則可以達(dá)到400MHz。 這樣也就出現(xiàn)了另一個(gè)問題:在同等工作頻率的DDR和DDR2內(nèi)存中,后者的內(nèi)存延時(shí)要慢于前者。舉例來說,DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲,而后者具有高一倍的帶寬。實(shí)際上,DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬,它們都是3.2GB/s,但是DDR400的核心工作頻率是200MHz,而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz,也就是說DDR2-400的延遲要高于DDR400。 2、封裝和發(fā)熱量: DDR2內(nèi)存技術(shù)最大的突破點(diǎn)其實(shí)不在于用戶們所認(rèn)為的兩倍于DDR的傳輸能力,而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下,DDR2可以獲得更快的頻率提升,突破標(biāo)準(zhǔn)DDR的400MHZ限制。 DDR內(nèi)存通常采用TSOP芯片封裝形式,這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上,當(dāng)頻率更高時(shí),它過長的管腳就會(huì)產(chǎn)生很高的阻抗和寄生電容,這會(huì)影響它的穩(wěn)定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式。不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP封裝形式,F(xiàn)BGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性,為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了良好的保障。 DDR2內(nèi)存采用1.8V電壓,相對于DDR標(biāo)準(zhǔn)的2.5V,降低了不少,從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發(fā)熱量,這一點(diǎn)的變化是意義重大的。 DDR2采用的新技術(shù): 除了以上所說的區(qū)別外,DDR2還引入了三項(xiàng)新的技術(shù),它們是OCD、ODT和Post CAS。 OCD(Off-Chip Driver):也就是所謂的離線驅(qū)動(dòng)調(diào)整,DDR II通過OCD可以提高信號(hào)的完整性。DDR II通過調(diào)整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號(hào)的完整性;通過控制電壓來提高信號(hào)品質(zhì)。 ODT:ODT是內(nèi)建核心的終結(jié)電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數(shù)據(jù)線終端反射信號(hào)需要大量的終結(jié)電阻。它大大增加了主板的制造成本。實(shí)際上,不同的內(nèi)存模組對終結(jié)電路的要求是不一樣的,終結(jié)電阻的大小決定了數(shù)據(jù)線的信號(hào)比和反射率,終結(jié)電阻小則數(shù)據(jù)線信號(hào)反射低但是信噪比也較低;終結(jié)電阻高,則數(shù)據(jù)線的信噪比高,但是信號(hào)反射也會(huì)增加。因此主板上的終結(jié)電阻并不能非常好的匹配內(nèi)存模組,還會(huì)在一定程度上影響信號(hào)品質(zhì)。DDR2可以根據(jù)自己的特點(diǎn)內(nèi)建合適的終結(jié)電阻,這樣可以保證最佳的信號(hào)波形。使用DDR2不但可以降低主板成本,還得到了最佳的信號(hào)品質(zhì),這是DDR不能比擬的。 Post CAS:它是為了提高DDR II內(nèi)存的利用效率而設(shè)定的。在Post CAS操作中,CAS信號(hào)(讀寫/命令)能夠被插到RAS信號(hào)后面的一個(gè)時(shí)鐘周期,CAS命令可以在附加延遲(Additive Latency)后面保持有效。原來的tRCD(RAS到CAS和延遲)被AL(Additive Latency)所取代,AL可以在0,1,2,3,4中進(jìn)行設(shè)置。