富士通推出數(shù)據(jù)傳輸速度高達(dá)每秒54 MB的4 Mbit QSPI FRAM

    【移動(dòng)通信網(wǎng)】富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布,成功開發(fā)具有4Mbit記憶容量的、帶有高速Q(mào)SPI接口的全新FRAM(鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存)產(chǎn)品MB85RQ4ML,此產(chǎn)品在同類競品中擁有最高密度和最快傳輸速度,并開始以樣品量供貨。由于其兼顧高速傳輸和FRAM的特性,因此特別適用于網(wǎng)絡(luò)建置、RAID控制器及工業(yè)運(yùn)算等領(lǐng)域。

    為滿足市場(chǎng)對(duì)FRAM接口速度提升的迫切需求,富士通目前已成功開發(fā)MB85RQ4ML4MbitFRAM,在FRAM產(chǎn)品線中擁有最高數(shù)據(jù)傳輸速度(圖一)。

圖一:采用16針腳SOP的MB85RQ4ML

    此產(chǎn)品采用單一1.8V電源供應(yīng)器QSPI接口,能以108MHz運(yùn)作頻率達(dá)到每秒54MB的數(shù)據(jù)傳輸速度。富士通以往的產(chǎn)品中,采用44針TSOP封裝且擁有16-bit并行接口的4MbitFRAM傳輸速度最快,為每秒13MB。而此全新產(chǎn)品的數(shù)據(jù)讀寫速度領(lǐng)先前者將近四倍之高,且所用引腳數(shù)更少(圖三)。

圖二:數(shù)據(jù)傳輸率比較

    其定位介于數(shù)據(jù)儲(chǔ)存用的高容量非揮發(fā)性內(nèi)存與高速作業(yè)內(nèi)存之間,并以高速存取及數(shù)據(jù)備份支持?jǐn)?shù)據(jù)寫入,例如必須持續(xù)寫入設(shè)定數(shù)據(jù)的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,像路由器等(圖三)。

圖三:內(nèi)存于網(wǎng)絡(luò)裝置的使用案例

    仰賴海量數(shù)據(jù)處理能力的物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng),隨著數(shù)據(jù)處理量不斷增加,內(nèi)存亦必須頻繁地執(zhí)行數(shù)據(jù)改寫;此外,從安全觀點(diǎn)來看,保留存取記錄也將更受到重視。有鑒于此,此產(chǎn)品能透過保留網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域中存取信息而促進(jìn)設(shè)備效能的改善。因此,富士通充分運(yùn)用FRAM的非揮發(fā)性、高速讀寫周期、高讀寫耐用度及低功耗特性,為穿戴式市場(chǎng)及物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)帶來使用FRAM的解決方案,為客戶帶來更具價(jià)值且更加便利的應(yīng)用。

    產(chǎn)品規(guī)格

    組件料號(hào):MB85RQ4ML

    內(nèi)存密度(組態(tài)):4Mbit(512K字符x8位)

    界面:SPI/QuadSPI

    運(yùn)作電壓:1.7–1.95伏特

    保證讀/寫周期:10兆次

    數(shù)據(jù)保留:10年(85度時(shí))


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