內(nèi)存

百科解釋

目錄·內(nèi)存概述
·內(nèi)存概念
·內(nèi)存發(fā)展
·內(nèi)存區(qū)別
·內(nèi)存頻率
·內(nèi)存檢測(cè)
·內(nèi)存選購
·內(nèi)存品牌

內(nèi)存就是存儲(chǔ)程序以及數(shù)據(jù)的地方，比如當(dāng)我們?cè)谑褂肳PS處理文稿時(shí)，當(dāng)你在鍵盤上敲入字符時(shí)，它就被存入內(nèi)存中，當(dāng)你選擇存盤時(shí)，內(nèi)存中的數(shù)據(jù)才會(huì)被存入硬（磁）盤。在進(jìn)一步理解它之前，還應(yīng)認(rèn)識(shí)一下它的物理概念。

內(nèi)存一般采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元，包括隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM），只讀存儲(chǔ)器（ROM），以及高速緩存（CACHE）。只不過因?yàn)镽AM是其中最重要的存儲(chǔ)器。S（SYSNECRONOUS）DRAM 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器：SDRAM為168腳，這是目前PENTIUM及以上機(jī)型使用的內(nèi)存。SDRAM將CPU與RAM通過一個(gè)相同的時(shí)鐘鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個(gè)時(shí)鐘周期，以相同的速度同步工作，每一個(gè)時(shí)鐘脈沖的上升沿便開始傳遞數(shù)據(jù)，速度比EDO內(nèi)存提高50%。DDR（DOUBLE DATA RAGE）RAM ：SDRAM的更新?lián)Q代產(chǎn)品，他允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)，這樣不需要提高時(shí)鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。

只讀存儲(chǔ)器（ROM）
ROM表示只讀存儲(chǔ)器（Read Only Memory），在制造ROM的時(shí)候，信息（數(shù)據(jù)或程序）就被存入并永久保存。這些信息只能讀出，一般不能寫入，即使機(jī)器掉電，這些數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失。ROM一般用于存放計(jì)算機(jī)的基本程序和數(shù)據(jù)，如BIOS ROM。其物理外形一般是雙列直插式（DIP）的集成塊。

隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）
隨機(jī)存儲(chǔ)器（Random Access Memory）表示既可以從中讀取數(shù)據(jù)，也可以寫入數(shù)據(jù)。當(dāng)機(jī)器電源關(guān)閉時(shí)，存于其中的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。我們通常購買或升級(jí)的內(nèi)存條就是用作電腦的內(nèi)存，內(nèi)存條（SIMM）就是將RAM集成塊集中在一起的一小塊電路板，它插在計(jì)算機(jī)中的內(nèi)存插槽上，以減少RAM集成塊占用的空間。目前市場(chǎng)上常見的內(nèi)存條有256M／條、512M／條、1G／條等。

高速緩沖存儲(chǔ)器（Cache）
Cache也是我們經(jīng)常遇到的概念，它位于CPU與內(nèi)存之間，是一個(gè)讀寫速度比內(nèi)存更快的存儲(chǔ)器。當(dāng)CPU向內(nèi)存中寫入或讀出數(shù)據(jù)時(shí)，這個(gè)數(shù)據(jù)也被存儲(chǔ)進(jìn)高速緩沖存儲(chǔ)器中。當(dāng)CPU再次需要這些數(shù)據(jù)時(shí)，CPU就從高速緩沖存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)，而不是訪問較慢的內(nèi)存，當(dāng)然，如需要的數(shù)據(jù)在Cache中沒有，CPU會(huì)再去讀取內(nèi)存中的數(shù)據(jù)。

物理存儲(chǔ)器和地址空間
物理存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)地址空間是兩個(gè)不同的概念。但是由于這兩者有十分密切的關(guān)系，而且兩者都用B、KB、MB、GB來度量其容量大小，因此容易產(chǎn)生認(rèn)識(shí)上的混淆。初學(xué)者弄清這兩個(gè)不同的概念，有助于進(jìn)一步認(rèn)識(shí)內(nèi)存儲(chǔ)器和用好內(nèi)存儲(chǔ)器。

物理存儲(chǔ)器是指實(shí)際存在的具體存儲(chǔ)器芯片。如主板上裝插的內(nèi)存條和裝載有系統(tǒng)的BIOS的ROM芯片，顯示卡上的顯示RAM芯片和裝載顯示BIOS的ROM芯片，以及各種適配卡上的RAM芯片和ROM芯片都是物理存儲(chǔ)器。

存儲(chǔ)地址空間是指對(duì)存儲(chǔ)器編碼（編碼地址）的范圍。所謂編碼就是對(duì)每一個(gè)物理存儲(chǔ)單元（一個(gè)字節(jié)）分配一個(gè)號(hào)碼，通常叫作“編址”。分配一個(gè)號(hào)碼給一個(gè)存儲(chǔ)單元的目的是為了便于找到它，完成數(shù)據(jù)的讀寫，這就是所謂的“尋址”（所以，有人也把地址空間稱為尋址空間）。

地址空間的大小和物理存儲(chǔ)器的大小并不一定相等。舉個(gè)例子來說明這個(gè)問題：某層樓共有17個(gè)房間，其編號(hào)為801～817。這17個(gè)房間是物理的，而其地址空間采用了三位編碼，其范圍是800～899共100個(gè)地址，可見地址空間是大于實(shí)際房間數(shù)量的。

對(duì)于386以上檔次的微機(jī)，其地址總線為32位，因此地址空間可達(dá)2的23次方,即4GB。但實(shí)際上我們所配置的物理存儲(chǔ)器通常只有1MB、2MB、4MB、8MB、16MB、32MB等，遠(yuǎn)小于地址空間所允許的范圍。

好了，現(xiàn)在可以解釋為什么會(huì)產(chǎn)生諸如：常規(guī)內(nèi)存、保留內(nèi)存、上位內(nèi)存、高端內(nèi)存、擴(kuò)充內(nèi)存和擴(kuò)展內(nèi)存等不同內(nèi)存類型。

內(nèi)存概念

內(nèi)存發(fā)展

在計(jì)算機(jī)誕生初期并不存在內(nèi)存條的概念，最早的內(nèi)存是以磁芯的形式排列在線路上，每個(gè)磁芯與晶體管理組成的一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)電路作為一比特（BIT)的存儲(chǔ)器,每一比特都要有玉米粒大小，可以想象,一間的機(jī)房只能裝下不超過百k字節(jié)左右的容量。后來才出線現(xiàn)了焊接在主板上集成內(nèi)存芯片，以內(nèi)存芯片的形式為計(jì)算機(jī)的運(yùn)算提供直接支持。那時(shí)的內(nèi)存芯片容量都特別小，最常見的莫過于256K×1bit、1M×4bit，雖然如此，但這相對(duì)于那時(shí)的運(yùn)算任務(wù)來說卻已經(jīng)綽綽有余了。

