內(nèi)存

目錄
·內(nèi)存概述
·內(nèi)存概念
·內(nèi)存發(fā)展
·內(nèi)存區(qū)別
·內(nèi)存頻率
·內(nèi)存檢測
·內(nèi)存選購
·內(nèi)存品牌




內(nèi)存(Memory)在計算機的組成結(jié)構(gòu)中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內(nèi)存儲器（簡稱內(nèi)存）。

內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows98系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等，一般都是安裝在硬盤等外存上的，但僅此是不能使用其功能的，必須把它們調(diào)入內(nèi)存中運行，才能真正使用其功能，我們平時輸入一段文字，或玩一個游戲，其實都是在內(nèi)存中進行的。通常我們把要永久保存的、大量的數(shù)據(jù)存儲在外存上，而把一些臨時的或少量的數(shù)據(jù)和程序放在內(nèi)存上。



內(nèi)存概述
內(nèi)存就是存儲程序以及數(shù)據(jù)的地方，比如當(dāng)我們在使用WPS處理文稿時，當(dāng)你在鍵盤上敲入字符時，它就被存入內(nèi)存中，當(dāng)你選擇存盤時，內(nèi)存中的數(shù)據(jù)才會被存入硬（磁）盤。在進一步理解它之前，還應(yīng)認(rèn)識一下它的物理概念。

內(nèi)存一般采用半導(dǎo)體存儲單元，包括隨機存儲器（RAM），只讀存儲器（ROM），以及高速緩存（CACHE）。只不過因為RAM是其中最重要的存儲器。S（SYSNECRONOUS）DRAM 同步動態(tài)隨機存取存儲器：SDRAM為168腳，這是目前PENTIUM及以上機型使用的內(nèi)存。SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個時鐘周期，以相同的速度同步工作，每一個時鐘脈沖的上升沿便開始傳遞數(shù)據(jù)，速度比EDO內(nèi)存提高50%。DDR（DOUBLE DATA RAGE）RAM ：SDRAM的更新?lián)Q代產(chǎn)品，他允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)，這樣不需要提高時鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。

只讀存儲器（ROM）
ROM表示只讀存儲器（Read Only Memory），在制造ROM的時候，信息（數(shù)據(jù)或程序）就被存入并永久保存。這些信息只能讀出，一般不能寫入，即使機器掉電，這些數(shù)據(jù)也不會丟失。ROM一般用于存放計算機的基本程序和數(shù)據(jù)，如BIOS ROM。其物理外形一般是雙列直插式（DIP）的集成塊。

隨機存儲器（RAM）
隨機存儲器（Random Access Memory）表示既可以從中讀取數(shù)據(jù)，也可以寫入數(shù)據(jù)。當(dāng)機器電源關(guān)閉時，存于其中的數(shù)據(jù)就會丟失。我們通常購買或升級的內(nèi)存條就是用作電腦的內(nèi)存，內(nèi)存條（SIMM）就是將RAM集成塊集中在一起的一小塊電路板，它插在計算機中的內(nèi)存插槽上，以減少RAM集成塊占用的空間。目前市場上常見的內(nèi)存條有256M／條、512M／條、1G／條等。

高速緩沖存儲器（Cache）
Cache也是我們經(jīng)常遇到的概念，它位于CPU與內(nèi)存之間，是一個讀寫速度比內(nèi)存更快的存儲器。當(dāng)CPU向內(nèi)存中寫入或讀出數(shù)據(jù)時，這個數(shù)據(jù)也被存儲進高速緩沖存儲器中。當(dāng)CPU再次需要這些數(shù)據(jù)時，CPU就從高速緩沖存儲器讀取數(shù)據(jù)，而不是訪問較慢的內(nèi)存，當(dāng)然，如需要的數(shù)據(jù)在Cache中沒有，CPU會再去讀取內(nèi)存中的數(shù)據(jù)。

物理存儲器和地址空間
物理存儲器和存儲地址空間是兩個不同的概念。但是由于這兩者有十分密切的關(guān)系，而且兩者都用B、KB、MB、GB來度量其容量大小，因此容易產(chǎn)生認(rèn)識上的混淆。初學(xué)者弄清這兩個不同的概念，有助于進一步認(rèn)識內(nèi)存儲器和用好內(nèi)存儲器。

物理存儲器是指實際存在的具體存儲器芯片。如主板上裝插的內(nèi)存條和裝載有系統(tǒng)的BIOS的ROM芯片，顯示卡上的顯示RAM芯片和裝載顯示BIOS的ROM芯片，以及各種適配卡上的RAM芯片和ROM芯片都是物理存儲器。

存儲地址空間是指對存儲器編碼（編碼地址）的范圍。所謂編碼就是對每一個物理存儲單元（一個字節(jié)）分配一個號碼，通常叫作“編址”。分配一個號碼給一個存儲單元的目的是為了便于找到它，完成數(shù)據(jù)的讀寫，這就是所謂的“尋址”（所以，有人也把地址空間稱為尋址空間）。

地址空間的大小和物理存儲器的大小并不一定相等。舉個例子來說明這個問題：某層樓共有17個房間，其編號為801～817。這17個房間是物理的，而其地址空間采用了三位編碼，其范圍是800～899共100個地址，可見地址空間是大于實際房間數(shù)量的。

對于386以上檔次的微機，其地址總線為32位，因此地址空間可達2的23次方,即4GB。但實際上我們所配置的物理存儲器通常只有1MB、2MB、4MB、8MB、16MB、32MB等，遠(yuǎn)小于地址空間所允許的范圍。

好了，現(xiàn)在可以解釋為什么會產(chǎn)生諸如：常規(guī)內(nèi)存、保留內(nèi)存、上位內(nèi)存、高端內(nèi)存、擴充內(nèi)存和擴展內(nèi)存等不同內(nèi)存類型。




內(nèi)存概念

這里需要明確的是，我們討論的不同內(nèi)存的概念是建立在尋址空間上的。

IBM推出的第一臺PC機采用的CPU是8088芯片，它只有20根地址線，也就是說，它的地址空間是1MB。

PC機的設(shè)計師將1MB中的低端640KB用作RAM，供DOS及應(yīng)用程序使用，高端的384KB則保留給ROM、視頻適配卡等系統(tǒng)使用。從此，這個界限便被確定了下來并且沿用至今。低端的640KB就被稱為常規(guī)內(nèi)存即PC機的基本RAM區(qū)。保留內(nèi)存中的低128KB是顯示緩沖區(qū)，高64KB是系統(tǒng)BIOS（基本輸入／輸出系統(tǒng)）空間，其余192KB空間留用。從對應(yīng)的物理存儲器來看，基本內(nèi)存區(qū)只使用了512KB芯片，占用0000至80000這512KB地址。顯示內(nèi)存區(qū)雖有128KB空間，但對單色顯示器（MDA卡）只需4KB就足夠了，因此只安裝4KB的物理存儲器芯片，占用了B0000至B10000這4KB的空間，如果使用彩色顯示器（CGA卡）需要安裝16KB的物理存儲器，占用B8000至BC000這16KB的空間，可見實際使用的地址范圍都小于允許使用的地址空間。

在當(dāng)時（1980年末至1981年初）這么“大”容量的內(nèi)存對PC機使用者來說似乎已經(jīng)足夠了，但是隨著程序的不斷增大，圖象和聲音的不斷豐富，以及能訪問更大內(nèi)存空間的新型CPU相繼出現(xiàn)，最初的PC機和MS－DOS設(shè)計的局限性變得越來越明顯。