由于CAS信號(hào)放在了RAS信號(hào)后面一個(gè)時(shí)鐘周期,因此ACT和CAS信號(hào)永遠(yuǎn)也不會(huì)產(chǎn)生碰撞沖突。 總的來說,DDR2采用了諸多的新技術(shù),改善了DDR的諸多不足,雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足,但相信隨著技術(shù)的不斷提高和完善,這些問題終將得到解決。 DDR3與DDR2幾個(gè)主要的不同之處 : 1.突發(fā)長度(Burst Length,BL) 由于DDR3的預(yù)取為8bit,所以突發(fā)傳輸周期(Burst Length,BL)也固定為8,而對于DDR2和早期的DDR架構(gòu)系統(tǒng),BL=4也是常用的,DDR3為此增加了一個(gè)4bit Burst Chop(突發(fā)突變)模式,即由一個(gè)BL=4的讀取操作加上一個(gè)BL=4的寫入操作來合成一個(gè)BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸,屆時(shí)可通過A12地址線來控制這一突發(fā)模式。而且需要指出的是,任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內(nèi)存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制(如4bit順序突發(fā))。 2.尋址時(shí)序(Timing) 就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來后延遲周期數(shù)增加一樣,DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2~5之間,而DDR3則在5~11之間,且附加延遲(AL)的設(shè)計(jì)也有所變化。DDR2時(shí)AL的范圍是0~4,而DDR3時(shí)AL有三種選項(xiàng),分別是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3還新增加了一個(gè)時(shí)序參數(shù)——寫入延遲(CWD),這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。 3.DDR3新增的重置(Reset)功能 重置是DDR3新增的一項(xiàng)重要功能,并為此專門準(zhǔn)備了一個(gè)引腳。DRAM業(yè)界很早以前就要求增加這一功能,如今終于在DDR3上實(shí)現(xiàn)了。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當(dāng)Reset命令有效時(shí),DDR3內(nèi)存將停止所有操作,并切換至最少量活動(dòng)狀態(tài),以節(jié)約電力。 在Reset期間,DDR3內(nèi)存將關(guān)閉內(nèi)在的大部分功能,所有數(shù)據(jù)接收與發(fā)送器都將關(guān)閉,所有內(nèi)部的程序裝置將復(fù)位,DLL(延遲鎖相環(huán)路)與時(shí)鐘電路將停止工作,而且不理睬數(shù)據(jù)總線上的任何動(dòng)靜。這樣一來,將使DDR3達(dá)到最節(jié)省電力的目的。 4.DDR3新增ZQ校準(zhǔn)功能 ZQ也是一個(gè)新增的腳,在這個(gè)引腳上接有一個(gè)240歐姆的低公差參考電阻。這個(gè)引腳通過一個(gè)命令集,通過片上校準(zhǔn)引擎(On-Die Calibration Engine,ODCE)來自動(dòng)校驗(yàn)數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通電阻與ODT的終結(jié)電阻值。當(dāng)系統(tǒng)發(fā)出這一指令后,將用相應(yīng)的時(shí)鐘周期(在加電與初始化之后用512個(gè)時(shí)鐘周期,在退出自刷新操作后用256個(gè)時(shí)鐘周期、在其他情況下用64個(gè)時(shí)鐘周期)對導(dǎo)通電阻和ODT電阻進(jìn)行重新校準(zhǔn)。 5.