RF功率器件的設(shè)計(jì)及應(yīng)用

　　為滿足晶體管用戶的需求，有源器件的功率密度持續(xù)增長。商用無線通訊、航空電子、廣播、工業(yè)以及醫(yī)療系統(tǒng)應(yīng)用推動固態(tài)功率封裝隨著更小輸出級器件輸出更高輸出功率的要求而發(fā)展。對飛思卡爾半導(dǎo)體公司而言，為這些應(yīng)用提供高性能射頻以及微波晶體管并不是一個大挑戰(zhàn)，該公司的產(chǎn)品在特性、封裝以及應(yīng)用工程方面具有明顯優(yōu)勢。

　　飛思卡爾半導(dǎo)體在生產(chǎn)及銷售分立和集成射頻半導(dǎo)體器件方面具有雄厚實(shí)力。該公司采用HV7工藝的第七代硅RF外側(cè)擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS），在3.8GHz范圍內(nèi)具有滿足WiMAX基礎(chǔ)設(shè)施的輸出功率和線性性能。飛思卡爾面向工業(yè)、科學(xué)以及醫(yī)療（ISM）應(yīng)用的高電壓HV7工藝支持48V工作電壓，該公司還將其大功率GaAs PHEMT器件的工作頻率擴(kuò)展到6GHz，可用于WiMAX放大器。

　　最近，飛思卡爾半導(dǎo)體宣布推出第一款具有100W輸出功率的兩級射頻集成電路（RF IC）。當(dāng)由該公司高性價比的MMG3005N通用放大器（GPA）驅(qū)動時，MWE6IC9100N和MW7IC181 00N RF IC構(gòu)成了工作在900和1，800MHz的無線基站100W功率放大器完整解決方案。

　　雖然這些分立以及集成RF功率器件的性能非常優(yōu)異，但將這些器件交至客戶手中僅僅是開始。事實(shí)上，每次交付使用都將由飛思卡爾的技術(shù)人員提供各種測試、建模、封裝以及應(yīng)用支持。

　　RF功率特性

　　負(fù)載拉移測量技術(shù)在最近幾年愈來愈受歡迎，該技術(shù)通常被用來測量RF功率放大器的參數(shù)，比如峰值輸出功率、增益，以及在器件參考平面出現(xiàn)的各種復(fù)雜負(fù)載條件下的效率。在同一測量環(huán)境中采用多種復(fù)雜的調(diào)制信號也越來越普遍。對大功率RF半導(dǎo)體生產(chǎn)商而言，準(zhǔn)確表征產(chǎn)品的特性還存在困難，與此同時開發(fā)這類器件還必須采用大的外圍設(shè)備。這類設(shè)備一般為60mm，終端阻抗低于0.5Ω，品質(zhì)因數(shù)（Q）在8至10之間。

　　飛思卡爾公司的射頻部門已開發(fā)出幾種增強(qiáng)精度的技術(shù)和以及多種自動定制測量技術(shù)。該部門具有高反射（高γ）負(fù)載拉移實(shí)驗(yàn)室，測試頻率覆蓋250MHz至8GHz，測試功率高達(dá)100W連續(xù)功率（CW）（或者500W脈沖功率），可為該公司的GaAs、GaN和LDMOS器件、建模、應(yīng)用和其它功能小組提供服務(wù)（圖1）。飛思卡爾具有對0.5Ω以及更低阻抗器件實(shí)現(xiàn)先進(jìn)測量的能力，為此該公司開發(fā)出了一系列專門測試設(shè)備來優(yōu)化阻抗變換比，將50Ω系統(tǒng)特性阻抗轉(zhuǎn)變?yōu)榇蠊β示�體管負(fù)載拉移測量所需的低阻抗。

　　除基于夾具的系統(tǒng)外，飛思卡爾還采用基于商用晶圓探針測試設(shè)備的晶圓上負(fù)載拉移系統(tǒng)，該系統(tǒng)主要用于器件的研究、開發(fā)及建模。晶圓上負(fù)載拉移系統(tǒng)采用獨(dú)特的三維抗振動機(jī)制來減小調(diào)諧振動的影響，從而將探針到晶圓的接觸損傷降至最小。