●1.什么是擴充內(nèi)存？



到1984年，即286被普遍接受不久，人們越來越認(rèn)識到640KB的限制已成為大型程序的障礙，這時，Intel和Lotus，這兩家硬、軟件的杰出代表，聯(lián)手制定了一個由硬件和軟件相結(jié)合的方案，此方法使所有PC機存取640KB以上RAM成為可能。而Microsoft剛推出Windows不久，對內(nèi)存空間的要求也很高，因此它也及時加入了該行列。



在1985年初，Lotus、Intel和Microsoft三家共同定義了LIM－EMS，即擴充內(nèi)存規(guī)范，通常稱EMS為擴充內(nèi)存。當(dāng)時，EMS需要一個安裝在I／O槽口的內(nèi)存擴充卡和一個稱為EMS的擴充內(nèi)存管理程序方可使用。但是I／O插槽的地址線只有24位（ISA總線），這對于386以上檔次的32位機是不能適應(yīng)的。所以，現(xiàn)在已很少使用內(nèi)存擴充卡�，F(xiàn)在微機中的擴充內(nèi)存通常是用軟件如DOS中的EMM386把擴展內(nèi)存模擬或擴充內(nèi)存來使用。所以，擴充內(nèi)存和擴展內(nèi)存的區(qū)別并不在于其物理存儲器的位置，而在于使用什么方法來讀寫它。下面將作進一步介紹。



前面已經(jīng)說過擴充存儲器也可以由擴展存儲器模擬轉(zhuǎn)換而成。EMS的原理和XMS不同，它采用了頁幀方式。頁幀是在1MB空間中指定一塊64KB空間（通常在保留內(nèi)存區(qū)內(nèi)，但其物理存儲器來自擴展存儲器），分為4頁，每頁16KB。EMS存儲器也按16KB分頁，每次可交換4頁內(nèi)容，以此方式可訪問全部EMS存儲器。符合EMS的驅(qū)動程序很多，常用的有EMM386.EXE、QEMM、TurboEMS、386MAX等。DOS和Windows中都提供了EMM386.EXE。



●2.什么是擴展內(nèi)存？



我們知道，286有24位地址線，它可尋址16MB的地址空間，而386有32位地址線，它可尋址高達4GB的地址空間，為了區(qū)別起見，我們把1MB以上的地址空間稱為擴展內(nèi)存XMS（eXtend memory）。



在386以上檔次的微機中，有兩種存儲器工作方式，一種稱為實地址方式或?qū)嵎绞�，另一種稱為保護方式。在實方式下，物理地址仍使用20位，所以最大尋址空間為1MB，以便與8086兼容。保護方式采用32位物理地址，尋址范圍可達4GB。DOS系統(tǒng)在實方式下工作，它管理的內(nèi)存空間仍為1MB，因此它不能直接使用擴展存儲器。為此，Lotus、Intel、AST及Microsoft公司建立了MS－DOS下擴展內(nèi)存的使用標(biāo)準(zhǔn)，即擴展內(nèi)存規(guī)范XMS。我們常在Config.sys文件中看到的Himem.sys就是管理擴展內(nèi)存的驅(qū)動程序。



擴展內(nèi)存管理規(guī)范的出現(xiàn)遲于擴充內(nèi)存管理規(guī)范。



●3.什么是高端內(nèi)存區(qū)？



在實方式下，內(nèi)存單元的地址可記為：



段地址：段內(nèi)偏移



通常用十六進制寫為XXXX：XXXX。實際的物理地址由段地址左移4位再和段內(nèi)偏移相加而成。若地址各位均為1時，即為FFFF：FFFF。其實際物理地址為：FFF0＋FFFF=10FFEF，約為1088KB（少16字節(jié)），這已超過1MB范圍進入擴展內(nèi)存了。這個進入擴展內(nèi)存的區(qū)域約為64KB，是1MB以上空間的第一個64KB。我們把它稱為高端內(nèi)存區(qū)HMA（High Memory Area）。HMA的物理存儲器是由擴展存儲器取得的。因此要使用HMA，必須要有物理的擴展存儲器存在。此外HMA的建立和使用還需要XMS驅(qū)動程序HIMEM.SYS的支持，因此只有裝入了HIMEM.SYS之后才能使用HMA。



●4.什么是上位內(nèi)存？



為了解釋上位內(nèi)存的概念，我們還得回過頭看看保留內(nèi)存區(qū)。保留內(nèi)存區(qū)是指640KB～1024KB（共384KB）區(qū)域。這部分區(qū)域在PC誕生之初就明確是保留給系統(tǒng)使用的，用戶程序無法插足。但這部分空間并沒有充分使用，因此大家都想對剩余的部分打主意，分一塊地址空間（注意：是地址空間，而不是物理存儲器）來使用。于是就得到了又一塊內(nèi)存區(qū)域UMB。



UMB（Upper Memory Blocks）稱為上位內(nèi)存或上位內(nèi)存塊。它是由擠占保留內(nèi)存中剩余未用的空間而產(chǎn)生的，它的物理存儲器仍然取自物理的擴展存儲器，它的管理驅(qū)動程序是EMS驅(qū)動程序。



●5.什么是SHADOW（影子）內(nèi)存？



對于細(xì)心的讀者，可能還會發(fā)現(xiàn)一個問題：即是對于裝有1MB或1MB以上物理存儲器的機器，其640KB～1024KB這部分物理存儲器如何使用的問題。由于這部分地址空間已分配為系統(tǒng)使用，所以不能再重復(fù)使用。為了利用這部分物理存儲器，在某些386系統(tǒng)中，提供了一個重定位功能，即把這部分物理存儲器的地址重定位為1024KB～1408KB。這樣，這部分物理存儲器就變成了擴展存儲器，當(dāng)然可以使用了。但這種重定位功能在當(dāng)今高檔機器中不再使用，而把這部分物理存儲器保留作為Shadow存儲器。Shadow存儲器可以占據(jù)的地址空間與對應(yīng)的ROM是相同的。Shadow由RAM組成，其速度大大高于ROM。當(dāng)把ROM中的內(nèi)容（各種BIOS程序）裝入相同地址的Shadow RAM中，就可以從RAM中訪問BIOS，而不必再訪問ROM。這樣將大大提高系統(tǒng)性能。因此在設(shè)置CMOS參數(shù)時，應(yīng)將相應(yīng)的Shadow區(qū)設(shè)為允許使用（Enabled）。



●6、什么是奇/偶校驗？



奇/偶校驗（ECC）是數(shù)據(jù)傳送時采用的一種校正數(shù)據(jù)錯誤的一種方式，分為奇校驗和偶校驗兩種。



如果是采用奇校驗，在傳送每一個字節(jié)的時候另外附加一位作為校驗位，當(dāng)實際數(shù)據(jù)中“1”的個數(shù)為偶數(shù)的時候，這個校驗位就是“1”，否則這個校驗位就是“0”，這樣就可以保證傳送數(shù)據(jù)滿足奇校驗的要求。在接收方收到數(shù)據(jù)時，將按照奇校驗的要求檢測數(shù)據(jù)中“1”的個數(shù)，如果是奇數(shù)，表示傳送正確，否則表示傳送錯誤。