內(nèi)存條的誕生

內(nèi)存芯片的狀態(tài)一直沿用到286初期，鑒于它存在著無法拆卸更換的弊病，這對(duì)于計(jì)算機(jī)的發(fā)展造成了現(xiàn)實(shí)的阻礙。有鑒于此，內(nèi)存條便應(yīng)運(yùn)而生了。將內(nèi)存芯片焊接到事先設(shè)計(jì)好的印刷線路板上，而電腦主板上也改用內(nèi)存插槽。這樣就把內(nèi)存難以安裝更換的問題徹底解決了。

在80286主板發(fā)布之前，內(nèi)存并沒有被世人所重視，這個(gè)時(shí)候的內(nèi)存是直接固化在主板上，而且容量只有64 ～256KB，對(duì)于當(dāng)時(shí)PC所運(yùn)行的工作程序來說，這種內(nèi)存的性能以及容量足以滿足當(dāng)時(shí)軟件程序的處理需要。不過隨著軟件程序和新一代80286硬件平臺(tái)的出現(xiàn)，程序和硬件對(duì)內(nèi)存性能提出了更高要求，為了提高速度并擴(kuò)大容量，內(nèi)存必須以獨(dú)立的封裝形式出現(xiàn)，因而誕生了“內(nèi)存條”概念。

在80286主板剛推出的時(shí)候，內(nèi)存條采用了SIMM（Single In-lineMemory Modules，單邊接觸內(nèi)存模組）接口，容量為30pin、256kb，必須是由8 片數(shù)據(jù)位和1 片校驗(yàn)位組成1 個(gè)bank，正因如此，我們見到的30pin SIMM一般是四條一起使用。自1982年P(guān)C進(jìn)入民用市場(chǎng)一直到現(xiàn)在，搭配80286處理器的30pin SIMM 內(nèi)存是內(nèi)存領(lǐng)域的開山鼻祖。

隨后，在1988 ～1990 年當(dāng)中，PC 技術(shù)迎來另一個(gè)發(fā)展高峰，也就是386和486時(shí)代，此時(shí)CPU 已經(jīng)向16bit 發(fā)展，所以30pin SIMM 內(nèi)存再也無法滿足需求，其較低的內(nèi)存帶寬已經(jīng)成為急待解決的瓶頸，所以此時(shí)72pin SIMM 內(nèi)存出現(xiàn)了，72pin SIMM支持32bit快速頁模式內(nèi)存，內(nèi)存帶寬得以大幅度提升。72pin SIMM內(nèi)存單條容量一般為512KB ～2MB，而且僅要求兩條同時(shí)使用，由于其與30pin SIMM 內(nèi)存無法兼容，因此這個(gè)時(shí)候PC業(yè)界毅然將30pin SIMM 內(nèi)存淘汰出局了。

EDO DRAM（Extended Date Out RAM，外擴(kuò)充數(shù)據(jù)模式存儲(chǔ)器）內(nèi)存，這是1991 年到1995 年之間盛行的內(nèi)存條，EDO-RAM同F(xiàn)P DRAM極其相似，它取消了擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存與傳輸內(nèi)存兩個(gè)存儲(chǔ)周期之間的時(shí)間間隔，在把數(shù)據(jù)發(fā)送給CPU的同時(shí)去訪問下一個(gè)頁面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作電壓為一般為5V，帶寬32bit，速度在40ns以上，其主要應(yīng)用在當(dāng)時(shí)的486及早期的Pentium電腦上。

在1991 年到1995 年中，讓我們看到一個(gè)尷尬的情況，那就是這幾年內(nèi)存技術(shù)發(fā)展比較緩慢，幾乎停滯不前，所以我們看到此時(shí)EDO RAM有72 pin和168 pin并存的情況，事實(shí)上EDO 內(nèi)存也屬于72pin SIMM 內(nèi)存的范疇，不過它采用了全新的尋址方式。EDO 在成本和容量上有所突破，憑借著制作工藝的飛速發(fā)展，此時(shí)單條EDO 內(nèi)存的容量已經(jīng)達(dá)到4 ～16MB 。由于Pentium及更高級(jí)別的CPU數(shù)據(jù)總線寬度都是64bit甚至更高，所以EDO RAM與FPM RAM都必須成對(duì)使用。

SDRAM時(shí)代

自Intel Celeron系列以及AMD K6處理器以及相關(guān)的主板芯片組推出后，EDO DRAM內(nèi)存性能再也無法滿足需要了，內(nèi)存技術(shù)必須徹底得到個(gè)革新才能滿足新一代CPU架構(gòu)的需求，此時(shí)內(nèi)存開始進(jìn)入比較經(jīng)典的SDRAM時(shí)代。

第一代SDRAM 內(nèi)存為PC66 規(guī)范，但很快由于Intel 和AMD的頻率之爭(zhēng)將CPU外頻提升到了100MHz，所以PC66內(nèi)存很快就被PC100內(nèi)存取代，接著133MHz 外頻的PIII以及K7時(shí)代的來臨，PC133規(guī)范也以相同的方式進(jìn)一步提升SDRAM 的整體性能，帶寬提高到1GB/sec以上。由于SDRAM 的帶寬為64bit，正好對(duì)應(yīng)CPU 的64bit 數(shù)據(jù)總線寬度，因此它只需要一條內(nèi)存便可工作，便捷性進(jìn)一步提高。在性能方面，由于其輸入輸出信號(hào)保持與系統(tǒng)外頻同步，因此速度明顯超越EDO 內(nèi)存。

不可否認(rèn)的是，SDRAM 內(nèi)存由早期的66MHz，發(fā)展后來的100MHz、133MHz，盡管沒能徹底解決內(nèi)存帶寬的瓶頸問題，但此時(shí)CPU超頻已經(jīng)成為DIY用戶永恒的話題，所以不少用戶將品牌好的PC100品牌內(nèi)存超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功，值得一提的是，為了方便一些超頻用戶需求，市場(chǎng)上出現(xiàn)了一些PC150、PC166規(guī)范的內(nèi)存。

