三星否認投資200億美元提高3D NAND產(chǎn)量

發(fā)布: 2016-06-16 13:59 | 作者: 環(huán)球網(wǎng) | 來源: 網(wǎng)易科技 | 字體:  小  中  大 

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據(jù)路透社報道，《韓國經(jīng)濟新聞》稱，三星電子計劃明年底前投資25萬億韓元（約合213億美元）提高3DNAND閃存芯片產(chǎn)量。對此三星電子予以否認。

全球最大的內存芯片公司三星電子在提交的監(jiān)管文件中稱，媒體對其芯片投資計劃的報道是不準確的，還未決定具體的投資計劃。

《韓國經(jīng)濟新聞》報道，三星電子的計劃是為了壟斷內存芯片市場，讓東芝、美光科技、英特爾和中國的XMC等無法追趕。原先三星在DRAM內存市場也采取同樣的方法鞏固地位，結束了30年的“斗雞比賽”。

6月14日業(yè)內消息稱，三星電子計劃在韓國華城工廠第17號生產(chǎn)線上建設一條3DNAND閃存生產(chǎn)線，此前還宣布將第16號生產(chǎn)線改造為3DNAND生產(chǎn)線。到今年底，該公司的生產(chǎn)能力可達到10萬塊晶圓片/月。

另外，三星電子已經(jīng)決定在年底前將完工的韓國平澤工廠生產(chǎn)3DNAND閃存（第一階段產(chǎn)量可達10萬塊晶圓片/月）。三星電子還將擴建中國西安工廠，使每月產(chǎn)量達到4萬塊晶圓片。


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