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中國(guó)半導(dǎo)體國(guó)家隊(duì)紫光集團(tuán)與武漢新芯在日前合并，組成長(zhǎng)江存儲(chǔ)全力發(fā)展存儲(chǔ)，其傾國(guó)家之力建設(shè)的國(guó)家存儲(chǔ)基地也于 2016 年底動(dòng)工，中國(guó)存儲(chǔ)之路到底走到什么境地？從前武漢新芯CEO、現(xiàn)任長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧參與技術(shù)論壇的言論，或能透露更多端倪。
中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)交流平臺(tái) IC 咖啡 14 日在中國(guó)上海舉辦了“匠心獨(dú)運(yùn)、卓越創(chuàng)芯”技術(shù)峰會(huì)，前武漢新芯CEO、現(xiàn)任長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧以“發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略思考”為題進(jìn)行演講，會(huì)中也透露了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的存儲(chǔ)發(fā)展策略，與目前技術(shù)進(jìn)展。
武漢新芯原為中國(guó)選定的存儲(chǔ)發(fā)展主力廠商，當(dāng)時(shí)武漢新芯以 NAND Flash 做切入，展開一連串布局，包含在 2015 年與現(xiàn)已并入賽普拉斯（Cypress）的飛索半導(dǎo)體（Spansion）技術(shù)合作，在武漢新芯與紫光合并組成長(zhǎng)江存儲(chǔ)后，仍維持當(dāng)時(shí)的發(fā)展策略，以 3D NAND Flash 做為策略發(fā)展重點(diǎn)。
對(duì)此，楊士寧指出，選擇 3D NAND 為突破口是企業(yè)需求、外部機(jī)遇與市場(chǎng)動(dòng)力的吻合。是技術(shù)問題，更是經(jīng)濟(jì)問題。他進(jìn)一步解釋道，DRAM 與 2D NAND 都面臨競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手折舊后設(shè)備的大量產(chǎn)能，而 3D NAND Flash 增量巨大，且為目前眾存儲(chǔ)廠商爭(zhēng)相競(jìng)逐發(fā)展的新領(lǐng)域，擁有較佳的發(fā)展機(jī)會(huì)。
楊士寧透露，長(zhǎng)江存儲(chǔ) 32 層 3D NAND Flash 發(fā)展順利，產(chǎn)品指標(biāo)也良好，預(yù)計(jì)將在 2019 年實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能滿載。甚至豪言，要在 2019 年與內(nèi)存前幾大業(yè)者技術(shù)差距拉近至半代，并于 2020 年追上世界領(lǐng)先技術(shù)。
先前有傳聞，長(zhǎng)江存儲(chǔ)預(yù)計(jì)在 2017 年發(fā)展出 32 層堆疊 3D NAND Flash 產(chǎn)品，對(duì)此長(zhǎng)江存儲(chǔ)今 16 日特定發(fā)布消息強(qiáng)調(diào)，公司從未發(fā)布過 32 層 3D NAND 在今年量產(chǎn)的信息。
