中電信增強(qiáng)EV-DO鋪路LTE

　　【通信產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊】(記者 孟祥初 伊佳)基于技術(shù)、產(chǎn)業(yè)鏈和業(yè)務(wù)發(fā)展等諸多因素的考慮，原CDMA陣營的主要運(yùn)營商紛紛放棄UMB而選擇了LTE，中國電信也不例外。

　　日前，在北京郵電大學(xué)55周年校慶的“網(wǎng)絡(luò)融合與低碳經(jīng)濟(jì)社會(huì)”高端論壇上，中國電信副總經(jīng)理張繼平表示，中國電信正在重點(diǎn)推進(jìn)LTE 與CDMA互操作的標(biāo)準(zhǔn)化以及系統(tǒng)和終端設(shè)備開發(fā)進(jìn)展，以最大限度利用現(xiàn)有設(shè)備。據(jù)悉，為了對(duì)將來升級(jí)LTE做好兩網(wǎng)互操作的準(zhǔn)備，中國電信計(jì)劃年底前在全國多個(gè)省市完成eEV-DO升級(jí)。

　　標(biāo)準(zhǔn)基本成熟

　　EV-DO和LTE間的互操作是CDMA網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營商在向LTE演進(jìn)過程中需重點(diǎn)考慮的問題。中國電信股份有限公司廣東研究院王月珍分析，在 EV-DO向LTE演進(jìn)的過程中，由于LTE對(duì)語音業(yè)務(wù)的支持還需要一段較長的時(shí)間，而且早期LTE也只是在熱點(diǎn)地區(qū)部署，預(yù)計(jì)1xRTT/EV-DO網(wǎng)絡(luò)與LTE的共存期將比較長。

　　為使EV-DO能與未來的LTE實(shí)現(xiàn)互通，3GPP2標(biāo)準(zhǔn)組織開展了互操作的系列標(biāo)準(zhǔn)制定工作，將EV-DO增強(qiáng)為eEV-DO，作為最新版本的1XEV～DO上層協(xié)議堆棧。經(jīng)修改的堆棧提供兼容3GPP演進(jìn)分組核心(EPC)的上層協(xié)議。這種功能將實(shí)現(xiàn)LTE與1xEV-DO之間的切換。

　　在此過程中，需要將EV-DO無線網(wǎng)絡(luò)升級(jí)為eEV-DO網(wǎng)絡(luò)，并將eEV-DO網(wǎng)絡(luò)接入到EPC核心網(wǎng)。該技術(shù)在3GPPTS23.402和 3GPP2X.S0057標(biāo)準(zhǔn)中制定。中國電信技術(shù)創(chuàng)新中心梅承力博士告訴記者，目前，3GPP2規(guī)范的最新版本有X.P0057Rev0v3.0和 X.P0057RevAv0，后續(xù)標(biāo)準(zhǔn)將提供增強(qiáng)技術(shù)功能，包括優(yōu)化切換時(shí)延等。

　　重新定義eEV-DO

　　“LTE網(wǎng)絡(luò)在商用初期解決的是數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)問題，數(shù)據(jù)卡肯定會(huì)是第一批投放市場的LTE終端。因此，在現(xiàn)階段需要探討的是CDMA/LTE數(shù)據(jù)互操作方案，而語音互操作明顯還為時(shí)尚早�！鄙虾Ｘ悹柛笨偛煤纹滗J表示。

　　根據(jù)各運(yùn)營商的網(wǎng)絡(luò)情況，除了存在基于EV-DORev.A的eEV-DO系統(tǒng)與LTE網(wǎng)絡(luò)的互操作場景外，還存在EV-DORev.B與 LTE的互操作場景，2008年10月KDDI首先提出了支持基于EV-DORev.B的eEV-DO系統(tǒng)與LTE互操作的標(biāo)準(zhǔn)制定需求。據(jù)何其銳介紹，eEV-DO技術(shù)已經(jīng)非常成熟，并由美國運(yùn)營商Verizon測試多年，已在現(xiàn)網(wǎng)有所應(yīng)用。

　　而相比3GPP標(biāo)準(zhǔn)的完整性，3GPP2標(biāo)準(zhǔn)組織中的運(yùn)營商數(shù)量較少，此前其標(biāo)準(zhǔn)制定一直由高通主導(dǎo)。在發(fā)展EV-DO/LTE互操作的過程中，中國電信做了大量的工作。目前中國電信已經(jīng)完成了實(shí)驗(yàn)室測試，各CDMA主要設(shè)備廠商均通過測試。測試中暴露出的問題是一些第三方網(wǎng)元設(shè)備廠商對(duì) eEV-DO的支持還有所欠缺。

　　“CDMA/LTE互操的瓶頸不在網(wǎng)絡(luò)側(cè)，而是在終端側(cè)，包括芯片在內(nèi)的廠商必須推出支持互操作的產(chǎn)品才能使LTE演進(jìn)更加平滑。”何其銳說。

　　攻關(guān)LTE終端

　　中國電信廣東研究院移動(dòng)通信研究部綜合室主任劉兆元正在組織參與支持EV-DO/LTE互操作等新性能的創(chuàng)新終端課題研究，他告訴記者，現(xiàn)階段 LTE終端的最大問題在于耗電量過高，設(shè)備商目前推出的LTE數(shù)據(jù)卡均為試驗(yàn)產(chǎn)品，最佳制作工藝為45nm，而據(jù)研究，芯片工藝需要提升至20nm才能起到降低功耗的作用。

　　針對(duì)如何支持互操作性能，劉兆元表示，需考慮在無LTE的網(wǎng)絡(luò)下，終端首先選擇接入EV-DO網(wǎng)絡(luò)。