同理偶校驗的過程和奇校驗的過程一樣，只是檢測數(shù)據(jù)中“1”的個數(shù)為偶數(shù)。

●1.什么是CL延遲？

CL反應(yīng)時間是衡定內(nèi)存的另一個標(biāo)志。CL是CAS Latency的縮寫，指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時間，簡單的說，就是內(nèi)存接到CPU的指令后的反應(yīng)速度。一般的參數(shù)值是2和3兩種。數(shù)字越小，代表反應(yīng)所需的時間越短。在早期的PC133內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)中，這個數(shù)值規(guī)定為3，而在Intel重新制訂的新規(guī)范中，強制要求CL的反應(yīng)時間必須為2，這樣在一定程度上，對于內(nèi)存廠商的芯片及PCB的組裝工藝要求相對較高，同時也保證了更優(yōu)秀的品質(zhì)。因此在選購品牌內(nèi)存時，這是一個不可不察的因素。

還有另的詮釋：內(nèi)存延遲基本上可以解釋成是系統(tǒng)進入數(shù)據(jù)進行存取操作就緒狀態(tài)前等待內(nèi)存響應(yīng)的時間。

打個形象的比喻，就像你在餐館里用餐的過程一樣。你首先要點菜，然后就等待服務(wù)員給你上菜。同樣的道理，內(nèi)存延遲時間設(shè)置的越短，電腦從內(nèi)存中讀取數(shù)據(jù)的速度也就越快，進而電腦其他的性能也就越高。這條規(guī)則雙雙適用于基于英特爾以及AMD處理器的系統(tǒng)中。由于沒有比2-2-2-5更低的延遲，因此國際內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)組織認(rèn)為以現(xiàn)在的動態(tài)內(nèi)存技術(shù)還無法實現(xiàn)0或者1的延遲。

通常情況下，我們用4個連著的阿拉伯?dāng)?shù)字來表示一個內(nèi)存延遲，例如2-2-2-5。其中，第一個數(shù)字最為重要，它表示的是CAS Latency,也就是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時間。第二個數(shù)字表示的是RAS-CAS延遲，接下來的兩個數(shù)字分別表示的是RAS預(yù)充電時間和Act-to-Precharge延遲。而第四個數(shù)字一般而言是它們中間最大的一個。



總結(jié)



經(jīng)過上面分析，內(nèi)存儲器的劃分可歸納如下：



●基本內(nèi)存 占據(jù)0～640KB地址空間。

●保留內(nèi)存 占據(jù)640KB～1024KB地址空間。分配給顯示緩沖存儲器、各適配卡上的ROM和系統(tǒng)ROM BIOS，剩余空間可作上位內(nèi)存UMB。UMB的物理存儲器取自物理擴展存儲器。此范圍的物理RAM可作為Shadow RAM使用。

●上位內(nèi)存（UMB） 利用保留內(nèi)存中未分配使用的地址空間建立，其物理存儲器由物理擴展存儲器取得。UMB由EMS管理，其大小可由EMS驅(qū)動程序設(shè)定。

●高端內(nèi)存（HMA） 擴展內(nèi)存中的第一個64KB區(qū)域（1024KB～1088KB）。由HIMEM.SYS建立和管理。

●XMS內(nèi)存 符合XMS規(guī)范管理的擴展內(nèi)存區(qū)。其驅(qū)動程序為HIMEM.SYS。

●EMS內(nèi)存 符合EMS規(guī)范管理的擴充內(nèi)存區(qū)。其驅(qū)動程序為EMM386.EXE等。

內(nèi)存：隨機存儲器（RAM），主要存儲正在運行的程序和要處理的數(shù)據(jù)。



內(nèi)存發(fā)展

在計算機誕生初期并不存在內(nèi)存條的概念，最早的內(nèi)存是以磁芯的形式排列在線路上，每個磁芯與晶體管理組成的一個雙穩(wěn)態(tài)電路作為一比特（BIT)的存儲器,每一比特都要有玉米粒大小，可以想象,一間的機房只能裝下不超過百k字節(jié)左右的容量。后來才出線現(xiàn)了焊接在主板上集成內(nèi)存芯片，以內(nèi)存芯片的形式為計算機的運算提供直接支持。那時的內(nèi)存芯片容量都特別小，最常見的莫過于256K×1bit、1M×4bit，雖然如此，但這相對于那時的運算任務(wù)來說卻已經(jīng)綽綽有余了。



內(nèi)存條的誕生



內(nèi)存芯片的狀態(tài)一直沿用到286初期，鑒于它存在著無法拆卸更換的弊病，這對于計算機的發(fā)展造成了現(xiàn)實的阻礙。有鑒于此，內(nèi)存條便應(yīng)運而生了。將內(nèi)存芯片焊接到事先設(shè)計好的印刷線路板上，而電腦主板上也改用內(nèi)存插槽。這樣就把內(nèi)存難以安裝更換的問題徹底解決了。



在80286主板發(fā)布之前，內(nèi)存并沒有被世人所重視，這個時候的內(nèi)存是直接固化在主板上，而且容量只有64 ～256KB，對于當(dāng)時PC所運行的工作程序來說，這種內(nèi)存的性能以及容量足以滿足當(dāng)時軟件程序的處理需要。不過隨著軟件程序和新一代80286硬件平臺的出現(xiàn)，程序和硬件對內(nèi)存性能提出了更高要求，為了提高速度并擴大容量，內(nèi)存必須以獨立的封裝形式出現(xiàn)，因而誕生了“內(nèi)存條”概念。



在80286主板剛推出的時候，內(nèi)存條采用了SIMM（Single In-lineMemory Modules，單邊接觸內(nèi)存模組）接口，容量為30pin、256kb，必須是由8 片數(shù)據(jù)位和1 片校驗位組成1 個bank，正因如此，我們見到的30pin SIMM一般是四條一起使用。自1982年P(guān)C進入民用市場一直到現(xiàn)在，搭配80286處理器的30pin SIMM 內(nèi)存是內(nèi)存領(lǐng)域的開山鼻祖。



隨后，在1988 ～1990 年當(dāng)中，PC 技術(shù)迎來另一個發(fā)展高峰，也就是386和486時代，此時CPU 已經(jīng)向16bit 發(fā)展，所以30pin SIMM 內(nèi)存再也無法滿足需求，其較低的內(nèi)存帶寬已經(jīng)成為急待解決的瓶頸，所以此時72pin SIMM 內(nèi)存出現(xiàn)了，72pin SIMM支持32bit快速頁模式內(nèi)存，內(nèi)存帶寬得以大幅度提升。72pin SIMM內(nèi)存單條容量一般為512KB ～2MB，而且僅要求兩條同時使用，由于其與30pin SIMM 內(nèi)存無法兼容，因此這個時候PC業(yè)界毅然將30pin SIMM 內(nèi)存淘汰出局了。



EDO DRAM（Extended Date Out RAM，外擴充數(shù)據(jù)模式存儲器）內(nèi)存，這是1991 年到1995 年之間盛行的內(nèi)存條，EDO-RAM同F(xiàn)P DRAM極其相似，它取消了擴展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存與傳輸內(nèi)存兩個存儲周期之間的時間間隔，在把數(shù)據(jù)發(fā)送給CPU的同時去訪問下一個頁面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作電壓為一般為5V，帶寬32bit，速度在40ns以上，其主要應(yīng)用在當(dāng)時的486及早期的Pentium電腦上。



在1991 年到1995 年中，讓我們看到一個尷尬的情況，那就是這幾年內(nèi)存技術(shù)發(fā)展比較緩慢，幾乎停滯不前，所以我們看到此時EDO RAM有72 pin和168 pin并存的情況，事實上EDO 內(nèi)存也屬于72pin SIMM 內(nèi)存的范疇，不過它采用了全新的尋址方式。EDO 在成本和容量上有所突破，憑借著制作工藝的飛速發(fā)展，此時單條EDO 內(nèi)存的容量已經(jīng)達到4 ～16MB 。由于Pentium及更高級別的CPU數(shù)據(jù)總線寬度都是64bit甚至更高，所以EDO RAM與FPM RAM都必須成對使用。



