這一計劃的提出顯示了印度在半導體領域追求創(chuàng)新和突破的決心。埃米級 2D 非硅芯片的開發(fā)將為印度提供一個機會，在全球半導體市場中占據一席之地。
石墨烯和過渡金屬硫化物作為制造芯片的材料具有獨特的優(yōu)勢。石墨烯具有出色的電學性能和機械強度，而過渡金屬硫化物則在電子遷移率和能帶隙調控方面表現(xiàn)出色。這些特性使得它們成為制造高性能、低功耗芯片的理想選擇。
然而，要實現(xiàn)這一目標，印度還需要克服許多挑戰(zhàn)。其中包括材料的大規(guī)模生產、芯片制造工藝的優(yōu)化以及相關產業(yè)生態(tài)系統(tǒng)的建設等。此外，獲得足夠的政府資金支持也是關鍵因素之一。
如果印度能夠成功開發(fā)出埃米級 2D 非硅芯片，將對該國的科技和經濟發(fā)展產生深遠影響。這不僅將提升印度在半導體領域的地位，還將為其他領域的創(chuàng)新提供強大的支持。
總的來說，印度科學家的這一計劃為該國的半導體產業(yè)帶來了新的希望。然而，要將這一計劃變?yōu)楝F(xiàn)實，還需要各方共同努力，包括政府、科研機構和企業(yè)等。相信在大家的共同努力下，印度有望在半導體領域取得重要的突破。