參考電壓分成兩個(gè) 在DDR3系統(tǒng)中,對于內(nèi)存系統(tǒng)工作非常重要的參考電壓信號(hào)VREF將分為兩個(gè)信號(hào),即為命令與地址信號(hào)服務(wù)的VREFCA和為數(shù)據(jù)總線服務(wù)的VREFDQ,這將有效地提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪等級。 6.點(diǎn)對點(diǎn)連接(Point-to-Point,P2P) 這是為了提高系統(tǒng)性能而進(jìn)行的重要改動(dòng),也是DDR3與DDR2的一個(gè)關(guān)鍵區(qū)別。在DDR3系統(tǒng)中,一個(gè)內(nèi)存控制器只與一個(gè)內(nèi)存通道打交道,而且這個(gè)內(nèi)存通道只能有一個(gè)插槽,因此,內(nèi)存控制器與DDR3內(nèi)存模組之間是點(diǎn)對點(diǎn)(P2P)的關(guān)系(單物理Bank的模組),或者是點(diǎn)對雙點(diǎn)(Point-to-two-Point,P22P)的關(guān)系(雙物理Bank的模組),從而大大地減輕了地址/命令/控制與數(shù)據(jù)總線的負(fù)載。而在內(nèi)存模組方面,與DDR2的類別相類似,也有標(biāo)準(zhǔn)DIMM(臺(tái)式PC)、SO-DIMM/Micro-DIMM(筆記本電腦)、FB-DIMM2(服務(wù)器)之分,其中第二代FB-DIMM將采用規(guī)格更高的AMB2(高級內(nèi)存緩沖器)。 面向64位構(gòu)架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優(yōu)勢,此外,由于DDR3所采用的根據(jù)溫度自動(dòng)自刷新、局部自刷新等其它一些功能,在功耗方面DDR3也要出色得多,因此,它可能首先受到移動(dòng)設(shè)備的歡迎,就像最先迎接DDR2內(nèi)存的不是臺(tái)式機(jī)而是服務(wù)器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC臺(tái)式機(jī)領(lǐng)域,DDR3未來也是一片光明。目前Intel預(yù)計(jì)在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake),其將支持DDR3規(guī)格,而AMD也預(yù)計(jì)同時(shí)在K9平臺(tái)上支持DDR2及DDR3兩種規(guī)格。 內(nèi)存異步工作模式包含多種意義,在廣義上凡是內(nèi)存工作頻率與CPU的外頻不一致時(shí)都可以稱為內(nèi)存異步工作模式。首先,最早的內(nèi)存異步工作模式出現(xiàn)在早期的主板芯片組中,可以使內(nèi)存工作在比CPU外頻高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是簡單相差33MHz),從而可以提高系統(tǒng)內(nèi)存性能或者使老內(nèi)存繼續(xù)發(fā)揮余熱。其次,在正常的工作模式(CPU不超頻)下,目前不少主板芯片組也支持內(nèi)存異步工作模式,例如Intel 910GL芯片組,僅僅只支持533MHz FSB即133MHz的CPU外頻,但卻可以搭配工作頻率為133MHz的DDR 266、工作頻率為166MHz的DDR 333和工作頻率為200MHz的DDR 400正常工作(注意此時(shí)其CPU外頻133MHz與DDR 400的工作頻率200MHz已經(jīng)相差66MHz了),只不過搭配不同的內(nèi)存其性能有差異罷了。再次,在CPU超頻的情況下,為了不使內(nèi)存拖CPU超頻能力的后腿,此時(shí)可以調(diào)低內(nèi)存的工作頻率以便于超頻,例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超頻,不少產(chǎn)品的外頻都可以輕松超上300MHz,而此如果在內(nèi)存同步的工作模式下,此時(shí)內(nèi)存的等效頻率將高達(dá)DDR 600,這顯然是不可能的,為了順利超上300MHz外頻,我們可以在超頻前在主板BIOS中把內(nèi)存設(shè)置為DDR 333或DDR 266,在超上300MHz外頻之后,前者也不過才DDR 500(某些極品內(nèi)存可以達(dá)到),而后者更是只有DDR 400(完全是正常的標(biāo)準(zhǔn)頻率),由此可見,正確設(shè)置內(nèi)存異步模式有助于超頻成功。 