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硅光子是一種令人振奮的技術，是基于硅和硅基襯底材料（如 SiGe／Si、SOI 等），利用現(xiàn)有 CMOS 工藝進行光器件開發(fā)和集成的新一代技術，結合了集成電路技術的超大規(guī)模、超高精度制造的特性和光子技術超高速率、超低功耗的優(yōu)勢，是應對摩爾定律失效的顛覆性技術。這種組合得力于半導體晶圓制造的可擴展性，因而能夠降低成本。
硅光子架構主要由硅基激光器、硅基光電集成芯片、主動光學組件和光纖封裝完成，使用該技術的芯片中，電流從計算核心流出，到轉換模塊通過光電效應轉換為光信號發(fā)射到電路板上鋪設的超細光纖，到另一塊芯片后再轉換為電信號。
硅光子（SiP）實現(xiàn)廉價且規(guī)模生產的光連接，從根本上改變光器件和模塊行業(yè)。未來三五年內，這種情況還不會發(fā)生，但硅光子技術可能在下個十年證明它是破壞性�；诠韫庾拥墓膺B接與電子ASIC、光開關，或者（可能）新的量子計算設備的集成，將打開一個廣闊的創(chuàng)新前沿。
關于在硅晶圓上實現(xiàn)光傳輸的“硅光子”技術，其實商用化和研發(fā)的推進速度都超過了預期。其中，日本的進展尤其顯著。日本在高密度集成技術和調制器等的小型化方面世界領先，在CMOS兼容發(fā)光技術和光子結晶的開發(fā)方面的成果也震撼全球。硅光子技術的應用范圍有望從目前的主要用途——電路板間的數(shù)據(jù)傳輸擴大到芯片間和芯片內的傳輸。
硅光子技術目前的主要用途是嵌在有源光纜中的光收發(fā)器IC
預計到2022年，硅光子光收發(fā)器市場將超20億美元，在全球光收發(fā)器市場中占比超20％。從出貨量來看，到2022年，硅光子光收發(fā)器在總光收發(fā)器出貨量中的占比將不到2．5％。這些產品中的大多數(shù)將是高端產品－－100G或以上速率，因此定價也相對較高。
這似乎與許多業(yè)內專家的期望相悖，即希望硅光子能實現(xiàn)廉價且規(guī)模生產的光連接，并且取代現(xiàn)有的InP和GaAs平臺。然而，如果硅光子的主要優(yōu)勢是集成，它將會是最適合需要大量集成的復雜高端設備的技術。未來十年或二十年，分立、2X和4X集成產品（將2個或4個光功能組合到單個發(fā)射器或接收器上面）將持續(xù)依賴InP和GaAs技術。事實上美國在InP等光集成領域同樣取得了領先世界的成就，由于硅并不能直接產生激光，相比InP材料存在一定弱勢，其商用步伐也落在InP材料器件之后。光集成一定是光通信器件的發(fā)展方向，很難說未來三五年各種光集成技術將取得怎樣的突破，所以硅光子能在多大程度上成功替代還有待觀察。
但是在支持者眼中，硅光子幾乎是光通信走向集成的唯一選擇。一方面是因為在硅光子領域已經走得很遠，尤其是美國，英特爾在IDF上推出的100G硅光子收發(fā)器令業(yè)界震撼，此次100G硅光子收發(fā)器被譽為硅光子史上的革命突破。
另一方面，許多硅光子學可以利用的新應用，包括高性能的電腦、電信、感測器、生命科學以及量子運算等高階應用。此外，還有兩項新興應用對于硅光子而言也特別令人感興趣——瞄準自動駕駛車應用的雷達（Lidar），以及生物化學與化學感測器，均可從整合的光學功能以及進一步的微型化中受益。而且硅光子晶片將會遠遠超越銅布線的能力，而其解決方案可望部署于高速的訊號傳輸系統(tǒng)中。
預計在2025年及其后，這項技術將更廣泛地用于處理互連多核心與處理器晶片等應用中。以晶片級而言，這一市場預計將在2025年時達到15億美元。
硅光子技術已經持續(xù)多年的發(fā)展了，各種技術備受大型網路公司看好，并且已經開始積極推動。