　　飛思卡爾半導(dǎo)體公司的負(fù)載拉移系統(tǒng)具有很高的精度，通常在γ值最大（0.93至0.95或Smit*邊沿）的情況下，傳感器差分增益ΔGt小于0.25dB，并且在測量區(qū)域內(nèi)小于0.1dB。這一精度水平是通過在所有測量參考面采用高精度的7mm同軸連接器來實(shí)現(xiàn)的，這些連接器的在2GHz下的電壓駐波比（VSWR）一般為1.008:1。另外一些特性也為達(dá)到這個精度提供了保障，這些特性包括：中心接觸阻抗小于0.1mΩ、良好的校正特性、單元至單元阻抗變化小于0.1%、在18GHz頻率下的相變小于0.21度。

　　結(jié)合使用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀與負(fù)載拉移測試系統(tǒng)，并采用穿透-反射-線（TRL）校正法，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)于45dB的源匹配。與其VNA校正方法，如短路-開路-負(fù)載-穿透（SOLT）法相比，TRL校正法不受高頻下校正負(fù)載標(biāo)準(zhǔn)的寄生電路元件（固有的額外電容及電感）的影響。

　　通常，對每個調(diào)諧器要測試5，000至6，000個阻抗點(diǎn)，從而確保阻抗點(diǎn)在源和負(fù)載阻抗平面內(nèi)均勻分布。當(dāng)非匹配外圍設(shè)備的終端阻抗很低時，這些設(shè)備對很小的阻抗變化非常敏感，因此對它們的測試需要高密度的測試點(diǎn)。在*估包含封裝匹配部分的阻抗較高的產(chǎn)品時，不要求如此高的測試密度，此時可以進(jìn)行測試點(diǎn)稀疏的負(fù)載拉移測試。

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　　典型的負(fù)載拉移設(shè)置如圖2所示。在飛思卡爾，采用負(fù)載拉移系統(tǒng)來*價器件的峰值脈沖壓縮、AM-AM轉(zhuǎn)換、AM-PM轉(zhuǎn)換、頻率響應(yīng)以及大信號器件輸入阻抗等。該系統(tǒng)也可以用于復(fù)合信號的測量，以確定平均和峰值功率、鄰道功率（ACP）、雙音和多音交調(diào)失真（IMD）測試等，并*估器件在EDGE信號不同負(fù)載條件下的行為。飛思卡爾還進(jìn)行器件信號功率的互補(bǔ)累積分布函數(shù)（CCDF）分析。CCDF測試是常見的第二代（2G）和第三代（3G）無線測量。實(shí)現(xiàn)CW、脈沖以及調(diào)制信號測量的要求來自于這些信號在器件上產(chǎn)生不同熱負(fù)載的事實(shí)，因此，對每個調(diào)制格式優(yōu)化的負(fù)載阻抗也是不同的，如圖3所示。除這一廣泛的測量能力以外，飛思卡爾已開發(fā)了獨(dú)具價值的數(shù)據(jù)輸入和后處理工具，使用戶能夠快速分析二維或三維平面下被測試器件（DUT）的行為（圖4）。

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　　脈沖VNA負(fù)載拉移技術(shù)被用來測量飛思卡爾公司廣泛的功率晶體管產(chǎn)品，包括170W WCDMA器件MRF7S21170H。該器件的負(fù)載拉移功率等高線顯示，1dB壓縮點(diǎn)的脈沖輸出功率高于+53dBm（200W），2.14GHz頻率下的增益為19.94dB（圖5）。由于具有這些技術(shù)，MRF7S21170H的最終匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)變成非常簡單，只需為同時優(yōu)化功率密度、增益、效率，以及綜合的匹配網(wǎng)絡(luò)而選擇負(fù)載和源阻抗。

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