目前的主板芯片組幾乎都支持內(nèi)存異步,英特爾公司從810系列到目前較新的875系列都支持,而威盛公司則從693芯片組以后全部都提供了此功能。 七、內(nèi)存條品牌的選購 現(xiàn)在常見的內(nèi)存條品牌有以下幾種,這里主要給大家參考 現(xiàn)代(HY) 個(gè)人認(rèn)為,原廠現(xiàn)代和三星內(nèi)存是目前兼容性和穩(wěn)定性最好的內(nèi)存條,其比許多廣告吹得生猛的內(nèi)存條要來得實(shí)在得多,此外,現(xiàn)代"Hynix(更專業(yè)的稱呼是海力士半導(dǎo)體Hynix Semiconductor Inc.)"的D43等顆粒也是目前很多高頻內(nèi)存所普遍采用的內(nèi)存芯片。目前,市場上超值的現(xiàn)代高頻條有現(xiàn)代原廠DDR500內(nèi)存,采用了TSOP封裝的HY5DU56822CT-D5內(nèi)存芯片,其性價(jià)比很不錯(cuò)。 金士頓(Kingston) 作為世界第一大內(nèi)存生產(chǎn)廠商的Kingston,其金士頓內(nèi)存產(chǎn)品在進(jìn)入中國市場以來,就憑借優(yōu)秀的產(chǎn)品質(zhì)量和一流的售后服務(wù),贏得了眾多中國消費(fèi)者的心。 不過Kingston雖然作為世界第一大內(nèi)存生產(chǎn)廠商,然而Kingston品牌的內(nèi)存產(chǎn)品,其使用的內(nèi)存顆粒確是五花八門,既有Kingston自己顆粒的產(chǎn)品,更多的則是現(xiàn)代(Hynix)、三星(Samsung)、南亞(Nanya)、華邦(Winbond)、英飛凌(Infinoen)、美光(Micron)等等眾多廠商的內(nèi)存顆粒。 Kingston的高頻內(nèi)存有采用"Hynix"D43顆粒和Winbond的內(nèi)存顆粒的金士頓DDR400、DDR433-DDR500內(nèi)存等,其分屬ValueRam系列(經(jīng)濟(jì)型)和HyperX系列。 Kingston的ValueRam系列,價(jià)格與普通的DDR400一樣,但其可以超頻到DDR500使用。而Kingston的HyperX系列其超頻性也不錯(cuò),Kingston 500MHz的HyperX超頻內(nèi)存(HyperX PC4000)有容量256MB、512MB單片包裝與容量512MB與1GB雙片的包裝上市,其電壓為2.6伏特,采用鋁制散熱片加強(qiáng)散熱,使用三星K4H560838E-TCCC芯片,在DDR400下的CAS值為2.5,DDR500下的CAS值為3,所以性能也一般。 利屏 利屏是進(jìn)來新近崛起的一個(gè)內(nèi)存新秀。利屏科技(深圳)有限公司總部設(shè)在美國西部風(fēng)景如畫的世界高科技重鎮(zhèn)舊金山。公司致力于研發(fā)、生產(chǎn)和銷售利屏LPT極限高端內(nèi)存條產(chǎn)品。公司擁有一支技術(shù)過硬的產(chǎn)品研發(fā)團(tuán)隊(duì)和足跡遍及中、外的專業(yè)銷售隊(duì)伍。產(chǎn)品深受廣大游戲玩家和超頻愛好者的喜愛。同時(shí)被冠以“超頻之神”的美譽(yù)。 “利屏”眼鏡蛇DDR400系列內(nèi)存也是專門為追求性能的玩家所設(shè)計(jì),它采用的也是D43的顆粒,但是時(shí)序更高,為了加強(qiáng)散熱更是加上了金屬散熱片,其超頻能力相當(dāng)強(qiáng)勁,在加0.1V左右的電壓下可以超頻到DDR520。而利屏的DDR466內(nèi)存,它采用的是編號(hào)為K4H560838E-TCCC的三星顆粒,運(yùn)行在DDR466的時(shí)候內(nèi)存時(shí)序?yàn)?-4-4-8,但其256MB容量接近500元的報(bào)價(jià)就顯得太高了。 而利屏的高端極限內(nèi)存DDR560,提供單片256MB和512MB包裝,同時(shí)雙片裝的512MB和1024MB支持雙通道架構(gòu),每條內(nèi)存的表面均有銅質(zhì)散熱片進(jìn)行散熱及確保運(yùn)行的穩(wěn)定性,其CAS值均為3,只能說剛好能用而已。 勤茂(TwinMOS) 勤茂(TwinMOS)CAS為2的DDR433內(nèi)存,采用CSP技術(shù)封裝—這款,勤茂DDR433內(nèi)存的CAS Latency控制在2,Burst Length控制在2、4、8,性能指數(shù)不錯(cuò)。