盡管SDRAM PC133內(nèi)存的帶寬可提高帶寬到1064MB/S，加上Intel已經(jīng)開始著手最新的Pentium 4計(jì)劃，所以SDRAM PC133內(nèi)存不能滿足日后的發(fā)展需求，此時(shí)，Intel為了達(dá)到獨(dú)占市場(chǎng)的目的，與Rambus聯(lián)合在PC市場(chǎng)推廣Rambus DRAM內(nèi)存（稱為RDRAM內(nèi)存）。與SDRAM不同的是，其采用了新一代高速簡單內(nèi)存架構(gòu)，基于一種類RISC(Reduced Instruction Set Computing，精簡指令集計(jì)算機(jī))理論，這個(gè)理論可以減少數(shù)據(jù)的復(fù)雜性，使得整個(gè)系統(tǒng)性能得到提高。

在AMD與Intel的競(jìng)爭(zhēng)中，這個(gè)時(shí)候是屬于頻率競(jìng)備時(shí)代，所以這個(gè)時(shí)候CPU的主頻在不斷提升，Intel為了蓋過AMD，推出高頻PentiumⅢ以及Pentium 4 處理器，因此Rambus DRAM內(nèi)存是被Intel看著是未來自己的競(jìng)爭(zhēng)殺手锏，Rambus DRAM內(nèi)存以高時(shí)鐘頻率來簡化每個(gè)時(shí)鐘周期的數(shù)據(jù)量，因此內(nèi)存帶寬相當(dāng)出色，如PC 1066 1066 MHz 32 bits帶寬可達(dá)到4.2G Byte/sec，Rambus DRAM曾一度被認(rèn)為是Pentium 4 的絕配。

盡管如此，Rambus RDRAM 內(nèi)存生不逢時(shí)，后來依然要被更高速度的DDR“掠奪”其寶座地位，在當(dāng)時(shí)，PC600、PC700的Rambus RDRAM 內(nèi)存因出現(xiàn)Intel820 芯片組“失誤事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本過高而讓Pentium 4平臺(tái)高高在上，無法獲得大眾用戶擁戴，種種問題讓Rambus RDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高頻率的PC1066 規(guī)范RDRAM來力挽狂瀾，但最終也是拜倒在DDR 內(nèi)存面前。

DDR時(shí)代

DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)簡稱DDR，也就是“雙倍速率SDRAM“的意思。DDR可以說是SDRAM的升級(jí)版本， DDR在時(shí)鐘信號(hào)上升沿與下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)，這使得DDR的數(shù)據(jù)傳輸速度為傳統(tǒng)SDRAM的兩倍。由于僅多采用了下降緣信號(hào)，因此并不會(huì)造成能耗增加。至于定址與控制信號(hào)則與傳統(tǒng)SDRAM相同，僅在時(shí)鐘上升緣傳輸。

DDR 內(nèi)存是作為一種在性能與成本之間折中的解決方案，其目的是迅速建立起牢固的市場(chǎng)空間，繼而一步步在頻率上高歌猛進(jìn)，最終彌補(bǔ)內(nèi)存帶寬上的不足。第一代DDR200 規(guī)范并沒有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM（133MHz時(shí)鐘×2倍數(shù)據(jù)傳輸＝266MHz帶寬）是由PC133 SDRAM內(nèi)存所衍生出的，它將DDR 內(nèi)存帶向第一個(gè)高潮，目前還有不少賽揚(yáng)和AMD K7處理器都在采用DDR266規(guī)格的內(nèi)存，其后來的DDR333內(nèi)存也屬于一種過度，而DDR400內(nèi)存成為目前的主流平臺(tái)選配，雙通道DDR400內(nèi)存已經(jīng)成為800FSB處理器搭配的基本標(biāo)準(zhǔn)，隨后的DDR533 規(guī)范則成為超頻用戶的選擇對(duì)象。

DDR2時(shí)代

隨著CPU 性能不斷提高，我們對(duì)內(nèi)存性能的要求也逐步升級(jí)。不可否認(rèn)，緊緊依高頻率提升帶寬的DDR遲早會(huì)力不從心，因此JEDEC 組織很早就開始醞釀DDR2 標(biāo)準(zhǔn)，加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平臺(tái)開始對(duì)DDR2內(nèi)存的支持，所以DDR2內(nèi)存將開始演義內(nèi)存領(lǐng)域的今天。

DDR2 能夠在100MHz 的發(fā)信頻率基礎(chǔ)上提供每插腳最少400MB/s 的帶寬，而且其接口將運(yùn)行于1.8V 電壓上，從而進(jìn)一步降低發(fā)熱量，以便提高頻率。此外，DDR2 將融入CAS、OCD、ODT 等新性能指標(biāo)和中斷指令，提升內(nèi)存帶寬的利用率。從JEDEC組織者闡述的DDR2標(biāo)準(zhǔn)來看，針對(duì)PC等市場(chǎng)的DDR2內(nèi)存將擁有400、533、667MHz等不同的時(shí)鐘頻率。高端的DDR2內(nèi)存將擁有800、1000MHz兩種頻率。DDR-II內(nèi)存將采用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR2內(nèi)存將采用0.13微米的生產(chǎn)工藝，內(nèi)存顆粒的電壓為1.8V，容量密度為512MB。

內(nèi)存技術(shù)在2005年將會(huì)毫無懸念，SDRAM為代表的靜態(tài)內(nèi)存在五年內(nèi)不會(huì)普及。QBM與RDRAM內(nèi)存也難以挽回頹勢(shì)，因此DDR與DDR2共存時(shí)代將是鐵定的事實(shí)。

PC-100的“接班人”除了PC一133以外，VCM(VirXual Channel Memory)也是很重

要的一員。VCM即“虛擬通道存儲(chǔ)器”，這也是目前大多數(shù)較新的芯片組支持的一種內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，VCM內(nèi)存主要根據(jù)由NEC公司開發(fā)的一種“緩存式DRAM”技術(shù)制造而成，它集成了“通道緩存”，由高速寄存器進(jìn)行配置和控制。在實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐瑫r(shí)，VCM還維持著對(duì)傳統(tǒng)SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM內(nèi)存稱為VCM SDRAM。VCM與SDRAM的差別在于不論是否經(jīng)過CPU處理的數(shù)據(jù)，都可先交于VCM進(jìn)行處理，而普通的SDRAM就只能處理經(jīng)CPU處理以后的數(shù)據(jù)，所以VCM要比SDRAM處理數(shù)據(jù)的速度快20％以上。目前可以支持VCM SDRAM的芯片組很多，包括：Intel的815E、VIA的694X等。

3．RDRAM

Intel在推出：PC-100后，由于技術(shù)的發(fā)展，PC-100內(nèi)存的800MB／s帶寬已經(jīng)不能滿足需求，而PC-133的帶寬提高并不大(1064MB／s)，同樣不能滿足日后的發(fā)展需求。Intel為了達(dá)到獨(dú)占市場(chǎng)的目的，與Rambus公司聯(lián)合在PC市場(chǎng)推廣Rambus DRAM(DirectRambus DRAM)，如圖4-3所示。