SDRAM時代



自Intel Celeron系列以及AMD K6處理器以及相關(guān)的主板芯片組推出后，EDO DRAM內(nèi)存性能再也無法滿足需要了，內(nèi)存技術(shù)必須徹底得到個革新才能滿足新一代CPU架構(gòu)的需求，此時內(nèi)存開始進入比較經(jīng)典的SDRAM時代。



第一代SDRAM 內(nèi)存為PC66 規(guī)范，但很快由于Intel 和AMD的頻率之爭將CPU外頻提升到了100MHz，所以PC66內(nèi)存很快就被PC100內(nèi)存取代，接著133MHz 外頻的PIII以及K7時代的來臨，PC133規(guī)范也以相同的方式進一步提升SDRAM 的整體性能，帶寬提高到1GB/sec以上。由于SDRAM 的帶寬為64bit，正好對應(yīng)CPU 的64bit 數(shù)據(jù)總線寬度，因此它只需要一條內(nèi)存便可工作，便捷性進一步提高。在性能方面，由于其輸入輸出信號保持與系統(tǒng)外頻同步，因此速度明顯超越EDO 內(nèi)存。



不可否認(rèn)的是，SDRAM 內(nèi)存由早期的66MHz，發(fā)展后來的100MHz、133MHz，盡管沒能徹底解決內(nèi)存帶寬的瓶頸問題，但此時CPU超頻已經(jīng)成為DIY用戶永恒的話題，所以不少用戶將品牌好的PC100品牌內(nèi)存超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功，值得一提的是，為了方便一些超頻用戶需求，市場上出現(xiàn)了一些PC150、PC166規(guī)范的內(nèi)存。



盡管SDRAM PC133內(nèi)存的帶寬可提高帶寬到1064MB/S，加上Intel已經(jīng)開始著手最新的Pentium 4計劃，所以SDRAM PC133內(nèi)存不能滿足日后的發(fā)展需求，此時，Intel為了達到獨占市場的目的，與Rambus聯(lián)合在PC市場推廣Rambus DRAM內(nèi)存（稱為RDRAM內(nèi)存）。與SDRAM不同的是，其采用了新一代高速簡單內(nèi)存架構(gòu)，基于一種類RISC(Reduced Instruction Set Computing，精簡指令集計算機)理論，這個理論可以減少數(shù)據(jù)的復(fù)雜性，使得整個系統(tǒng)性能得到提高。



在AMD與Intel的競爭中，這個時候是屬于頻率競備時代，所以這個時候CPU的主頻在不斷提升，Intel為了蓋過AMD，推出高頻PentiumⅢ以及Pentium 4 處理器，因此Rambus DRAM內(nèi)存是被Intel看著是未來自己的競爭殺手锏，Rambus DRAM內(nèi)存以高時鐘頻率來簡化每個時鐘周期的數(shù)據(jù)量，因此內(nèi)存帶寬相當(dāng)出色，如PC 1066 1066 MHz 32 bits帶寬可達到4.2G Byte/sec，Rambus DRAM曾一度被認(rèn)為是Pentium 4 的絕配。



盡管如此，Rambus RDRAM 內(nèi)存生不逢時，后來依然要被更高速度的DDR“掠奪”其寶座地位，在當(dāng)時，PC600、PC700的Rambus RDRAM 內(nèi)存因出現(xiàn)Intel820 芯片組“失誤事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本過高而讓Pentium 4平臺高高在上，無法獲得大眾用戶擁戴，種種問題讓Rambus RDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高頻率的PC1066 規(guī)范RDRAM來力挽狂瀾，但最終也是拜倒在DDR 內(nèi)存面前。



DDR時代



DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)簡稱DDR，也就是“雙倍速率SDRAM“的意思。DDR可以說是SDRAM的升級版本， DDR在時鐘信號上升沿與下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)，這使得DDR的數(shù)據(jù)傳輸速度為傳統(tǒng)SDRAM的兩倍。由于僅多采用了下降緣信號，因此并不會造成能耗增加。至于定址與控制信號則與傳統(tǒng)SDRAM相同，僅在時鐘上升緣傳輸。



DDR 內(nèi)存是作為一種在性能與成本之間折中的解決方案，其目的是迅速建立起牢固的市場空間，繼而一步步在頻率上高歌猛進，最終彌補內(nèi)存帶寬上的不足。第一代DDR200 規(guī)范并沒有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM（133MHz時鐘×2倍數(shù)據(jù)傳輸＝266MHz帶寬）是由PC133 SDRAM內(nèi)存所衍生出的，它將DDR 內(nèi)存帶向第一個高潮，目前還有不少賽揚和AMD K7處理器都在采用DDR266規(guī)格的內(nèi)存，其后來的DDR333內(nèi)存也屬于一種過度，而DDR400內(nèi)存成為目前的主流平臺選配，雙通道DDR400內(nèi)存已經(jīng)成為800FSB處理器搭配的基本標(biāo)準(zhǔn)，隨后的DDR533 規(guī)范則成為超頻用戶的選擇對象。



DDR2時代



隨著CPU 性能不斷提高，我們對內(nèi)存性能的要求也逐步升級。不可否認(rèn)，緊緊依高頻率提升帶寬的DDR遲早會力不從心，因此JEDEC 組織很早就開始醞釀DDR2 標(biāo)準(zhǔn)，加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平臺開始對DDR2內(nèi)存的支持，所以DDR2內(nèi)存將開始演義內(nèi)存領(lǐng)域的今天。



DDR2 能夠在100MHz 的發(fā)信頻率基礎(chǔ)上提供每插腳最少400MB/s 的帶寬，而且其接口將運行于1.8V 電壓上，從而進一步降低發(fā)熱量，以便提高頻率。此外，DDR2 將融入CAS、OCD、ODT 等新性能指標(biāo)和中斷指令，提升內(nèi)存帶寬的利用率。從JEDEC組織者闡述的DDR2標(biāo)準(zhǔn)來看，針對PC等市場的DDR2內(nèi)存將擁有400、533、667MHz等不同的時鐘頻率。高端的DDR2內(nèi)存將擁有800、1000MHz兩種頻率。DDR-II內(nèi)存將采用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR2內(nèi)存將采用0.13微米的生產(chǎn)工藝，內(nèi)存顆粒的電壓為1.8V，容量密度為512MB。



內(nèi)存技術(shù)在2005年將會毫無懸念，SDRAM為代表的靜態(tài)內(nèi)存在五年內(nèi)不會普及。QBM與RDRAM內(nèi)存也難以挽回頹勢，因此DDR與DDR2共存時代將是鐵定的事實。

PC-100的“接班人”除了PC一133以外，VCM(VirXual Channel Memory)也是很重

要的一員。VCM即“虛擬通道存儲器”，這也是目前大多數(shù)較新的芯片組支持的一種內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，VCM內(nèi)存主要根據(jù)由NEC公司開發(fā)的一種“緩存式DRAM”技術(shù)制造而成，它集成了“通道緩存”，由高速寄存器進行配置和控制。在實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐瑫r，VCM還維持著對傳統(tǒng)SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM內(nèi)存稱為VCM SDRAM。VCM與SDRAM的差別在于不論是否經(jīng)過CPU處理的數(shù)據(jù)，都可先交于VCM進行處理，而普通的SDRAM就只能處理經(jīng)CPU處理以后的數(shù)據(jù)，所以VCM要比SDRAM處理數(shù)據(jù)的速度快20％以上。目前可以支持VCM SDRAM的芯片組很多，包括：Intel的815E、VIA的694X等。

