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三星電子的半導(dǎo)體部門正面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，其營收貢獻(xiàn)已不如以往。近日，一位曾在臺(tái)積電工作近二十年、兩年前加入三星的關(guān)鍵芯片專家離職。
這位專家名為 Jing-Cheng Lin，曾于 1999 年至 2017 年在臺(tái)積電任職，2022 年加入三星半導(dǎo)體研究中心系統(tǒng)封裝實(shí)驗(yàn)室，擔(dān)任副總裁，主要負(fù)責(zé)芯片封裝技術(shù)研發(fā)。隨著摩爾定律逼近極限，封裝技術(shù)的進(jìn)步對(duì)下一代先進(jìn)芯片至關(guān)重要。三星自 2022 年起便大力投資，組建強(qiáng)大的先進(jìn)封裝團(tuán)隊(duì)，而 Jing-Cheng Lin 的加入正是為了助力三星拓展封裝業(yè)務(wù)。
**專家在三星期間的貢獻(xiàn)**據(jù)了解，Jing-Cheng Lin 在三星期間，為 HBM4 內(nèi)存的封裝技術(shù)開發(fā)做出了重要貢獻(xiàn)。三星在 HBM3E 市場份額上落后于競爭對(duì)手 SK 海力士，因此將重心放在了 HBM4 上，希望借此在人工智能浪潮中占據(jù)有利地位。HBM4 的成敗對(duì)三星至關(guān)重要。
**專家離職后的動(dòng)向**Jing-Cheng Lin 已在領(lǐng)英上確認(rèn)了其從三星離職的消息，并表示其為期兩年的合同已經(jīng)到期。他還強(qiáng)調(diào)了自己在三星期間為先進(jìn)封裝技術(shù)做出的貢獻(xiàn)，包括用于 3D IC 的混合銅鍵合技術(shù)以及 HBM-16H 的研發(fā)。