Rambus DRAM是：Rambus公司最早提出的一種內(nèi)存規(guī)格，采用了新一代高速簡單內(nèi)存架構(gòu)，基于一種RISC(Reduced Instruction Set Computing，精簡指令集計(jì)算機(jī))理論，從而可以減少數(shù)據(jù)的復(fù)雜性，使得整個(gè)系統(tǒng)性能得到提高。Rambus使用400MHz的16bit總線，在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)，可以在上升沿和下降沿的同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)，這樣它的實(shí)際速度就為400MHz×2＝800MHz，理論帶寬為(16bit×2×400MHz／8)1.6GB／s，相當(dāng)于PC-100的兩倍。另外，Rambus也可以儲(chǔ)存9bit字節(jié)，額外的一比特是屬于保留比特，可能以后會(huì)作為：ECC(ErroI·Checking and Correction，錯(cuò)誤檢查修正)校驗(yàn)位。Rambus的時(shí)鐘可以高達(dá)400MHz，而且僅使用了30條銅線連接內(nèi)存控制器和RIMM(Rambus In-line MemoryModules，Rambus內(nèi)嵌式內(nèi)存模塊)，減少銅線的長度和數(shù)量就可以降低數(shù)據(jù)傳輸中的電磁干擾，從而快速地提高內(nèi)存的工作頻率。不過在高頻率下，其發(fā)出的熱量肯定會(huì)增加，因此第一款Rambus內(nèi)存甚至需要自帶散熱風(fēng)扇。

內(nèi)存區(qū)別

DDR2與DDR的區(qū)別

與DDR相比，DDR2最主要的改進(jìn)是在內(nèi)存模塊速度相同的情況下，可以提供相當(dāng)于DDR內(nèi)存兩倍的帶寬。這主要是通過在每個(gè)設(shè)備上高效率使用兩個(gè)DRAM核心來實(shí)現(xiàn)的。作為對(duì)比，在每個(gè)設(shè)備上DDR內(nèi)存只能夠使用一個(gè)DRAM核心。技術(shù)上講，DDR2內(nèi)存上仍然只有一個(gè)DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中處理4個(gè)數(shù)據(jù)而不是兩個(gè)數(shù)據(jù)。

與雙倍速運(yùn)行的數(shù)據(jù)緩沖相結(jié)合，DDR2內(nèi)存實(shí)現(xiàn)了在每個(gè)時(shí)鐘周期處理多達(dá)4bit的數(shù)據(jù)，比傳統(tǒng)DDR內(nèi)存可以處理的2bit數(shù)據(jù)高了一倍。DDR2內(nèi)存另一個(gè)改進(jìn)之處在于，它采用FBGA封裝方式替代了傳統(tǒng)的TSOP方式。

然而，盡管DDR2內(nèi)存采用的DRAM核心速度和DDR的一樣，但是我們?nèi)匀灰褂眯轮靼宀拍艽钆銬DR2內(nèi)存，因?yàn)镈DR2的物理規(guī)格和DDR是不兼容的。首先是接口不一樣，DDR2的針腳數(shù)量為240針，而DDR內(nèi)存為184針；其次，DDR2內(nèi)存的VDIMM電壓為1.8V，也和DDR內(nèi)存的2.5V不同。

DDR2的定義：

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑獶DR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)�。�。換句話說，DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。

此外，由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，而不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)�；叵肫餌DR的發(fā)展歷程，從第一代應(yīng)用到個(gè)人電腦的DDR200經(jīng)過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術(shù)，第一代DDR的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限，已經(jīng)很難通過常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術(shù)的發(fā)展，前端總線對(duì)內(nèi)存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩(wěn)定運(yùn)行頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢(shì)所趨。

DDR2與DDR的區(qū)別：

在了解DDR2內(nèi)存諸多新技術(shù)前，先讓我們看一組DDR和DDR2技術(shù)對(duì)比的數(shù)據(jù)。

1、延遲問題：

從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實(shí)際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2內(nèi)存擁有兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的4BIT預(yù)讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都采用了在時(shí)鐘的上升延和下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞�，但DDR2擁有兩倍于DDR的預(yù)讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實(shí)際頻率為200MHz，而DDR2則可以達(dá)到400MHz。

這樣也就出現(xiàn)了另一個(gè)問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內(nèi)存中，后者的內(nèi)存延時(shí)要慢于前者。舉例來說，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而后者具有高一倍的帶寬。實(shí)際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高于DDR400。

2、封裝和發(fā)熱量：

DDR2內(nèi)存技術(shù)最大的突破點(diǎn)其實(shí)不在于用戶們所認(rèn)為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標(biāo)準(zhǔn)DDR的400MHZ限制。

DDR內(nèi)存通常采用TSOP芯片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當(dāng)頻率更高時(shí)，它過長的管腳就會(huì)產(chǎn)生很高的阻抗和寄生電容，這會(huì)影響它的穩(wěn)定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式。不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP封裝形式，F(xiàn)BGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了良好的保障。

DDR2內(nèi)存采用1.8V電壓，相對(duì)于DDR標(biāo)準(zhǔn)的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發(fā)熱量，這一點(diǎn)的變化是意義重大的。

DDR2采用的新技術(shù)：

除了以上所說的區(qū)別外，DDR2還引入了三項(xiàng)新的技術(shù)，它們是OCD、ODT和Post CAS。

OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅(qū)動(dòng)調(diào)整，DDR II通過OCD可以提高信號(hào)的完整性。DDR II通過調(diào)整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號(hào)的完整性；通過控制電壓來提高信號(hào)品質(zhì)。

ODT：ODT是內(nèi)建核心的終結(jié)電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數(shù)據(jù)線終端反射信號(hào)需要大量的終結(jié)電阻。它大大增加了主板的制造成本。實(shí)際上，不同的內(nèi)存模組對(duì)終結(jié)電路的要求是不一樣的，終結(jié)電阻的大小決定了數(shù)據(jù)線的信號(hào)比和反射率，終結(jié)電阻小則數(shù)據(jù)線信號(hào)反射低但是信噪比也較低；終結(jié)電阻高，則數(shù)據(jù)線的信噪比高，但是信號(hào)反射也會(huì)增加。因此主板上的終結(jié)電阻并不能非常好的匹配內(nèi)存模組，還會(huì)在一定程度上影響信號(hào)品質(zhì)。DDR2可以根據(jù)自已的特點(diǎn)內(nèi)建合適的終結(jié)電阻，這樣可以保證最佳的信號(hào)波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號(hào)品質(zhì)，這是DDR不能比擬的。