3．RDRAM

Intel在推出：PC-100后，由于技術(shù)的發(fā)展，PC-100內(nèi)存的800MB／s帶寬已經(jīng)不能滿足需求，而PC-133的帶寬提高并不大(1064MB／s)，同樣不能滿足日后的發(fā)展需求。Intel為了達到獨占市場的目的，與Rambus公司聯(lián)合在PC市場推廣Rambus DRAM(DirectRambus DRAM)，如圖4-3所示。

Rambus DRAM是：Rambus公司最早提出的一種內(nèi)存規(guī)格，采用了新一代高速簡單內(nèi)存架構(gòu)，基于一種RISC(Reduced Instruction Set Computing，精簡指令集計算機)理論，從而可以減少數(shù)據(jù)的復(fù)雜性，使得整個系統(tǒng)性能得到提高。Rambus使用400MHz的16bit總線，在一個時鐘周期內(nèi)，可以在上升沿和下降沿的同時傳輸數(shù)據(jù)，這樣它的實際速度就為400MHz×2＝800MHz，理論帶寬為(16bit×2×400MHz／8)1.6GB／s，相當(dāng)于PC-100的兩倍。另外，Rambus也可以儲存9bit字節(jié)，額外的一比特是屬于保留比特，可能以后會作為：ECC(ErroI·Checking and Correction，錯誤檢查修正)校驗位。Rambus的時鐘可以高達400MHz，而且僅使用了30條銅線連接內(nèi)存控制器和RIMM(Rambus In-line MemoryModules，Rambus內(nèi)嵌式內(nèi)存模塊)，減少銅線的長度和數(shù)量就可以降低數(shù)據(jù)傳輸中的電磁干擾，從而快速地提高內(nèi)存的工作頻率。不過在高頻率下，其發(fā)出的熱量肯定會增加，因此第一款Rambus內(nèi)存甚至需要自帶散熱風(fēng)扇。




內(nèi)存區(qū)別

DDR2與DDR的區(qū)別

與DDR相比，DDR2最主要的改進是在內(nèi)存模塊速度相同的情況下，可以提供相當(dāng)于DDR內(nèi)存兩倍的帶寬。這主要是通過在每個設(shè)備上高效率使用兩個DRAM核心來實現(xiàn)的。作為對比，在每個設(shè)備上DDR內(nèi)存只能夠使用一個DRAM核心。技術(shù)上講，DDR2內(nèi)存上仍然只有一個DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中處理4個數(shù)據(jù)而不是兩個數(shù)據(jù)。



與雙倍速運行的數(shù)據(jù)緩沖相結(jié)合，DDR2內(nèi)存實現(xiàn)了在每個時鐘周期處理多達4bit的數(shù)據(jù)，比傳統(tǒng)DDR內(nèi)存可以處理的2bit數(shù)據(jù)高了一倍。DDR2內(nèi)存另一個改進之處在于，它采用FBGA封裝方式替代了傳統(tǒng)的TSOP方式。

然而，盡管DDR2內(nèi)存采用的DRAM核心速度和DDR的一樣，但是我們?nèi)匀灰�使用新主板才能搭配DDR2內(nèi)存，因為DDR2的物理規(guī)格和DDR是不兼容的。首先是接口不一樣，DDR2的針腳數(shù)量為240針，而DDR內(nèi)存為184針；其次，DDR2內(nèi)存的VDIMM電壓為1.8V，也和DDR內(nèi)存的2.5V不同。



DDR2的定義：



DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕�本方式，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取）。換句話說，DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運行。



此外，由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，而不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅實的基礎(chǔ)。回想起DDR的發(fā)展歷程，從第一代應(yīng)用到個人電腦的DDR200經(jīng)過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術(shù)，第一代DDR的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限，已經(jīng)很難通過常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術(shù)的發(fā)展，前端總線對內(nèi)存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩(wěn)定運行頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢所趨。



DDR2與DDR的區(qū)別：



在了解DDR2內(nèi)存諸多新技術(shù)前，先讓我們看一組DDR和DDR2技術(shù)對比的數(shù)據(jù)。



1、延遲問題：

從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2內(nèi)存擁有兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的4BIT預(yù)讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都采用了在時鐘的上升延和下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕�本方式，但DDR2擁有兩倍于DDR的預(yù)讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。



這樣也就出現(xiàn)了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內(nèi)存中，后者的內(nèi)存延時要慢于前者。舉例來說，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而后者具有高一倍的帶寬。實際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高于DDR400。



2、封裝和發(fā)熱量：

DDR2內(nèi)存技術(shù)最大的突破點其實不在于用戶們所認(rèn)為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標(biāo)準(zhǔn)DDR的400MHZ限制。



DDR內(nèi)存通常采用TSOP芯片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當(dāng)頻率更高時，它過長的管腳就會產(chǎn)生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩(wěn)定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式。不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP封裝形式，F(xiàn)BGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了良好的保障。



DDR2內(nèi)存采用1.8V電壓，相對于DDR標(biāo)準(zhǔn)的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發(fā)熱量，這一點的變化是意義重大的。



DDR2采用的新技術(shù)：

除了以上所說的區(qū)別外，DDR2還引入了三項新的技術(shù)，它們是OCD、ODT和Post CAS。



OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅(qū)動調(diào)整，DDR II通過OCD可以提高信號的完整性。DDR II通過調(diào)整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號的完整性；通過控制電壓來提高信號品質(zhì)。



ODT：ODT是內(nèi)建核心的終結(jié)電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數(shù)據(jù)線終端反射信號需要大量的終結(jié)電阻。它大大增加了主板的制造成本。實際上，不同的內(nèi)存模組對終結(jié)電路的要求是不一樣的，終結(jié)電阻的大小決定了數(shù)據(jù)線的信號比和反射率，終結(jié)電阻小則數(shù)據(jù)線信號反射低但是信噪比也較低；終結(jié)電阻高，則數(shù)據(jù)線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主板上的終結(jié)電阻并不能非常好的匹配內(nèi)存模組，還會在一定程度上影響信號品質(zhì)。DDR2可以根據(jù)自已的特點內(nèi)建合適的終結(jié)電阻，這樣可以保證最佳的信號波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號品質(zhì)，這是DDR不能比擬的。



Post CAS：它是為了提高DDR II內(nèi)存的利用效率而設(shè)定的。在Post CAS操作中，CAS信號（讀寫/命令）能夠被插到RAS信號后面的一個時鐘周期，CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）后面保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設(shè)置。由于CAS信號放在了RAS信號后面一個時鐘周期，因此ACT和CAS信號永遠(yuǎn)也不會產(chǎn)生碰撞沖突。





總的來說，DDR2采用了諸多的新技術(shù)，改善了DDR的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨著技術(shù)的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決。




內(nèi)存頻率
內(nèi)存主頻和CPU主頻一樣，習(xí)慣上被用來表示內(nèi)存的速度，它代表著該內(nèi)存所能達到的最高工作頻率。內(nèi)存主頻是以MHz（兆赫）為單位來計量的。內(nèi)存主頻越高在一定程度上代表著內(nèi)存所能達到的速度越快。內(nèi)存主頻決定著該內(nèi)存最高能在什么樣的頻率正常工作。目前較為主流的內(nèi)存頻率室333MHz和400MHz的DDR內(nèi)存，以及533MHz和667MHz的DDR2內(nèi)存。



