臺(tái)積電美國(guó)廠良率超中國(guó)臺(tái)灣工廠:但成本高出30%

據(jù)媒體報(bào)道,臺(tái)積電在美國(guó)亞利桑那州的工廠良率已超越中國(guó)臺(tái)灣的同級(jí)廠房。該工廠將于 2025 年下半年開(kāi)始量產(chǎn) 4nm 工藝,蘋(píng)果、NVIDIA、AMD 和高通等客戶將成為主要客戶。

臺(tái)積電美國(guó)分部總裁卡希迪(Rick Cassidy)表示,亞利桑那州鳳凰城的第一座晶圓廠良率比中國(guó)臺(tái)灣高出 4%,良率提升意味著生產(chǎn)效率提高,有助于承擔(dān)先進(jìn)芯片的昂貴制造成本。

然而,還有消息指出,臺(tái)積電在亞利桑那州的生產(chǎn)成本將比直接從臺(tái)灣采購(gòu)高出約 30%,主要原因是美國(guó)缺乏穩(wěn)定制程良率的材料,以及半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的短缺。這一成本差異可能會(huì)使得蘋(píng)果、NVIDIA、AMD 和高通等主要客戶需要支付更大的金額,最終可能反映在消費(fèi)產(chǎn)品的定價(jià)上。

臺(tái)積電亞利桑那州工廠的第一階段計(jì)劃生產(chǎn) 4 納米晶圓,而第二階段計(jì)劃在 2028 年量產(chǎn) 2 納米晶圓。


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