Post CAS：它是為了提高DDR II內(nèi)存的利用效率而設(shè)定的。在Post CAS操作中，CAS信號(hào)（讀寫/命令）能夠被插到RAS信號(hào)后面的一個(gè)時(shí)鐘周期，CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）后面保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進(jìn)行設(shè)置。由于CAS信號(hào)放在了RAS信號(hào)后面一個(gè)時(shí)鐘周期，因此ACT和CAS信號(hào)永遠(yuǎn)也不會(huì)產(chǎn)生碰撞沖突。

總的來說，DDR2采用了諸多的新技術(shù)，改善了DDR的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨著技術(shù)的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決。

內(nèi)存頻率

內(nèi)存主頻和CPU主頻一樣，習(xí)慣上被用來表示內(nèi)存的速度，它代表著該內(nèi)存所能達(dá)到的最高工作頻率。內(nèi)存主頻是以MHz（兆赫）為單位來計(jì)量的。內(nèi)存主頻越高在一定程度上代表著內(nèi)存所能達(dá)到的速度越快。內(nèi)存主頻決定著該內(nèi)存最高能在什么樣的頻率正常工作。目前較為主流的內(nèi)存頻率室333MHz和400MHz的DDR內(nèi)存，以及533MHz和667MHz的DDR2內(nèi)存。

大家知道，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的時(shí)鐘速度是以頻率來衡量的。晶體振蕩器控制著時(shí)鐘速度，在石英晶片上加上電壓，其就以正弦波的形式震動(dòng)起來，這一震動(dòng)可以通過晶片的形變和大小記錄下來。晶體的震動(dòng)以正弦調(diào)和變化的電流的形式表現(xiàn)出來，這一變化的電流就是時(shí)鐘信號(hào)。而內(nèi)存本身并不具備晶體振蕩器，因此內(nèi)存工作時(shí)的時(shí)鐘信號(hào)是由主板芯片組的北橋或直接由主板的時(shí)鐘發(fā)生器提供的，也就是說內(nèi)存無法決定自身的工作頻率，其實(shí)際工作頻率是由主板來決定的。

DDR內(nèi)存和DDR2內(nèi)存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示，工作頻率是內(nèi)存顆粒實(shí)際的工作頻率，但是由于DDR內(nèi)存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數(shù)據(jù)，因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的兩倍；而DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以四倍于工作頻率的速度讀/寫數(shù)據(jù)，因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是200/266/333/400MHz；DDR2 400/533/667/800的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是400/533/667/800MHz。

內(nèi)存異步工作模式包含多種意義，在廣義上凡是內(nèi)存工作頻率與CPU的外頻不一致時(shí)都可以稱為內(nèi)存異步工作模式。首先，最早的內(nèi)存異步工作模式出現(xiàn)在早期的主板芯片組中，可以使內(nèi)存工作在比CPU外頻高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是簡單相差33MHz)，從而可以提高系統(tǒng)內(nèi)存性能或者使老內(nèi)存繼續(xù)發(fā)揮余熱。其次，在正常的工作模式(CPU不超頻)下，目前不少主板芯片組也支持內(nèi)存異步工作模式，例如Intel 910GL芯片組，僅僅只支持533MHz FSB即133MHz的CPU外頻，但卻可以搭配工作頻率為133MHz的DDR 266、工作頻率為166MHz的DDR 333和工作頻率為200MHz的DDR 400正常工作(注意此時(shí)其CPU外頻133MHz與DDR 400的工作頻率200MHz已經(jīng)相差66MHz了)，只不過搭配不同的內(nèi)存其性能有差異罷了。再次，在CPU超頻的情況下，為了不使內(nèi)存拖CPU超頻能力的后腿，此時(shí)可以調(diào)低內(nèi)存的工作頻率以便于超頻，例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超頻，不少產(chǎn)品的外頻都可以輕松超上300MHz，而此如果在內(nèi)存同步的工作模式下，此時(shí)內(nèi)存的等效頻率將高達(dá)DDR 600，這顯然是不可能的，為了順利超上300MHz外頻，我們可以在超頻前在主板BIOS中把內(nèi)存設(shè)置為DDR 333或DDR 266，在超上300MHz外頻之后，前者也不過才DDR 500(某些極品內(nèi)存可以達(dá)到)，而后者更是只有DDR 400(完全是正常的標(biāo)準(zhǔn)頻率)，由此可見，正確設(shè)置內(nèi)存異步模式有助于超頻成功。

目前的主板芯片組幾乎都支持內(nèi)存異步，英特爾公司從810系列到目前較新的875系列都支持，而威盛公司則從693芯片組以后全部都提供了此功能。

內(nèi)存檢測(cè)

擁有一個(gè)完全可靠的 CPU 的確很重要，但擁有一個(gè)非常穩(wěn)固的 RAM 芯片也很重要。有些人認(rèn)為 SIMMS 和 DIMMS永遠(yuǎn)不會(huì)壞，從不需要測(cè)試。不幸的是，這種想法是錯(cuò)誤的 -- 壞的內(nèi)存非常普遍，我們都需要注意內(nèi)存問題。另有一些人認(rèn)為如果可能有壞的 RAM，引導(dǎo)時(shí) BIOS 內(nèi)存檢查會(huì)檢測(cè)出所有的 RAM 錯(cuò)誤。這種想法也是錯(cuò)誤的；BIOS 內(nèi)存檢查檢測(cè)不到許多壞的 RAM，所以不要讓 BIOS 檢查給您一種安全的錯(cuò)覺。

壞內(nèi)存癥狀

這里有一些警告跡象指出您的機(jī)器包含壞的RAM,當(dāng)同時(shí)裝載大量的程序時(shí)，不時(shí)有某個(gè)程序無明顯原因地死掉。不時(shí)地，打開一個(gè)文件時(shí)，顯示文件被毀壞。如果稍后打開，文件看起來又好了。

可參閱電腦內(nèi)存故障詞條

Memtest86

Memtest86是極品內(nèi)存檢測(cè)軟件,是一款免費(fèi)的內(nèi)存測(cè)試軟件，測(cè)試準(zhǔn)確度比較高，內(nèi)存的隱性問題也能檢查出來!是一款基于Linux核心的測(cè)試程序，所以它的安裝和使用和其它內(nèi)存測(cè)試軟件有些不同。將Memtest86程序下載解壓縮后，我們可以看到4個(gè)文件，其中Install.exe用來安裝Memtest86程序到軟盤。雙擊運(yùn)行這個(gè)程序，在彈出窗口中的“Enter Target diskette drive：”后輸入你的軟盤驅(qū)動(dòng)器的盤符，如a，然后回車。插入一張格式化過的軟盤，單擊回車開始安裝，這樣Memtest86就安裝到軟盤了。前面我們說過Memtest86是基于Linux核心的，所以在Windows資源管理器里我們看不到軟盤上的內(nèi)容（不要誤認(rèn)為軟盤里沒有內(nèi)容）。如果沒有軟驅(qū)，Memtest86的主頁有該軟件的ISO文件，可以直接刻錄到光盤，用光驅(qū)啟動(dòng)后進(jìn)行測(cè)試。