大家知道，計算機系統(tǒng)的時鐘速度是以頻率來衡量的。晶體振蕩器控制著時鐘速度，在石英晶片上加上電壓，其就以正弦波的形式震動起來，這一震動可以通過晶片的形變和大小記錄下來。晶體的震動以正弦調(diào)和變化的電流的形式表現(xiàn)出來，這一變化的電流就是時鐘信號。而內(nèi)存本身并不具備晶體振蕩器，因此內(nèi)存工作時的時鐘信號是由主板芯片組的北橋或直接由主板的時鐘發(fā)生器提供的，也就是說內(nèi)存無法決定自身的工作頻率，其實際工作頻率是由主板來決定的。



DDR內(nèi)存和DDR2內(nèi)存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示，工作頻率是內(nèi)存顆粒實際的工作頻率，但是由于DDR內(nèi)存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數(shù)據(jù)，因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的兩倍；而DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以四倍于工作頻率的速度讀/寫數(shù)據(jù)，因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是200/266/333/400MHz；DDR2 400/533/667/800的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是400/533/667/800MHz。



內(nèi)存異步工作模式包含多種意義，在廣義上凡是內(nèi)存工作頻率與CPU的外頻不一致時都可以稱為內(nèi)存異步工作模式。首先，最早的內(nèi)存異步工作模式出現(xiàn)在早期的主板芯片組中，可以使內(nèi)存工作在比CPU外頻高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是簡單相差33MHz)，從而可以提高系統(tǒng)內(nèi)存性能或者使老內(nèi)存繼續(xù)發(fā)揮余熱。其次，在正常的工作模式(CPU不超頻)下，目前不少主板芯片組也支持內(nèi)存異步工作模式，例如Intel 910GL芯片組，僅僅只支持533MHz FSB即133MHz的CPU外頻，但卻可以搭配工作頻率為133MHz的DDR 266、工作頻率為166MHz的DDR 333和工作頻率為200MHz的DDR 400正常工作(注意此時其CPU外頻133MHz與DDR 400的工作頻率200MHz已經(jīng)相差66MHz了)，只不過搭配不同的內(nèi)存其性能有差異罷了。再次，在CPU超頻的情況下，為了不使內(nèi)存拖CPU超頻能力的后腿，此時可以調(diào)低內(nèi)存的工作頻率以便于超頻，例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超頻，不少產(chǎn)品的外頻都可以輕松超上300MHz，而此如果在內(nèi)存同步的工作模式下，此時內(nèi)存的等效頻率將高達DDR 600，這顯然是不可能的，為了順利超上300MHz外頻，我們可以在超頻前在主板BIOS中把內(nèi)存設(shè)置為DDR 333或DDR 266，在超上300MHz外頻之后，前者也不過才DDR 500(某些極品內(nèi)存可以達到)，而后者更是只有DDR 400(完全是正常的標(biāo)準(zhǔn)頻率)，由此可見，正確設(shè)置內(nèi)存異步模式有助于超頻成功。



目前的主板芯片組幾乎都支持內(nèi)存異步，英特爾公司從810系列到目前較新的875系列都支持，而威盛公司則從693芯片組以后全部都提供了此功能。




內(nèi)存檢測


擁有一個完全可靠的 CPU 的確很重要，但擁有一個非常穩(wěn)固的 RAM 芯片也很重要。有些人認(rèn)為 SIMMS 和 DIMMS永遠(yuǎn)不會壞，從不需要測試。不幸的是，這種想法是錯誤的 -- 壞的內(nèi)存非常普遍，我們都需要注意內(nèi)存問題。另有一些人認(rèn)為如果可能有壞的 RAM，引導(dǎo)時 BIOS 內(nèi)存檢查會檢測出所有的 RAM 錯誤。這種想法也是錯誤的；BIOS 內(nèi)存檢查檢測不到許多壞的 RAM，所以不要讓 BIOS 檢查給您一種安全的錯覺。



壞內(nèi)存癥狀

這里有一些警告跡象指出您的機器包含壞的RAM,當(dāng)同時裝載大量的程序時，不時有某個程序無明顯原因地死掉。不時地，打開一個文件時，顯示文件被毀壞。如果稍后打開，文件看起來又好了。

可參閱 電腦內(nèi)存故障 詞條



Memtest86



Memtest86是極品內(nèi)存檢測軟件,是一款免費的內(nèi)存測試軟件，測試準(zhǔn)確度比較高，內(nèi)存的隱性問題也能檢查出來!是一款基于Linux核心的測試程序，所以它的安裝和使用和其它內(nèi)存測試軟件有些不同。將Memtest86程序下載解壓縮后，我們可以看到4個文件，其中Install.exe用來安裝Memtest86程序到軟盤。雙擊運行這個程序，在彈出窗口中的“Enter Target diskette drive：”后輸入你的軟盤驅(qū)動器的盤符，如a，然后回車。插入一張格式化過的軟盤，單擊回車開始安裝，這樣Memtest86就安裝到軟盤了。前面我們說過Memtest86是基于Linux核心的，所以在Windows資源管理器里我們看不到軟盤上的內(nèi)容（不要誤認(rèn)為軟盤里沒有內(nèi)容）。如果沒有軟驅(qū)，Memtest86的主頁有該軟件的ISO文件，可以直接刻錄到光盤，用光驅(qū)啟動后進行測試。



DocMemory



“內(nèi)存神醫(yī)”是一種先進的電腦內(nèi)存檢測軟件。它的友善的用戶界面使用方便，操作靈活。它可以檢測出所有電腦內(nèi)存故障�！皟�(nèi)存神醫(yī)”使用嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臏y試算法和程序檢測電腦基本內(nèi)存和擴展內(nèi)存。用戶無需拆除內(nèi)存條即可進行檢測。從網(wǎng)上下載的初裝軟件可以生成一個自行起動的“內(nèi)存神醫(yī)”測試軟盤。只要將這個軟盤插入欲測電腦的軟驅(qū)內(nèi)并起動電腦即可開始內(nèi)存檢測�！皟�(nèi)存神醫(yī)”提供十種精密的內(nèi)存檢測程序，其中包括MATS，MARCH+，MARCHC-，以及CHECKERBOARD等。選用老化測試可以檢測出95%以上內(nèi)存軟故障。用戶可以使用鼠標(biāo)器方便的選擇檢測程序和設(shè)定測試參數(shù)。



內(nèi)存選購
內(nèi)存的優(yōu)劣是決定計算機性能的另一個重要部件，它在所有電腦配件中的地位十分特殊，因為CPU進行數(shù)據(jù)處理時總是先到內(nèi)存找，找不到再到硬盤找。品質(zhì)優(yōu)異的內(nèi)存，穩(wěn)定性好，與主板兼容性好，可長時間保持不死機，運行大型軟件或3D游戲也相當(dāng)流暢（在保證一定的容量的情況下），因此，一條好的較大容量的內(nèi)存是配置一臺好電腦所必須的

內(nèi)存接口類型

接口類型是根據(jù)內(nèi)存條金手指上導(dǎo)電觸片的數(shù)量來劃分的，金手指上的導(dǎo)電觸片也習(xí)慣稱為針腳數(shù)（Pin）。因為不同的內(nèi)存采用的接口類型各不相同，而每種接口類型所采用的針腳數(shù)各不相同。

