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據(jù)外媒消息，三星有望從其第 10 代 NAND 開(kāi)始采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專(zhuān)利混合鍵合技術(shù)。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)四年前率先將“晶棧（Xtacking）”架構(gòu)混合鍵合技術(shù)應(yīng)用于 3D NAND 閃存，伴隨著技術(shù)發(fā)展，長(zhǎng)存也在這一技術(shù)上積累了大量專(zhuān)利。
三星在之前的 NAND 閃存里采用了COP（Cell-on-Periphery）結(jié)構(gòu)，將外圍電路放在一塊晶圓上，然后單元堆疊在上面，不過(guò)當(dāng)層數(shù)超過(guò) 400 層時(shí)，下層外圍電路的壓力會(huì)影響可靠性。改用混合鍵合技術(shù)后，消除了對(duì)凸塊的需求，縮短了電路，從而提高了性能和散熱性。
三星的目標(biāo)是在 2025 年下半年開(kāi)始量產(chǎn)第 10 代 V-NAND 閃存，預(yù)計(jì)總層數(shù)達(dá)到 420 層至 430 層。
此外，傳聞 SK 海力士也正在與長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)行專(zhuān)利協(xié)議的談判。據(jù)了解，目前 Xperi、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、以及臺(tái)積電擁有大多數(shù)混合鍵合技術(shù)的專(zhuān)利。三星之所以選擇與長(zhǎng)江存儲(chǔ)合作，很大程度上是因?yàn)榻酉聛?lái)的第 11 代和第 12 代 V-NAND 閃存都很難繞過(guò)后者的專(zhuān)利，SK 海力士可能面臨相同的處境。