DocMemory

“內(nèi)存神醫(yī)”是一種先進(jìn)的電腦內(nèi)存檢測(cè)軟件。它的友善的用戶界面使用方便，操作靈活。它可以檢測(cè)出所有電腦內(nèi)存故障�！皟�(nèi)存神醫(yī)”使用嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臏y(cè)試算法和程序檢測(cè)電腦基本內(nèi)存和擴(kuò)展內(nèi)存。用戶無需拆除內(nèi)存條即可進(jìn)行檢測(cè)。從網(wǎng)上下載的初裝軟件可以生成一個(gè)自行起動(dòng)的“內(nèi)存神醫(yī)”測(cè)試軟盤。只要將這個(gè)軟盤插入欲測(cè)電腦的軟驅(qū)內(nèi)并起動(dòng)電腦即可開始內(nèi)存檢測(cè)。“內(nèi)存神醫(yī)”提供十種精密的內(nèi)存檢測(cè)程序，其中包括MATS，MARCH+，MARCHC-，以及CHECKERBOARD等。選用老化測(cè)試可以檢測(cè)出95%以上內(nèi)存軟故障。用戶可以使用鼠標(biāo)器方便的選擇檢測(cè)程序和設(shè)定測(cè)試參數(shù)。

內(nèi)存選購

內(nèi)存的優(yōu)劣是決定計(jì)算機(jī)性能的另一個(gè)重要部件，它在所有電腦配件中的地位十分特殊，因?yàn)镃PU進(jìn)行數(shù)據(jù)處理時(shí)總是先到內(nèi)存找，找不到再到硬盤找。品質(zhì)優(yōu)異的內(nèi)存，穩(wěn)定性好，與主板兼容性好，可長時(shí)間保持不死機(jī)，運(yùn)行大型軟件或3D游戲也相當(dāng)流暢（在保證一定的容量的情況下），因此，一條好的較大容量的內(nèi)存是配置一臺(tái)好電腦所必須的

內(nèi)存接口類型

接口類型是根據(jù)內(nèi)存條金手指上導(dǎo)電觸片的數(shù)量來劃分的，金手指上的導(dǎo)電觸片也習(xí)慣稱為針腳數(shù)（Pin）。因?yàn)椴煌膬?nèi)存采用的接口類型各不相同，而每種接口類型所采用的針腳數(shù)各不相同。

那些牌子的內(nèi)存比較好��？

多年以來，大多數(shù)用戶在裝機(jī)時(shí)會(huì)首先選擇市場(chǎng)上的兼容內(nèi)存條。因?yàn)閺难b機(jī)者的角度考慮，兼容內(nèi)存條的價(jià)格較之品牌內(nèi)存條低了不少，這也是在很大程度上決定了消費(fèi)者的購買取向。不過隨著過去一年內(nèi)存價(jià)格的起伏跌宕，使得兼容內(nèi)存條的價(jià)格優(yōu)勢(shì)已經(jīng)不再那么明顯。越來越多的裝機(jī)者開始關(guān)注品牌內(nèi)存，為了能讓消費(fèi)者更好地了解市場(chǎng)上品牌內(nèi)存的特點(diǎn)，筆者今天就給大家做一些這方面的介紹�？匆豢雌放苾�(nèi)存的優(yōu)勢(shì)到底在哪里？

內(nèi)存單通道和雙通道是什么意思？

在這里筆者提醒大家：并不是選購了支持P4超線程的CPU就可以實(shí)現(xiàn)“超線程”技術(shù)，或者購入了兩條內(nèi)存就可以實(shí)現(xiàn)雙通道！其實(shí)，無論是“超線程”還是“雙通道”都需要硬件(CPU、主板、芯片組等)和軟件(如操作系統(tǒng)、相應(yīng)軟件)相互配合支持才能真正實(shí)現(xiàn)。

現(xiàn)在是買兩條512MB還是1GB好啊？

一般認(rèn)為，兩條512MB內(nèi)存的工作性能絕對(duì)要比單條1GB內(nèi)存更為出色，前提是主板支持雙通道內(nèi)存。兩條512MB內(nèi)存構(gòu)成雙通道效果會(huì)比一條1GB的內(nèi)存效果好，因?yàn)橐粭l內(nèi)存無法構(gòu)成雙通道。當(dāng)然也有不同看法，主要原因是為了以后方便升級(jí)到2GB。

內(nèi)存測(cè)試

有一個(gè)完全可靠的 CPU 的確很重要，但擁有一個(gè)非常穩(wěn)固的 RAM 芯片也很重要。有些人認(rèn)為 SIMMS 和 DIMMS 永遠(yuǎn)不會(huì)壞，從不需要測(cè)試。不幸的是，這種想法是錯(cuò)誤的 -- 壞的內(nèi)存非常普遍，我們都需要注意內(nèi)存問題。另有一些人認(rèn)為如果可能有壞的 RAM，引導(dǎo)時(shí) BIOS 內(nèi)存檢查會(huì)檢測(cè)出所有的 RAM 錯(cuò)誤。這種想法也是錯(cuò)誤的；BIOS 內(nèi)存檢查檢測(cè)不到許多壞的 RAM，所以不要讓 BIOS 檢查給您一種安全的錯(cuò)覺。

內(nèi)存品牌

為了讓大家更好的了解市場(chǎng)上有哪些發(fā)燒內(nèi)存條可供選用，下面我們以廠商為列做個(gè)概括介紹。

現(xiàn)代（HY）

個(gè)人認(rèn)為，原廠現(xiàn)代和三星內(nèi)存是目前兼容性和穩(wěn)定性最好的內(nèi)存條，其比許多廣告吹得生猛的內(nèi)存條要來得實(shí)在得多，此外，現(xiàn)代"Hynix（更專業(yè)的稱呼是海力士半導(dǎo)體Hynix Semiconductor Inc.）"的D43等顆粒也是目前很多高頻內(nèi)存所普遍采用的內(nèi)存芯片。目前，市場(chǎng)上超值的現(xiàn)代高頻條有現(xiàn)代原廠DDR500內(nèi)存，采用了TSOP封裝的HY5DU56822CT-D5內(nèi)存芯片，其性價(jià)比很不錯(cuò)。