那些牌子的內(nèi)存比較好��？

多年以來，大多數(shù)用戶在裝機時會首先選擇市場上的兼容內(nèi)存條。因為從裝機者的角度考慮，兼容內(nèi)存條的價格較之品牌內(nèi)存條低了不少，這也是在很大程度上決定了消費者的購買取向。不過隨著過去一年內(nèi)存價格的起伏跌宕，使得兼容內(nèi)存條的價格優(yōu)勢已經(jīng)不再那么明顯。越來越多的裝機者開始關(guān)注品牌內(nèi)存，為了能讓消費者更好地了解市場上品牌內(nèi)存的特點，筆者今天就給大家做一些這方面的介紹�？匆豢雌放苾�(nèi)存的優(yōu)勢到底在哪里？

內(nèi)存單通道和雙通道是什么意思？

在這里筆者提醒大家：并不是選購了支持P4超線程的CPU就可以實現(xiàn)“超線程”技術(shù)，或者購入了兩條內(nèi)存就可以實現(xiàn)雙通道！其實，無論是“超線程”還是“雙通道”都需要硬件(CPU、主板、芯片組等)和軟件(如操作系統(tǒng)、相應(yīng)軟件)相互配合支持才能真正實現(xiàn)。



現(xiàn)在是買兩條512MB還是1GB好�。�

一般認(rèn)為，兩條512MB內(nèi)存的工作性能絕對要比單條1GB內(nèi)存更為出色，前提是主板支持雙通道內(nèi)存。兩條512MB內(nèi)存構(gòu)成雙通道效果會比一條1GB的內(nèi)存效果好，因為一條內(nèi)存無法構(gòu)成雙通道。 當(dāng)然也有不同看法，主要原因是為了以后方便升級到2GB。



內(nèi)存測試

有一個完全可靠的 CPU 的確很重要，但擁有一個非常穩(wěn)固的 RAM 芯片也很重要。有些人認(rèn)為 SIMMS 和 DIMMS 永遠(yuǎn)不會壞，從不需要測試。不幸的是，這種想法是錯誤的 -- 壞的內(nèi)存非常普遍，我們都需要注意內(nèi)存問題。另有一些人認(rèn)為如果可能有壞的 RAM，引導(dǎo)時 BIOS 內(nèi)存檢查會檢測出所有的 RAM 錯誤。這種想法也是錯誤的；BIOS 內(nèi)存檢查檢測不到許多壞的 RAM，所以不要讓 BIOS 檢查給您一種安全的錯覺。




內(nèi)存品牌
為了讓大家更好的了解市場上有哪些發(fā)燒內(nèi)存條可供選用，下面我們以廠商為列做個概括介紹。

現(xiàn)代（HY）

個人認(rèn)為，原廠現(xiàn)代和三星內(nèi)存是目前兼容性和穩(wěn)定性最好的內(nèi)存條，其比許多廣告吹得生猛的內(nèi)存條要來得實在得多，此外，現(xiàn)代"Hynix（更專業(yè)的稱呼是海力士半導(dǎo)體Hynix Semiconductor Inc.）"的D43等顆粒也是目前很多高頻內(nèi)存所普遍采用的內(nèi)存芯片。目前，市場上超值的現(xiàn)代高頻條有現(xiàn)代原廠DDR500內(nèi)存，采用了TSOP封裝的HY5DU56822CT-D5內(nèi)存芯片，其性價比很不錯。



金士頓（Kingston）

作為世界第一大內(nèi)存生產(chǎn)廠商的Kingston，其金士頓內(nèi)存產(chǎn)品在進入中國市場以來，就憑借優(yōu)秀的產(chǎn)品質(zhì)量和一流的售后服務(wù)，贏得了眾多中國消費者的心。

不過Kingston雖然作為世界第一大內(nèi)存生產(chǎn)廠商，然而Kingston品牌的內(nèi)存產(chǎn)品，其使用的內(nèi)存顆粒確是五花八門，既有Kingston自己顆粒的產(chǎn)品，更多的則是現(xiàn)代（Hynix）、三星（Samsung）、南亞（Nanya）、華邦（Winbond）、英飛凌（Infinoen）、美光（Micron）等等眾多廠商的內(nèi)存顆粒。

Kingston的高頻內(nèi)存有采用"Hynix"D43顆粒和Winbond的內(nèi)存顆粒的金士頓DDR400、DDR433-DDR500內(nèi)存等，其分屬ValueRam系列（經(jīng)濟型）和HyperX系列。

Kingston的ValueRam系列，價格與普通的DDR400一樣，但其可以超頻到DDR500使用。而Kingston的HyperX系列其超頻性也不錯，Kingston 500MHz的HyperX超頻內(nèi)存（HyperX PC4000）有容量256MB、512MB單片包裝與容量512MB與1GB雙片的包裝上市，其電壓為2.6伏特，采用鋁制散熱片加強散熱，使用三星K4H560838E-TCCC芯片，在DDR400下的CAS值為2.5，DDR500下的CAS值為3，所以性能也一般。



利屏

利屏是進來新近崛起的一個內(nèi)存新秀。利屏科技（深圳）有限公司總部設(shè)在美國西部風(fēng)景如畫的世界高科技重鎮(zhèn)舊金山。公司致力于研發(fā)、生產(chǎn)和銷售利屏LPT極限高端內(nèi)存條產(chǎn)品。公司擁有一支技術(shù)過硬的產(chǎn)品研發(fā)團隊和足跡遍及中、外的專業(yè)銷售隊伍。產(chǎn)品深受廣大游戲玩家和超頻愛好者的喜愛。同時被冠以“超頻之神”的美譽。

“利屏”眼鏡蛇DDR400系列內(nèi)存也是專門為追求性能的玩家所設(shè)計，它采用的也是D43的顆粒，但是時序更高，為了加強散熱更是加上了金屬散熱片，其超頻能力相當(dāng)強勁，在加0.1V左右的電壓下可以超頻到DDR520。而利屏的DDR466內(nèi)存，它采用的是編號為K4H560838E-TCCC的三星顆粒，運行在DDR466的時候內(nèi)存時序為3-4-4-8，但其256MB容量接近500元的報價就顯得太高了。

而利屏的高端極限內(nèi)存DDR560，提供單片256MB和512MB包裝，同時雙片裝的512MB和1024MB支持雙通道架構(gòu)，每條內(nèi)存的表面均有銅質(zhì)散熱片進行散熱及確保運行的穩(wěn)定性，其CAS值均為3，只能說剛好能用而已。



勤茂（TwinMOS）

勤茂（TwinMOS）CAS為2的DDR433內(nèi)存，采用CSP技術(shù)封裝—這款，勤茂DDR433內(nèi)存的CAS Latency控制在2，Burst Length控制在2、4、8，性能指數(shù)不錯。此外，內(nèi)存外面包裹著金黃色內(nèi)存罩，能起到散熱和屏蔽的作用，內(nèi)存顆粒與散熱片之間則填充了導(dǎo)熱的墊片。價格在350元左右，其可超性也不含糊，性價比不錯。



勝創(chuàng)（Kingmax）

成立于1989年的勝創(chuàng)科技有限公司是一家名列中國臺灣省前200強的生產(chǎn)企業(yè)（Commonwealth Magazine，May 2000），同時也是內(nèi)存模組的引領(lǐng)生產(chǎn)廠商。

通過嚴(yán)格的質(zhì)量控制和完善的研發(fā)實力，勝創(chuàng)科技獲得了ISO-9001證書，同時和IT行業(yè)中最優(yōu)秀的企業(yè)建立了合作伙伴關(guān)系。公司以不斷創(chuàng)新的設(shè)計工藝和追求完美的信念生產(chǎn)出了高性能的尖端科技產(chǎn)品，不斷向移動計算領(lǐng)域提供價廉物美的最出色的內(nèi)存模組。