此外,內(nèi)存外面包裹著金黃色內(nèi)存罩,能起到散熱和屏蔽的作用,內(nèi)存顆粒與散熱片之間則填充了導(dǎo)熱的墊片。價(jià)格在350元左右,其可超性也不含糊,性價(jià)比不錯(cuò)。 勝創(chuàng)(Kingmax) 成立于1989年的勝創(chuàng)科技有限公司是一家名列中國臺(tái)灣省前200強(qiáng)的生產(chǎn)企業(yè)(Commonwealth Magazine,May 2000),同時(shí)也是內(nèi)存模組的引領(lǐng)生產(chǎn)廠商。 通過嚴(yán)格的質(zhì)量控制和完善的研發(fā)實(shí)力,勝創(chuàng)科技獲得了ISO-9001證書,同時(shí)和IT行業(yè)中最優(yōu)秀的企業(yè)建立了合作伙伴關(guān)系。公司以不斷創(chuàng)新的設(shè)計(jì)工藝和追求完美的信念生產(chǎn)出了高性能的尖端科技產(chǎn)品,不斷向移動(dòng)計(jì)算領(lǐng)域提供價(jià)廉物美的最出色的內(nèi)存模組。 在SDRAM時(shí)期,Kingmax就曾成功的建造了PC150帝國,開啟了內(nèi)存產(chǎn)品的高速時(shí)代,也奠定了Kingmax在內(nèi)存領(lǐng)域領(lǐng)先的地位。而今DDR來了,從266到300,再到現(xiàn)在的500,Kingmax始終保持著領(lǐng)先的位置,繼續(xù)引領(lǐng)著內(nèi)存發(fā)展的方向。說到KingMax內(nèi)存,就不能不說到它獨(dú)特的 “TinyBGA”封裝技術(shù)專利——作為全球領(lǐng)先的DRAM生產(chǎn)廠商,勝創(chuàng)科技在1997年宣布了第一款基于TinyBGA封裝技術(shù)的內(nèi)存模組,這項(xiàng)屢獲殊榮的封裝技術(shù)能以同樣的體積大小封裝3倍于普通技術(shù)所達(dá)到的內(nèi)存容量。同時(shí),勝創(chuàng)科技還研制了為高端服務(wù)器和工作站應(yīng)用設(shè)計(jì)的1GB StackBGA模組、為DDR應(yīng)用設(shè)計(jì)的FBGA模組以及為Rambus RIMM應(yīng)用設(shè)計(jì)的速度高達(dá)1.6GB/秒的flip-chip BGA/DCA模組。 Kingmax勝創(chuàng)推出的低價(jià)版的DDR433內(nèi)存產(chǎn)品,該產(chǎn)品采用傳統(tǒng)的TSOP封裝內(nèi)存芯片,工作頻率433MHz。Kingmax推出的這個(gè)SuperRam PC3500系列的售價(jià)和PC3200處于同一檔次,這為那些熱衷超頻又手頭不寬裕的用戶提供了一個(gè)不錯(cuò)的選擇。此外,Kingmax也推出了CL-3的DDR500內(nèi)存產(chǎn)品,其性能和其它廠家的同類產(chǎn)品大同小異。 海盜旗(Corsair) Corsair(海盜旗)是一家較有特點(diǎn)的內(nèi)存品牌,其內(nèi)存條都包裹著一層黑色金屬外殼,這層金屬殼緊貼在內(nèi)存顆粒上,一方面可以屏蔽其他的電磁干擾。其代表產(chǎn)品如Corsair TwinX PC3200(CMX512-3200XL)內(nèi)存,其在DDR400下,可以穩(wěn)定運(yùn)行在CL2-2-2-5-T1下,將潛伏期和尋址時(shí)間縮短為原來的一半,這款內(nèi)存并不比一些DDR500產(chǎn)品差,而且Corsair為這種內(nèi)存提供終身保修。 而Corsair DDR500內(nèi)存采用Hynix芯片,這款XMS4000能穩(wěn)定運(yùn)行在DDR500,并且可以超頻到DDR530,在DDR500下其CAS值為2.5,性能還算不錯(cuò)。 宇瞻(Apacer) 在內(nèi)存市場,Apacer一直以來都有著較好的聲譽(yù),其SDRAM時(shí)代的WBGA封裝也響徹一時(shí),在DDR內(nèi)存上也樹立了良好形象。宇瞻科技隸屬宏基集團(tuán),實(shí)力非常雄厚。初期專注于內(nèi)存模組行銷,并已經(jīng)成為全球前四大內(nèi)存模組供應(yīng)商之一。