金士頓（Kingston）

作為世界第一大內(nèi)存生產(chǎn)廠商的Kingston，其金士頓內(nèi)存產(chǎn)品在進(jìn)入中國市場(chǎng)以來，就憑借優(yōu)秀的產(chǎn)品質(zhì)量和一流的售后服務(wù)，贏得了眾多中國消費(fèi)者的心。

不過Kingston雖然作為世界第一大內(nèi)存生產(chǎn)廠商，然而Kingston品牌的內(nèi)存產(chǎn)品，其使用的內(nèi)存顆粒確是五花八門，既有Kingston自己顆粒的產(chǎn)品，更多的則是現(xiàn)代（Hynix）、三星（Samsung）、南亞（Nanya）、華邦（Winbond）、英飛凌（Infinoen）、美光（Micron）等等眾多廠商的內(nèi)存顆粒。

Kingston的高頻內(nèi)存有采用"Hynix"D43顆粒和Winbond的內(nèi)存顆粒的金士頓DDR400、DDR433-DDR500內(nèi)存等，其分屬ValueRam系列（經(jīng)濟(jì)型）和HyperX系列。

Kingston的ValueRam系列，價(jià)格與普通的DDR400一樣，但其可以超頻到DDR500使用。而Kingston的HyperX系列其超頻性也不錯(cuò)，Kingston 500MHz的HyperX超頻內(nèi)存（HyperX PC4000）有容量256MB、512MB單片包裝與容量512MB與1GB雙片的包裝上市，其電壓為2.6伏特，采用鋁制散熱片加強(qiáng)散熱，使用三星K4H560838E-TCCC芯片，在DDR400下的CAS值為2.5，DDR500下的CAS值為3，所以性能也一般。

利屏

利屏是進(jìn)來新近崛起的一個(gè)內(nèi)存新秀。利屏科技（深圳）有限公司總部設(shè)在美國西部風(fēng)景如畫的世界高科技重鎮(zhèn)舊金山。公司致力于研發(fā)、生產(chǎn)和銷售利屏LPT極限高端內(nèi)存條產(chǎn)品。公司擁有一支技術(shù)過硬的產(chǎn)品研發(fā)團(tuán)隊(duì)和足跡遍及中、外的專業(yè)銷售隊(duì)伍。產(chǎn)品深受廣大游戲玩家和超頻愛好者的喜愛。同時(shí)被冠以“超頻之神”的美譽(yù)。

“利屏”眼鏡蛇DDR400系列內(nèi)存也是專門為追求性能的玩家所設(shè)計(jì)，它采用的也是D43的顆粒，但是時(shí)序更高，為了加強(qiáng)散熱更是加上了金屬散熱片，其超頻能力相當(dāng)強(qiáng)勁，在加0.1V左右的電壓下可以超頻到DDR520。而利屏的DDR466內(nèi)存，它采用的是編號(hào)為K4H560838E-TCCC的三星顆粒，運(yùn)行在DDR466的時(shí)候內(nèi)存時(shí)序?yàn)?-4-4-8，但其256MB容量接近500元的報(bào)價(jià)就顯得太高了。

而利屏的高端極限內(nèi)存DDR560，提供單片256MB和512MB包裝，同時(shí)雙片裝的512MB和1024MB支持雙通道架構(gòu)，每條內(nèi)存的表面均有銅質(zhì)散熱片進(jìn)行散熱及確保運(yùn)行的穩(wěn)定性，其CAS值均為3，只能說剛好能用而已。

勤茂（TwinMOS）

勤茂（TwinMOS）CAS為2的DDR433內(nèi)存，采用CSP技術(shù)封裝—這款，勤茂DDR433內(nèi)存的CAS Latency控制在2，Burst Length控制在2、4、8，性能指數(shù)不錯(cuò)。此外，內(nèi)存外面包裹著金黃色內(nèi)存罩，能起到散熱和屏蔽的作用，內(nèi)存顆粒與散熱片之間則填充了導(dǎo)熱的墊片。價(jià)格在350元左右，其可超性也不含糊，性價(jià)比不錯(cuò)。

勝創(chuàng)（Kingmax）

成立于1989年的勝創(chuàng)科技有限公司是一家名列中國臺(tái)灣省前200強(qiáng)的生產(chǎn)企業(yè)（Commonwealth Magazine，May 2000），同時(shí)也是內(nèi)存模組的引領(lǐng)生產(chǎn)廠商。

通過嚴(yán)格的質(zhì)量控制和完善的研發(fā)實(shí)力，勝創(chuàng)科技獲得了ISO-9001證書，同時(shí)和IT行業(yè)中最優(yōu)秀的企業(yè)建立了合作伙伴關(guān)系。公司以不斷創(chuàng)新的設(shè)計(jì)工藝和追求完美的信念生產(chǎn)出了高性能的尖端科技產(chǎn)品，不斷向移動(dòng)計(jì)算領(lǐng)域提供價(jià)廉物美的最出色的內(nèi)存模組。

在SDRAM時(shí)期，Kingmax就曾成功的建造了PC150帝國，開啟了內(nèi)存產(chǎn)品的高速時(shí)代，也奠定了Kingmax在內(nèi)存領(lǐng)域領(lǐng)先的地位。而今DDR來了，從266到300，再到現(xiàn)在的500，Kingmax始終保持著領(lǐng)先的位置，繼續(xù)引領(lǐng)著內(nèi)存發(fā)展的方向。說到KingMax內(nèi)存，就不能不說到它獨(dú)特的 “TinyBGA”封裝技術(shù)專利——作為全球領(lǐng)先的DRAM生產(chǎn)廠商，勝創(chuàng)科技在1997年宣布了第一款基于TinyBGA封裝技術(shù)的內(nèi)存模組，這項(xiàng)屢獲殊榮的封裝技術(shù)能以同樣的體積大小封裝3倍于普通技術(shù)所達(dá)到的內(nèi)存容量。同時(shí)，勝創(chuàng)科技還研制了為高端服務(wù)器和工作站應(yīng)用設(shè)計(jì)的1GB StackBGA模組、為DDR應(yīng)用設(shè)計(jì)的FBGA模組以及為Rambus RIMM應(yīng)用設(shè)計(jì)的速度高達(dá)1.6GB/秒的flip-chip BGA/DCA模組。

Kingmax勝創(chuàng)推出的低價(jià)版的DDR433內(nèi)存產(chǎn)品，該產(chǎn)品采用傳統(tǒng)的TSOP封裝內(nèi)存芯片，工作頻率433MHz。Kingmax推出的這個(gè)SuperRam PC3500系列的售價(jià)和PC3200處于同一檔次，這為那些熱衷超頻又手頭不寬裕的用戶提供了一個(gè)不錯(cuò)的選擇。此外，Kingmax也推出了CL-3的DDR500內(nèi)存產(chǎn)品，其性能和其它廠家的同類產(chǎn)品大同小異。