在SDRAM時期，Kingmax就曾成功的建造了PC150帝國，開啟了內(nèi)存產(chǎn)品的高速時代，也奠定了Kingmax在內(nèi)存領(lǐng)域領(lǐng)先的地位。而今DDR來了，從266到300，再到現(xiàn)在的500，Kingmax始終保持著領(lǐng)先的位置，繼續(xù)引領(lǐng)著內(nèi)存發(fā)展的方向。說到KingMax內(nèi)存，就不能不說到它獨特的 “TinyBGA”封裝技術(shù)專利——作為全球領(lǐng)先的DRAM生產(chǎn)廠商，勝創(chuàng)科技在1997年宣布了第一款基于TinyBGA封裝技術(shù)的內(nèi)存模組，這項屢獲殊榮的封裝技術(shù)能以同樣的體積大小封裝3倍于普通技術(shù)所達到的內(nèi)存容量。同時，勝創(chuàng)科技還研制了為高端服務(wù)器和工作站應(yīng)用設(shè)計的1GB StackBGA模組、為DDR應(yīng)用設(shè)計的FBGA模組以及為Rambus RIMM應(yīng)用設(shè)計的速度高達1.6GB/秒的flip-chip BGA/DCA模組。

Kingmax勝創(chuàng)推出的低價版的DDR433內(nèi)存產(chǎn)品，該產(chǎn)品采用傳統(tǒng)的TSOP封裝內(nèi)存芯片，工作頻率433MHz。Kingmax推出的這個SuperRam PC3500系列的售價和PC3200處于同一檔次，這為那些熱衷超頻又手頭不寬裕的用戶提供了一個不錯的選擇。此外，Kingmax也推出了CL-3的DDR500內(nèi)存產(chǎn)品，其性能和其它廠家的同類產(chǎn)品大同小異。



海盜旗（Corsair）

Corsair（海盜旗）是一家較有特點的內(nèi)存品牌，其內(nèi)存條都包裹著一層黑色金屬外殼，這層金屬殼緊貼在內(nèi)存顆粒上，一方面可以屏蔽其他的電磁干擾。其代表產(chǎn)品如Corsair TwinX PC3200（CMX512-3200XL）內(nèi)存，其在DDR400下，可以穩(wěn)定運行在CL2-2-2-5-T1下，將潛伏期和尋址時間縮短為原來的一半，這款內(nèi)存并不比一些DDR500產(chǎn)品差，而且Corsair為這種內(nèi)存提供終身保修。

而Corsair DDR500內(nèi)存采用Hynix芯片，這款XMS4000能穩(wěn)定運行在DDR500，并且可以超頻到DDR530，在DDR500下其CAS值為2.5，性能還算不錯。



宇瞻（Apacer）

在內(nèi)存市場，Apacer一直以來都有著較好的聲譽，其SDRAM時代的WBGA封裝也響徹一時，在DDR內(nèi)存上也樹立了良好形象。宇瞻科技隸屬宏基集團，實力非常雄厚。初期專注于內(nèi)存模組行銷，并已經(jīng)成為全球前四大內(nèi)存模組供應(yīng)商之一。據(jù)權(quán)威人士透露，在國際上，宇瞻的品牌知名度以及產(chǎn)品銷量與目在前國內(nèi)排名第一的品牌持平甚至超過，之所以在國內(nèi)目前沒有坐到龍頭位置，是因為宇瞻對于品牌宣傳一直比較低調(diào)，精力更多投入到產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)而不是品牌推廣當(dāng)中。

最近，宇瞻相應(yīng)推出的"宇瞻金牌內(nèi)存"系列。宇瞻金牌內(nèi)存產(chǎn)品線特別為追求高穩(wěn)定性、高兼容性的內(nèi)存用戶而設(shè)計。宇瞻金牌內(nèi)存堅持使用100％原廠測試顆粒（決不使用OEM顆粒）是基于現(xiàn)有最新的DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計而成，經(jīng)過ISO 9002認(rèn)證之工廠完整流程生產(chǎn)制造。采用20微米金手指高品質(zhì)6層PCB板，每條內(nèi)存都覆蓋有美觀精質(zhì)的黃金色金屬銘牌，而且通過了最高端的Advantest測試系統(tǒng)檢測后，采用高速SMT機臺打造，經(jīng)過高低壓、高低溫、長時間的密封式空間嚴(yán)苛測試，并經(jīng)過全球知名系統(tǒng)及主板大廠完全兼容性測試，品質(zhì)與兼容性都得到最大限度的保證。

宇瞻的DDR500內(nèi)存（PC4000內(nèi)存）采用金黃色的散熱片和綠色的PCB板搭配。金屬散熱片的材質(zhì)相當(dāng)不錯，在手中有種沉甸甸的感覺，為了防止氧化，其表面被鍍成了金色。內(nèi)存顆粒方面，這款內(nèi)存采用了三星的內(nèi)存顆粒，具體型號為：K4H560838E-TCC5，為32Mx8規(guī)格DDR466@CL=3的TSOPII封裝顆粒，標(biāo)準(zhǔn)工作電壓2.6V+-0.1V，標(biāo)準(zhǔn)運行時序CL-tRCD-tRP為3-4-4。在DDR500下其CL值為3，性能將就。



金邦（Geil）

金邦科技股份有限公司是世界上專業(yè)的內(nèi)存模塊制造商之一。全球第一家也是唯一家以漢字注冊的內(nèi)存品牌，并以中文命名的產(chǎn)品"金邦金條"、"千禧條GL2000"迅速進入國內(nèi)市場，在極短的時間內(nèi)達到行業(yè)銷量遙遙領(lǐng)先。第一支"量身訂做，終身保固"記憶體模組的內(nèi)存品牌，首推"量身訂做"系列產(chǎn)品，使計算機進入最優(yōu)化狀態(tài)。在聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會JEDEC尚未通過DDR400標(biāo)準(zhǔn)的情況下，率先推出第一支"DDR400"并成功于美國上市。

金邦高性能、高品質(zhì)和高可靠性的內(nèi)存產(chǎn)品，引起業(yè)界和傳媒的廣泛關(guān)注。在過去幾年中，金邦內(nèi)存多次榮獲國內(nèi)權(quán)威雜志評為讀者首選品牌和編輯選擇獎，穩(wěn)奪國內(nèi)存儲器市場占有率三強。

金邦的Geil Platinum系列的DDR500內(nèi)存（PC4000），采用TSOPII封裝，使用了純銅內(nèi)存散熱片，可較妥善的解決內(nèi)存的散熱問題。采用六層低電磁干擾PCB板設(shè)計；單條容量256MB，在內(nèi)存芯片上做了整體打磨并上打上了Geil的印記，"號稱"使用了4ns的內(nèi)存芯片，但仍可以看出其是采用Hynix的內(nèi)存顆粒。額定工作頻率可達500MHz，在內(nèi)存參數(shù)方面這是默認(rèn)為CL3，可達CL2.5。除此而外，其還有金條PC4200（DDR533）等款產(chǎn)品。



威剛（ADATA）

威剛的高頻內(nèi)存有DDR450、460、500等。Adata DDR500是一款價格適宜的DDR500產(chǎn)品，CAS值為3，其沒有使用散熱片，在芯片上的標(biāo)簽顯示了Adata ID號。



OCZ

OCZ的高頻內(nèi)存在市場上也越來越常見，如OCZ 3700 Gold，使用三星TCB3芯片，采用改良的散熱片，標(biāo)上有OCZ ID號及標(biāo)準(zhǔn)速度，其可以達到DDR500的水準(zhǔn)，在DDR400/500下其CAS值均為2.5，還算不錯。

• 通信詞典解釋