據(jù)權(quán)威人士透露,在國際上,宇瞻的品牌知名度以及產(chǎn)品銷量與目在前國內(nèi)排名第一的品牌持平甚至超過,之所以在國內(nèi)目前沒有坐到龍頭位置,是因?yàn)橛钫皩τ谄放菩麄饕恢北容^低調(diào),精力更多投入到產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)而不是品牌推廣當(dāng)中。 最近,宇瞻相應(yīng)推出的"宇瞻金牌內(nèi)存"系列。宇瞻金牌內(nèi)存產(chǎn)品線特別為追求高穩(wěn)定性、高兼容性的內(nèi)存用戶而設(shè)計(jì)。宇瞻金牌內(nèi)存堅(jiān)持使用100%原廠測試顆粒(決不使用OEM顆粒)是基于現(xiàn)有最新的DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)而成,經(jīng)過ISO 9002認(rèn)證之工廠完整流程生產(chǎn)制造。采用20微米金手指高品質(zhì)6層PCB板,每條內(nèi)存都覆蓋有美觀精質(zhì)的黃金色金屬銘牌,而且通過了最高端的Advantest測試系統(tǒng)檢測后,采用高速SMT機(jī)臺(tái)打造,經(jīng)過高低壓、高低溫、長時(shí)間的密封式空間嚴(yán)苛測試,并經(jīng)過全球知名系統(tǒng)及主板大廠完全兼容性測試,品質(zhì)與兼容性都得到最大限度的保證。 宇瞻的DDR500內(nèi)存(PC4000內(nèi)存)采用金黃色的散熱片和綠色的PCB板搭配。金屬散熱片的材質(zhì)相當(dāng)不錯(cuò),在手中有種沉甸甸的感覺,為了防止氧化,其表面被鍍成了金色。內(nèi)存顆粒方面,這款內(nèi)存采用了三星的內(nèi)存顆粒,具體型號(hào)為:K4H560838E-TCC5,為32Mx8規(guī)格DDR466@CL=3的TSOPII封裝顆粒,標(biāo)準(zhǔn)工作電壓2.6V+-0.1V,標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)行時(shí)序CL-tRCD-tRP為3-4-4。在DDR500下其CL值為3,性能將就。 金邦(Geil) 金邦科技股份有限公司是世界上專業(yè)的內(nèi)存模塊制造商之一。全球第一家也是唯一家以漢字注冊的內(nèi)存品牌,并以中文命名的產(chǎn)品"金邦金條"、"千禧條GL2000"迅速進(jìn)入國內(nèi)市場,在極短的時(shí)間內(nèi)達(dá)到行業(yè)銷量遙遙領(lǐng)先。第一支"量身訂做,終身保固"記憶體模組的內(nèi)存品牌,首推"量身訂做"系列產(chǎn)品,使計(jì)算機(jī)進(jìn)入最優(yōu)化狀態(tài)。在聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會(huì)JEDEC尚未通過DDR400標(biāo)準(zhǔn)的情況下,率先推出第一支"DDR400"并成功于美國上市。 金邦高性能、高品質(zhì)和高可靠性的內(nèi)存產(chǎn)品,引起業(yè)界和傳媒的廣泛關(guān)注。在過去幾年中,金邦內(nèi)存多次榮獲國內(nèi)權(quán)威雜志評為讀者首選品牌和編輯選擇獎(jiǎng),穩(wěn)奪國內(nèi)存儲(chǔ)器市場占有率三強(qiáng)。 金邦的Geil Platinum系列的DDR500內(nèi)存(PC4000),采用TSOPII封裝,使用了純銅內(nèi)存散熱片,可較妥善的解決內(nèi)存的散熱問題。采用六層低電磁干擾PCB板設(shè)計(jì);單條容量256MB,在內(nèi)存芯片上做了整體打磨并上打上了Geil的印記,"號(hào)稱"使用了4ns的內(nèi)存芯片,但仍可以看出其是采用Hynix的內(nèi)存顆粒。額定工作頻率可達(dá)500MHz,在內(nèi)存參數(shù)方面這是默認(rèn)為CL3,可達(dá)CL2.5。除此而外,其還有金條PC4200(DDR533)等款產(chǎn)品。 威剛(ADATA) 威剛的高頻內(nèi)存有DDR450、460、500等。Adata DDR500是一款價(jià)格適宜的DDR500產(chǎn)品,CAS值為3,其沒有使用散熱片,在芯片上的標(biāo)簽顯示了Adata ID號(hào)。 八.圖解內(nèi)存的分類和命名方法 內(nèi)存命名方法 內(nèi)存命名方法
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