通信網(wǎng)banner.jpg)
三星電子高管透露 3nm GAA 工藝進(jìn)入穩(wěn)定階段
據(jù)韓媒 chosun 昨日（12 月 11 日）報(bào)道，三星電子高管透露，第 2 代 3nm GAA（Gate-All-Around）工藝進(jìn)入穩(wěn)定階段，并稱 System SLI 和代工廠事業(yè)部之間已結(jié)束“互相推諉責(zé)任”，改而合作推進(jìn)新芯片商用。
Exynos 2500 的研發(fā)目標(biāo)是 Galaxy S25 系列，但受三星晶圓代工（Foundry）事業(yè)部 3 納米制程良率低下的制約，以及性能方面落后于高通驍龍系列的因素，導(dǎo)致整個(gè)移動(dòng) AP 業(yè)務(wù)陷入危機(jī)。
而最新消息稱三星已解決 3 納米良率問(wèn)題，為 Exynos 2500 的應(yīng)用鋪平了道路，但報(bào)告中并未提及具體良率比例。
三星電子高管向該媒體透露，在 3 納米第 2 代晶圓代工工藝中，首次應(yīng)用了全環(huán)繞晶體管（GAA）技術(shù)，確實(shí)在量產(chǎn)方面遇到了一些困難。但現(xiàn)在工藝已經(jīng)穩(wěn)定，開(kāi)始量產(chǎn)只是時(shí)間問(wèn)題。由于初期產(chǎn)量不足，Galaxy S25 系列可能難以搭載該技術(shù)，但 Z Flip 系列（應(yīng)該是指 Galaxy Z Flip7 和 Galaxy Z Flip FE）完全可以搭載該芯片。
一直以來(lái)，Exynos 2500 的商業(yè)化之路并不順利，晶圓代工事業(yè)部和系統(tǒng) LSI 事業(yè)部之間互相推諉責(zé)任是事實(shí)。但是現(xiàn)在，為了穩(wěn)定工藝，雙方已達(dá)成協(xié)議，最大限度地加強(qiáng)合作。