海盜旗（Corsair）

Corsair（海盜旗）是一家較有特點(diǎn)的內(nèi)存品牌，其內(nèi)存條都包裹著一層黑色金屬外殼，這層金屬殼緊貼在內(nèi)存顆粒上，一方面可以屏蔽其他的電磁干擾。其代表產(chǎn)品如Corsair TwinX PC3200（CMX512-3200XL）內(nèi)存，其在DDR400下，可以穩(wěn)定運(yùn)行在CL2-2-2-5-T1下，將潛伏期和尋址時(shí)間縮短為原來的一半，這款內(nèi)存并不比一些DDR500產(chǎn)品差，而且Corsair為這種內(nèi)存提供終身保修。

而Corsair DDR500內(nèi)存采用Hynix芯片，這款XMS4000能穩(wěn)定運(yùn)行在DDR500，并且可以超頻到DDR530，在DDR500下其CAS值為2.5，性能還算不錯(cuò)。

宇瞻（Apacer）

在內(nèi)存市場(chǎng)，Apacer一直以來都有著較好的聲譽(yù)，其SDRAM時(shí)代的WBGA封裝也響徹一時(shí)，在DDR內(nèi)存上也樹立了良好形象。宇瞻科技隸屬宏基集團(tuán)，實(shí)力非常雄厚。初期專注于內(nèi)存模組行銷，并已經(jīng)成為全球前四大內(nèi)存模組供應(yīng)商之一。據(jù)權(quán)威人士透露，在國際上，宇瞻的品牌知名度以及產(chǎn)品銷量與目在前國內(nèi)排名第一的品牌持平甚至超過，之所以在國內(nèi)目前沒有坐到龍頭位置，是因?yàn)橛钫皩?duì)于品牌宣傳一直比較低調(diào)，精力更多投入到產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)而不是品牌推廣當(dāng)中。

最近，宇瞻相應(yīng)推出的"宇瞻金牌內(nèi)存"系列。宇瞻金牌內(nèi)存產(chǎn)品線特別為追求高穩(wěn)定性、高兼容性的內(nèi)存用戶而設(shè)計(jì)。宇瞻金牌內(nèi)存堅(jiān)持使用100％原廠測(cè)試顆粒（決不使用OEM顆粒）是基于現(xiàn)有最新的DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)而成，經(jīng)過ISO 9002認(rèn)證之工廠完整流程生產(chǎn)制造。采用20微米金手指高品質(zhì)6層PCB板，每條內(nèi)存都覆蓋有美觀精質(zhì)的黃金色金屬銘牌，而且通過了最高端的Advantest測(cè)試系統(tǒng)檢測(cè)后，采用高速SMT機(jī)臺(tái)打造，經(jīng)過高低壓、高低溫、長時(shí)間的密封式空間嚴(yán)苛測(cè)試，并經(jīng)過全球知名系統(tǒng)及主板大廠完全兼容性測(cè)試，品質(zhì)與兼容性都得到最大限度的保證。

宇瞻的DDR500內(nèi)存（PC4000內(nèi)存）采用金黃色的散熱片和綠色的PCB板搭配。金屬散熱片的材質(zhì)相當(dāng)不錯(cuò)，在手中有種沉甸甸的感覺，為了防止氧化，其表面被鍍成了金色。內(nèi)存顆粒方面，這款內(nèi)存采用了三星的內(nèi)存顆粒，具體型號(hào)為：K4H560838E-TCC5，為32Mx8規(guī)格DDR466@CL=3的TSOPII封裝顆粒，標(biāo)準(zhǔn)工作電壓2.6V+-0.1V，標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)行時(shí)序CL-tRCD-tRP為3-4-4。在DDR500下其CL值為3，性能將就。

金邦（Geil）

金邦科技股份有限公司是世界上專業(yè)的內(nèi)存模塊制造商之一。全球第一家也是唯一家以漢字注冊(cè)的內(nèi)存品牌，并以中文命名的產(chǎn)品"金邦金條"、"千禧條GL2000"迅速進(jìn)入國內(nèi)市場(chǎng)，在極短的時(shí)間內(nèi)達(dá)到行業(yè)銷量遙遙領(lǐng)先。第一支"量身訂做，終身保固"記憶體模組的內(nèi)存品牌，首推"量身訂做"系列產(chǎn)品，使計(jì)算機(jī)進(jìn)入最優(yōu)化狀態(tài)。在聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會(huì)JEDEC尚未通過DDR400標(biāo)準(zhǔn)的情況下，率先推出第一支"DDR400"并成功于美國上市。

金邦高性能、高品質(zhì)和高可靠性的內(nèi)存產(chǎn)品，引起業(yè)界和傳媒的廣泛關(guān)注。在過去幾年中，金邦內(nèi)存多次榮獲國內(nèi)權(quán)威雜志評(píng)為讀者首選品牌和編輯選擇獎(jiǎng)，穩(wěn)奪國內(nèi)存儲(chǔ)器市場(chǎng)占有率三強(qiáng)。

金邦的Geil Platinum系列的DDR500內(nèi)存（PC4000），采用TSOPII封裝，使用了純銅內(nèi)存散熱片，可較妥善的解決內(nèi)存的散熱問題。采用六層低電磁干擾PCB板設(shè)計(jì)；單條容量256MB，在內(nèi)存芯片上做了整體打磨并上打上了Geil的印記，"號(hào)稱"使用了4ns的內(nèi)存芯片，但仍可以看出其是采用Hynix的內(nèi)存顆粒。額定工作頻率可達(dá)500MHz，在內(nèi)存參數(shù)方面這是默認(rèn)為CL3，可達(dá)CL2.5。除此而外，其還有金條PC4200（DDR533）等款產(chǎn)品。

威剛（ADATA）

威剛的高頻內(nèi)存有DDR450、460、500等。Adata DDR500是一款價(jià)格適宜的DDR500產(chǎn)品，CAS值為3，其沒有使用散熱片，在芯片上的標(biāo)簽顯示了Adata ID號(hào)。

OCZ

OCZ的高頻內(nèi)存在市場(chǎng)上也越來越常見，如OCZ 3700 Gold，使用三星TCB3芯片，采用改良的散熱片，標(biāo)上有OCZ ID號(hào)及標(biāo)準(zhǔn)速度，其可以達(dá)到DDR500的水準(zhǔn)，在DDR400/500下其CAS值均為2.5，還算不錯(cuò)。

通信詞典解釋