明年內(nèi)存芯片市場低迷 三星計劃放緩擴(kuò)張步伐

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北京時間11月26日晚間消息,據(jù)《韓國先驅(qū)報》(Korea Herald)報道,由于分析師對2019年全球半導(dǎo)體市場的預(yù)期比較悲觀,全球最大存儲芯片供應(yīng)商三星電子正考慮放緩擴(kuò)大生產(chǎn)設(shè)施的步伐。

在上周舉行的全球商業(yè)戰(zhàn)略會議上,三星電子“設(shè)備解決方案部門”的主要議程就是:如何應(yīng)對明年可能出現(xiàn)的內(nèi)存芯片供應(yīng)過剩的局面。當(dāng)前,業(yè)界普遍預(yù)計明年的內(nèi)存芯片需求將出現(xiàn)下滑。

一位業(yè)內(nèi)人士稱:“在一場由三星電子聯(lián)席CEO、設(shè)備解決方案部門負(fù)責(zé)人金奇南(Kim Ki-nam)和三星電子海外分支機(jī)構(gòu)負(fù)責(zé)人主持的會議上,三星討論了調(diào)整DRAM和NAND閃存芯片產(chǎn)能增長步伐的問題!

有新聞報道稱,三星計劃明年削減內(nèi)存芯片的產(chǎn)量,使DRAM和NAND芯片產(chǎn)量漲幅分別低于20%和30%。三星在今年11月召開的第三季度財報電話會議上曾表示,今年DRAM芯片的“位增長”(Bit growth)預(yù)計將達(dá)到20%,而NAND芯片“位增長”有望達(dá)到約40%。

“位增長”是指以“位”為單位,計算內(nèi)存芯片增加的規(guī)模,這有助于計算出每一家芯片供應(yīng)商的產(chǎn)能。據(jù)業(yè)內(nèi)觀察家稱,隨著“位增長”預(yù)期的降低,預(yù)計三星將保守地執(zhí)行其內(nèi)存生產(chǎn)投資計劃。

因此,三星在慶吉省平澤(Pyeongtaek)最新的園區(qū)、投資30萬億韓元建設(shè)第二條DRAM芯片生產(chǎn)線的投資計劃,在執(zhí)行方面可能要比最初計劃的更謹(jǐn)慎。這樣,三星可以通過限制新的供應(yīng)增長,來預(yù)防內(nèi)存價格的下滑。按照原計劃,平澤第二條DRAM芯片生產(chǎn)線將于明年上半年完工。

此外,在明年可能出現(xiàn)供應(yīng)過剩的局面下,預(yù)計三星還將限制其在平澤的第一條生產(chǎn)線二樓生產(chǎn)區(qū)的DRAM產(chǎn)量。一位行業(yè)高管稱:“三星原計劃在平澤DRAM生產(chǎn)線上增加4萬個晶片,如今,三星只考慮在2019年前6個月增加2萬至3萬個晶片。”

由于三星下調(diào)了對公司第四季度的盈利預(yù)期,令分析師對其2019年的表現(xiàn)感到更加悲觀。據(jù)韓國證券經(jīng)紀(jì)公司預(yù)計,由于半導(dǎo)體行業(yè)的季節(jié)性低迷,三星電子第四季度運營利潤將從第三季度的17.57萬億韓元降至約13萬億韓元。

據(jù)市場分析師預(yù)計,明年前6個月全球內(nèi)存芯片產(chǎn)業(yè)需求將出現(xiàn)下滑,預(yù)計下半年將反彈。


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